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公开(公告)号：CN111527415A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201880084137.6
申请日：2018-12-26
Applicant: 旭化成微电子株式会社 , TDK株式会社
Abstract: 本发明在于提供一种减少了来自线圈的发热对磁传感器的影响的磁传感器模块。根据以往的方法，在磁传感器芯片上，与多个磁传感器相对应地需要多个温度测量电路，在磁传感器芯片还需要多个用于与IC芯片相连接的焊盘。因而，存在搭载磁传感器的磁传感器芯片的尺寸增大并且制造成本升高的问题。本发明提供一种磁传感器模块，其具有：IC芯片，其具有第1线圈、与第1线圈的一端相连接的第1焊盘以及与第1线圈的另一端相连接的第2焊盘；磁传感器芯片，其配置于IC芯片的面上，具有检测第1轴向的磁气的第1磁传感器；第1外部输出端子；第1导线，其将第1焊盘和第1外部输出端子连接；第2外部输出端子；以及第2导线，其将第2焊盘和第2外部输出端子连接。
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公开(公告)号：CN107534632B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201680024481.7
申请日：2016-08-22
Applicant: 旭化成微电子株式会社
Inventor： 田中成知
Abstract: 解调装置具备：解调部，其输出对调制信号进行解调而得到的解调信号；积分部(60a)，其对解调信号进行积分；区间检测部(60b)，其基于由积分部输出的积分信号，来检测解调信号中的置换对象区间；以及置换部(60c)，其将解调信号中的置换对象区间的信号置换为置换对象信号。利用积分部对解调信号进行积分，利用区间检测部基于该积分信号来检测解调信号中的置换对象区间，由此能够去除噪声。
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公开(公告)号：CN111050065A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201910979329.X
申请日：2019-10-15
Applicant: 旭化成微电子株式会社
Inventor： 坂元亮太
Abstract: 本发明提供一种透镜驱动装置、透镜驱动方法以及存储介质。在透镜驱动装置中，耗电占整体的大约70％的位置检测电路始终进行动作，从而导致作为摄像系统整体的耗电增加。透镜驱动装置具备：位置检测部，其输出表示检测出的透镜的位置的检测信号，具有通过不同的耗电进行动作的多个动作模式；选择部，其从多个动作模式中选择使位置检测部进行动作的动作模式；位置信号生成部，其根据检测信号，与所选择的动作模式相应地生成透镜位置信号；计算部，其根据表示透镜的目标位置的目标位置信号和透镜位置信号，来计算透镜的驱动量；以及驱动部，其根据驱动量来驱动透镜。
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公开(公告)号：CN109564248A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780045538.6
申请日：2017-07-19
Applicant: 旭化成微电子株式会社
Inventor： 野平隆二
Abstract: 提供一种具备第一霍尔元件和第二霍尔元件的电流传感器。提供一种电流传感器，具备：第一霍尔元件；第二霍尔元件，其与第一霍尔元件并联连接；初级导体，其被配置为流过被测定电流，并将由被测定电流产生的被测定磁场以不同极性施加于第一霍尔元件和第二霍尔元件；以及次级导体，其被配置为流过基准电流，并将由基准电流产生的基准磁场以相同极性施加于第一霍尔元件和第二霍尔元件。
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公开(公告)号：CN105452880B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201380078646.5
申请日：2013-11-21
Applicant: 旭化成微电子株式会社
IPC: G01R15/20
Abstract: 提供一种耐绝缘性优异的电流传感器。电流传感器(1)具备导体(10)、用于支承信号处理IC(20)的支承部(30)、构成为能够与信号处理IC(20)电连接并且配置在导体(10)的间隙(10a)以检测从流过导体(10)的电流产生的磁场的磁电转换元件(13)以及支承磁电转换元件(13)的绝缘部件(14)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108603994A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201680080454.1
申请日：2016-11-29
Applicant: 旭化成微电子株式会社
Abstract: 提供一种驱动装置、透镜单元、设备、校正方法以及程序，该驱动装置具备：致动器，其用于改变透镜部与摄像元件之间的相对位置；磁场探测部，其探测与透镜部同摄像元件之间的相对位置相应的磁场信息；存储部，其存储基准信息，该基准信息基于透镜部或摄像元件位于基准位置的情况下的磁场探测部的输出；以及控制部，其根据磁场信息和基准信息，来控制致动器的驱动量。
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公开(公告)号：CN105185900B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201510330421.5
申请日：2015-06-15
Applicant: 旭化成微电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种即使在无岛构造的霍尔传感器中使GaAs霍尔元件小型化和薄型化的情况下也能够防止漏电流的增大的霍尔传感器。具备：GaAs霍尔元件(10)，其具备设置在GaAs衬底(11)上的感磁部(12)、电极部(13a～13d)、以及设置在GaAs衬底的与设置有电极的面相反一侧的面侧的保护层(40)；引线端子(22～25)，其配置在GaAs霍尔元件的周围；金属细线(31～34)，其将电极与引线端子分别电连接；以及模制构件(50)，其对上述部件进行模制。保护层和引线端子的第一面(即同与金属细线连接的面相反一侧的面)从模制构件(50)的同一面露出。GaAs衬底的电阻率为5.0×107Ω·cm以上。
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公开(公告)号：CN107534456A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680024559.5
申请日：2016-08-22
Applicant: 旭化成微电子株式会社
Inventor： 田中成知
Abstract: 解调装置(100)具备：AD转换部(10)，其将模拟形式的接收信号(RF)转换为数字形式；噪声去除部(40)，其连接于AD转换部(10)的后级侧，该噪声去除部(40)从被输入的信号中检测并去除噪声；抽取滤波器(52)和抽取滤波器(54)，所述抽取滤波器(52)和抽取滤波器(54)连接于噪声去除部(40)的后级侧，所述抽取滤波器(52)和抽取滤波器(54)使被输入的信号的数据速率降低；以及解调部(60)，其连接于抽取滤波器(52)和抽取滤波器(54)的后级侧，该解调部(60)对被输入的信号进行解调。抽取滤波器(52)和抽取滤波器(54)连接于噪声去除部(40)的后级侧，由此提供一种信号波的劣化小的解调装置。
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公开(公告)号：CN104685614B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201380051565.6
申请日：2013-10-11
Applicant: 旭化成微电子株式会社
Inventor： 松田顺一
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L29/063 , H01L29/0634 , H01L29/0653 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/0847 , H01L29/0878 , H01L29/1045 , H01L29/1083 , H01L29/66659 , H01L29/7835
Abstract: 提供一种能够分别提高截止状态的漏极耐压以及导通状态的漏极耐压的场效应晶体管和半导体装置。具备：场氧化膜(31)，其配置在位于硅衬底(1)中的沟道区域与N型漏极(9)之间的N型漂移区(20)之上；N型漂移层(21)，其配置在硅衬底(1)中的漂移区(20)和漏极(9)之下；以及埋入层(51)，其P型杂质浓度比硅衬底(1)的P型杂质浓度高。埋入层(51)在硅衬底(1)中配置在除了漏极(9)的至少一部分的下方以外的漂移层(21)之下。
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公开(公告)号：CN107210359A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680007023.2
申请日：2016-02-12
Applicant: 旭化成微电子株式会社
Inventor： 中村正广
Abstract: 本发明涉及一种高S/N且温度特性优异的传感器装置。传感器装置(100)具备：半导体基板(101)、设置在半导体基板(101)上的第一金属布线层(111)、设置在第一金属布线层(111)上的第一绝缘层(121)、设置在第一绝缘层(121)上的化合物半导体传感器元件(131)、设置在化合物半导体传感器元件(131)和第一绝缘层(121)上的第二金属布线层(112)以及设置在第二金属布线层(112)上的第二绝缘层(122)。在第一金属布线层(111)与第二金属布线层(112)之间具备第三绝缘层(123)，化合物半导体传感器元件(131)设置在第三绝缘层(123)中。
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