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公开(公告)号：CN209045530U
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201821598528.3
申请日：2018-09-28
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: H01L23/12 , H01L23/31 , H01L25/065
Abstract: 本实用新型公开了一种功率半导体器件封装结构，该封装结构包括：至少一个封装子模组，包括：依次层叠设置的上垫片、功率芯片、芯片定位框架和下垫片，其中，上垫片的尺寸不小于下垫片的尺寸，且上垫片的尺寸与下垫片的尺寸的差异小于预设差值；芯片定位框架具有与芯片终端区接触的接触部，接触部和芯片终端区之间设置有粘接层，以使接触部和芯片终端区粘接，通过实施本实用新型，有效地减小了功率半导体器件封装时芯片的弯曲，避免了芯片因产生裂纹甚至发生脆断而失效，提高了功率半导体器件的可靠性；另一方面减小甚至消除了芯片终端和定位框架之间的间隙，显著增加了芯片的耐压等级，满足电力系统对器件电压等级的要求。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN216015311U
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202122651393.0
申请日：2021-11-01
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 深圳市先进连接科技有限公司
Abstract: 本实用新型涉及半导体器件加工设备技术领域，具体涉及一种用于半导体器件的烧结设备。一种用于半导体器件的烧结设备，包括：工作台，所述工作台上设有驱动结构和加热结构；压制结构，设于所述工作台上，且与所述驱动结构对应设置，所述压制结构包括夹持机构和设于所述夹持机构上的多个施力机构，多个施力机构与设于所述工作台上的多个半导体器件一一对应，所述施力机构包括压头和与所述压头连接的压力均衡组件，所述压力均衡组件包括在所述压头施力时沿施力方向发生形变的第一偏压件。本实用新型提供了一种工作时压力稳定，降低半导体器件的损坏率的用于半导体器件的烧结设备。
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公开(公告)号：CN209045529U
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201821595515.0
申请日：2018-09-28
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: H01L23/12 , H01L23/31 , H01L25/065
Abstract: 本实用新型公开了一种功率半导体器件封装结构，该封装结构包括：至少一个封装子模组，该封装子模组包括：上垫片、功率芯片、下垫片、下框架和栅极探针，功率芯片设置于下垫片上；上垫片设置于功率芯片上；上垫片的尺寸不小于下垫片的尺寸，且上垫片的尺寸与下垫片的尺寸的差异小于预设差值；下框架设置于功率芯片和下垫片之间，下框架与功率芯片的终端区粘接，通过实施本实用新型，有效地减小了功率半导体器件封装时芯片的弯曲，避免了芯片因产生裂纹甚至发生脆断而失效；另一方面减小甚至消除了芯片终端和下框架之间的间隙，显著增加了芯片的耐压等级，满足电力系统对器件电压等级的要求，提高了功率半导体器件的可靠性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN212517200U
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202021586937.9
申请日：2020-08-03
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
Abstract: 一种高压功率半导体芯片的封装结构，包括：基板；位于所述基板上的高压功率半导体芯片，所述高压功率半导体芯片与所述基板相背的一面具有栅极；覆盖所述高压功率半导体芯片的第一封装框盖，所述第一封装框盖具有第一顶板，所述第一顶板中具有栅极预留口；栅极引出部，所述栅极引出部的一端位于所述栅极预留口中且与所述栅极电学连接。所述高压功率半导体芯片的封装结构的寄生电感降低。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN115242331B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202210871108.2
申请日：2022-07-23
Applicant: 华北电力大学
IPC: H04B17/382 , H04B17/391 , G06Q10/04 , G06F17/18 , G06Q50/06 , G06N3/006
Abstract: 虚拟电厂中认知无线电的协作频谱感知优化方法，包括如下步骤，建立虚拟电厂中认知无线电的协作频谱感知模型；利用改进蝠鲼觅食优化算法优化虚拟电厂中认知无线电的协作频谱感知模型；确定数学模型更新位置；计算更新位置适应度的最优值及其对应的权重因子值；引入GBO算法中的本地转义运算符改进蝠鲼觅食优化算法确定数学模型更新位置：设置随机参数rand
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117612611A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311428102.9
申请日：2023-10-31
Applicant: 华北电力大学
IPC: G16C10/00 , G06F30/28 , G06F30/25 , G06F111/10 , G06F119/14
Abstract: 一种采用Janus型润湿的燃料电池催化层内两相流动数值模拟方法，包括两个步骤：步骤1：采用四参数随机生成方法，将催化层内填充骨架统一简化为球状固相，按照统计特征参数生成符合实际情况的催化层多孔模型；步骤2：基于格子Boltzmann(LB)方法的伪势模型对PEM燃料电池催化层内的两相传输过程进行数值模拟，并考查Janus型润湿特性的影响。本发明建立了贴近实际情况的随机多孔燃料电池催化层模型，并基于格子Boltzmann方法对Janus型润湿的催化层内部含水量进行预测计算。与传统单一润湿驱水效率较高者相比，本发明的模拟结果能进一步提高12.3％的驱水量，大幅降低燃料电池内“水淹”风险，仿真模拟效果优秀；该方法为数值模拟，有效节省了实验所需的人力、物力及时间成本。
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公开(公告)号：CN115877153A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211545915.1
申请日：2022-12-05
IPC: G01R31/20
Abstract: 本发明提供一种含气泡硅凝胶样品的制备方法、气泡含量检测方法及系统，属于高压绝缘领域，制备方法包括：将硅凝胶样品分为三份；将第一份硅凝胶样品灌封进容器中，并进行脱气处理；对第二份硅凝胶样品进行搅拌，以使第二份硅凝胶样品中引入气泡，并将搅拌后的第二份硅凝胶样品倒入容器中；对第三份硅凝胶样品进行脱气处理，并将脱气处理后的第三硅凝胶样品倒入容器中，以得到含气泡硅凝胶样品；能够在不破坏硅凝胶完整性的前提下，制备目标位置处含气泡的硅凝胶样品。通过采集含气泡硅凝胶样品的图像，并对图像的RGB值进行加权求和，结合无气泡硅凝胶样品图像中像素的灰度平均值，准确计算出含气泡硅凝胶样品的气泡含量。
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公开(公告)号：CN118646018A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410663047.X
申请日：2024-05-27
Applicant: 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 华北电力大学
Abstract: 本发明涉及一种直流孤岛频率和电压协同稳定控制方法及系统，属于电力系统技术领域，解决了现有孤岛系统稳定控制效率低、实用性和针对性差的问题包括实时采集直流外送系统整流侧直流电压、直流电流、触发角和频率变化量；基于采集的整流侧直流电压、直流电流和频率变化量，得到直流线路传输功率；进而基于得到的直流线路传输功率，判断是否启动直流外送系统进入孤岛运行；若启动，则根据实时采集的整流侧直流电流和触发角，得到直流外送系统增加直流紧急协同附加控制后的整流侧定电流指令值；基于整流侧定电流指令值，实现直流孤岛系统对频率和电压的主动支撑。
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公开(公告)号：CN105891583A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610372925.8
申请日：2016-05-31
Applicant: 华北电力大学(保定) , 江苏固德威电源科技股份有限公司
CPC classification number: G01R19/0092 , G01R31/025
Abstract: 一种光伏并网逆变器接触漏电流检测方法，采用两台功率等级相同的逆变器共用一套接触电流检测装置，两逆变器的触发脉冲相差半个周期，若两逆变器完全相同，对地寄生电容也完全相同，那么正常工作时公共地线上检测到的交流高频漏电流几乎为零，即使二者不完全相同，漏电流也可以大大削弱，此时若发生人体触电，接触漏电流在整个漏电流中所占的比例会大大提高。我们就可以用小量程电流检测装置对接触漏电流进行检测，达到精确测量的目的。
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公开(公告)号：CN102830325B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201210297103.X
申请日：2012-08-21
Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 华北电力大学(保定)
Abstract: 本发明公开了泄漏电流检测系统设计领域的一种光电式特高压直流绝缘子泄漏电流监测系统。其技术方案是，所述系统包括光/电数据采集单元、采集单元保护模块、系统自重启装置和本地中心计算机；所述采集单元保护模块包括瞬态抑制二极管TVS和高精度采样电阻。本发明可用于±800kV特高压直流绝缘子泄漏电流多路采集，采用光纤传输泄漏电流数据，确保数据的准确可靠采集；光/电数据采集单元中的远端采集模块利用光能供电，保证了供电系统安全；采集单元安装TVS瞬态抑制二极管，有效保护采集单元。
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