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公开(公告)号：CN116646258A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310592212.2
申请日：2023-05-24
摘要： 本发明公开一种利用有机硅凝胶灌封IGBT器件的系统，涉及材料灌封技术领域，腔体上开设第一通孔、第二通孔和第三通孔，抽气泵的一端通过第一通孔与腔体的内部连通，抽气泵的另一端与第一三通阀的第一端连接，第一三通阀的第二端与废气处理装置连接，第一三通阀的第三端与第一绝缘气体存储容器连接；第二绝缘气体存储容器与第二三通阀的第一端连接，第二三通阀的第二端通过第二通孔与腔体的内部连通，第二三通阀的第三端与外界环境连接；硅凝胶注入装置通过第三通孔伸入至腔体的内部，实现对放置在腔体的内部的IGBT器件的灌封，本发明增设了两个绝缘气体存储容器和废气处理装置，提高了利用有机硅凝胶灌封得到的IGBT器件的耐压水平。
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公开(公告)号：CN117766470B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410190217.7
申请日：2024-02-20
IPC分类号： H01L23/053 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/52 , H01L21/56
摘要： 本申请公开了一种半导体器件的封装结构和封装方法，该半导体器件的封装结构包括：绝缘基板，绝缘壳体，多个绝缘肋条和半导体器件，其中绝缘壳体位于绝缘基板的一侧以围成容纳空间，绝缘壳体具有顶面和侧壁，至少一个侧壁具有多个间隔设置的条状结构；多个绝缘肋条位于相邻的多个条状结构之间，绝缘肋条分别与顶面和条状结构所在的侧壁连接，相邻条状结构之间具有间隔区域，绝缘肋条在第一方向上具有相对的两端，绝缘肋条的两端突出于间隔区域，第一方向为绝缘基板指向绝缘壳体的方向；半导体器件设置于容纳空间中；该半导体的封装结构实现了在高电压、小电流的应用场景下满足了器件的高绝缘强度需求。
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公开(公告)号：CN117766470A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202410190217.7
申请日：2024-02-20
IPC分类号： H01L23/053 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/52 , H01L21/56
摘要： 本申请公开了一种半导体器件的封装结构和封装方法，该半导体器件的封装结构包括：绝缘基板，绝缘壳体，多个绝缘肋条和半导体器件，其中绝缘壳体位于绝缘基板的一侧以围成容纳空间，绝缘壳体具有顶面和侧壁，至少一个侧壁具有多个间隔设置的条状结构；多个绝缘肋条位于相邻的多个条状结构之间，绝缘肋条分别与顶面和条状结构所在的侧壁连接，相邻条状结构之间具有间隔区域，绝缘肋条在第一方向上具有相对的两端，绝缘肋条的两端突出于间隔区域，第一方向为绝缘基板指向绝缘壳体的方向；半导体器件设置于容纳空间中；该半导体的封装结构实现了在高电压、小电流的应用场景下满足了器件的高绝缘强度需求。
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公开(公告)号：CN115877153A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211545915.1
申请日：2022-12-05
IPC分类号： G01R31/20
摘要： 本发明提供一种含气泡硅凝胶样品的制备方法、气泡含量检测方法及系统，属于高压绝缘领域，制备方法包括：将硅凝胶样品分为三份；将第一份硅凝胶样品灌封进容器中，并进行脱气处理；对第二份硅凝胶样品进行搅拌，以使第二份硅凝胶样品中引入气泡，并将搅拌后的第二份硅凝胶样品倒入容器中；对第三份硅凝胶样品进行脱气处理，并将脱气处理后的第三硅凝胶样品倒入容器中，以得到含气泡硅凝胶样品；能够在不破坏硅凝胶完整性的前提下，制备目标位置处含气泡的硅凝胶样品。通过采集含气泡硅凝胶样品的图像，并对图像的RGB值进行加权求和，结合无气泡硅凝胶样品图像中像素的灰度平均值，准确计算出含气泡硅凝胶样品的气泡含量。
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公开(公告)号：CN117825781A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410018645.1
申请日：2024-01-05
IPC分类号： G01R19/00
摘要： 本发明提供了一种传输线阻抗匹配的Rogowski电流传感器，属于电流测量领域，电流传感器包括Rogowski线圈、无源积分器、传输线驱动器、同轴传输线、驱动器电源连接线、阻抗匹配电阻及有源积分器；Rogowski线圈与无源积分器的输入端口连接，无源积分器的输出端口与传输线驱动器的输入端口连接，传输线驱动器的输出端口与同轴传输线连接，传输线驱动器的电源端与驱动器电源连接线连接；同轴传输线与有源积分器的信号输入端口连接；驱动器电源连接线与有源积分器的电源网络连接；阻抗匹配电阻并联连接于有源积分器的信号输入端口。本发明能够准确测量高频率的电流。
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公开(公告)号：CN117096094B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311362406.X
申请日：2023-10-20
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及一种适用于多规格AMB基板同时烧结的夹具装置，其包括安装底板，用于作为基板承载机构，所述安装底板内设有至少一个底板凹槽；AMB基板，用于对芯片提供支撑、散热以及保护，每个底板凹槽内均安设有一块所述AMB基板；金属罩，用于保护AMB基板边缘，所述金属罩覆盖于安装底板上层，且所述金属罩正对每个底板凹槽位置分别设有金属罩窗口；薄膜，用于封闭底板凹槽内的AMB基板及芯片，所述薄膜覆盖于金属罩上层；锁紧环，用于夹紧并固定薄膜，所述锁紧环位于薄膜上层，且所述锁紧环紧贴薄膜边缘，所述锁紧环通过紧固件将薄膜与金属罩压至安装底板；该装置实现多规格AMB基板同时烧结，提高了夹具通用性，提高烧结效率。
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公开(公告)号：CN117096094A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311362406.X
申请日：2023-10-20
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及一种适用于多规格AMB基板同时烧结的夹具装置，其包括安装底板，用于作为基板承载机构，所述安装底板内设有至少一个底板凹槽；AMB基板，用于对芯片提供支撑、散热以及保护，每个底板凹槽内均安设有一块所述AMB基板；金属罩，用于保护AMB基板边缘，所述金属罩覆盖于安装底板上层，且所述金属罩正对每个底板凹槽位置分别设有金属罩窗口；薄膜，用于封闭底板凹槽内的AMB基板及芯片，所述薄膜覆盖于金属罩上层；锁紧环，用于夹紧并固定薄膜，所述锁紧环位于薄膜上层，且所述锁紧环紧贴薄膜边缘，所述锁紧环通过紧固件将薄膜与金属罩压至安装底板；该装置实现多规格AMB基板同时烧结，提高了夹具通用性，提高烧结效率。
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公开(公告)号：CN117393609A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311591602.4
申请日：2023-11-27
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法，涉及半导体器件领域。该器件包括：由底到顶的衬底层、缓冲层和漂移层；漂移层中从一端到另一端嵌有多个p阱区；每两个p阱区之间设置肖特基区；肖特基区与p阱区之间为结型场效应管区；肖特基区中设置两个肖特基接触p+区；p阱区中嵌有两个n+源区和一个位于中间的源极p+区；漂移层中从一端开始每两个p阱区构成一个p阱区组；p阱区组中的源极p+区的宽度相同；漂移层中的p阱区组的源极p+区的宽度从器件的边缘至器件的中央呈递增分布；p阱区的上表面设置栅氧化层和多晶硅层；栅氧化层和多晶硅层的外表面包裹隔离介质层。本发明能提高碳化硅MOSFET器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN107305886B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201610262592.3
申请日：2016-04-25
申请人： 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司
IPC分类号： H01L25/11 , H01L23/528
摘要： 本发明提供了一种便于串联使用的大功率IGBT模块，包括功率子单元、金属电极板和外部管壳；金属电极板设置在外部管壳的底部；外部管壳包括两列方形框架；两列方形框架之间留有空间形成一个条状框架；功率子单元设置在方形框架内且与金属电极板紧密接触，其包括金属端盖、栅极PCB板、辅助栅极PCB板和多个功率半导体芯片；辅助栅极PCB板设置在条状框架内；金属端盖、金属电极板和栅极PCB板分别与功率半导体芯片的集电极、发射极和栅极电气连接。与现有技术相比，本发明提供的一种便于串联使用的大功率IGBT模块，既有利于功率半导体器件的串联，同时不需要太大的钳位压力，降低了功率半导体器件在实际应用过程中对机械结构的要求。
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公开(公告)号：CN114152831B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202111483879.6
申请日：2021-12-07
申请人： 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 本发明涉及一种用于压接型功率器件的测试设备，所述测试设备包括：热压机构、热压传感器组件、传动机构和控制机构。本发明通过设置热压机构、热压传感器组件、传动机构和控制机构，实现了待测试模块的自动传送、压力和温度的自动调节，提高了压接型功率器件测试设备的自动化程度。
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