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公开(公告)号：CN118613140A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410803193.8
申请日：2024-06-20
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于微电子集成电路相关技术领域，其公开了一种基于超离子导体阻态切换机制的忆阻器及其制备方法与应用，所述忆阻器包括自上而下设置的顶电极、活性金属层、功能层及底电极，所述功能层的材料包括过渡金属卤化物、卤化物超离子导体及氧化物超离子导体中的任一个。所述顶电极及所述底电极用于连接电源，以为所述功能层提供电场；所述功能层用于在所述电场的作用下形成超离子导体通道，所述超离子通道用于为所述活性金属层的活性金属提供通道进行扩散而形成导电细丝，以实现阻态切换，进而解决了传统忆阻器功耗高和操作速度慢的问题。
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公开(公告)号：CN118538855A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410655806.8
申请日：2024-05-24
申请人： 华中科技大学 , 江西赣锋锂电科技股份有限公司
IPC分类号： H01M4/04 , H01M4/134 , H01M4/1395
摘要： 本发明提供了一种梯度多孔一体化碱金属基合金电极的制备方法及产品，属于锂离子电池领域，S1：制备碱金属基电极，所述碱金属基电极是由活泼碱金属及其合金所组成的金属电极或复合电极，S2：在碱金属基电极上，将与隔膜接触的一面预先设置为牺牲层，所述牺牲层是指：在碱金属基电极上，将与隔膜接触的一面预先定为牺牲层；或者额外在碱金属基电极与隔膜接触的一面上预先制备一层牺牲层，S3：对所述牺牲层执行化学刻蚀，获得呈梯度变化的多孔层。本发明制备的锂、钠、钾基碱金属基电极作为负极分别用于锂金属电池、钠金属电池、钾金属电池时，可以提升电池性能，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN118213409B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410638133.5
申请日：2024-05-22
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/51 , H01L29/423 , H01L21/44 , H01L21/34
摘要： 本发明涉及一种铁电负电容晶体管及其制备方法，属于半导体器件技术领域。本发明铁电负电容晶体管包括铁电介电材料、无机分子晶体层和沟道材料；所述无机分子晶体层位于铁电介电材料和沟道材料之间；所述铁电介电材料用于在极化翻转时会产生负电容效应，从而使晶体管器件突破亚阈值摆幅极限，所述无机分子晶体层用于匹配铁电介电材料的电容并改善所述铁电介电材料与所述沟道材料的界面，从而减小晶体管器件的回滞。
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公开(公告)号：CN118213409A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410638133.5
申请日：2024-05-22
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/51 , H01L29/423 , H01L21/44 , H01L21/34
摘要： 本发明涉及一种铁电负电容晶体管及其制备方法，属于半导体器件技术领域。本发明铁电负电容晶体管包括铁电介电材料、无机分子晶体层和沟道材料；所述无机分子晶体层位于铁电介电材料和沟道材料之间；所述铁电介电材料用于在极化翻转时会产生负电容效应，从而使晶体管器件突破亚阈值摆幅极限，所述无机分子晶体层用于匹配铁电介电材料的电容并改善所述铁电介电材料与所述沟道材料的界面，从而减小晶体管器件的回滞。
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公开(公告)号：CN114335244B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202111621705.1
申请日：2021-12-28
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/105 , C23C14/08 , C23C14/16 , C23C14/30 , C23C14/35 , C23C16/30 , C23C28/00
摘要： 本发明公开了热载流子双向分离型类p‑i‑n型二维异质结及制备方法、器件。所述异质结为三明治结构，所述异质结自下而上的包括n型半导体材料、具有纳米结构的金属和p型半导体材料；或者，所述异质结自下而上的包括p型半导体材料、具有纳米结构的金属和n型半导体材料。所述制备方法包括：在衬底表面沉积一层n型半导体材料；采用物理气相沉积的方式在n型半导体材料表面沉积一层具有纳米结构的金属；在所述具有纳米结构的金属表面沉积一层p型半导体材料。本发明通过设置在中间的纳米结构的金属分别与p型半导体和n型半导体形成肖特基结，有效提高载流子的产生、传输和收集效率，提高光吸收。
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公开(公告)号：CN116954020A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310844256.X
申请日：2023-07-10
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明提供了一种微纳加工方法及其光刻介质，属于微纳加工领域，其采用无机小分子作为光刻介质执行光刻工艺，利用电子、离子或/和光子的高能量束对光刻介质设定区域进行照射，被照射区域的无机小分子发生升华而被刻蚀，直接形成所需的光刻图案。在光刻介质去除过程中，还可采用物理干法粘连剥离，全程避免溶剂或液体的使用，实现对敏感材料的微纳加工。作为光刻介质的无机小分子通过范德华作用力形成固体薄膜，薄膜厚度为5nm～8000nm。光刻介质包括无机小分子单质、二元或三元无机小分子化合物类或者至少以上两种组成的混合物。本发明方法能简化微纳加工步骤，避免显影液、清洗剂等的使用，实现对敏感材料和器件的微纳加工。
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公开(公告)号：CN116516145A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310447284.8
申请日：2023-04-24
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于电子材料制造领域，公开了一种精确控制层状材料内粒子扩散和/或插层位置的方法，对于二维材料上待进行粒子扩散和/或插层的目标区域，首先在二维材料内引入应力形变，使目标区域与非目标区域的边界线与引入应力形变的位置相重合；然后，在二维材料上形成保护层并设置暴露窗口；接着，使粒子由暴露窗口扩散至二维材料中，并限制在目标区域中，从而实现对扩散和/或插层位置的精确控制。本发明通过在目标扩散和/或插层区域的边界位置额外引入应力，使材料产生局域形变导致层间距变小，提升扩散能垒，从而精确限制粒子扩散位置，能够有效解决层状材料内粒子扩散插层时位置难以精确控制的问题。
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公开(公告)号：CN115161761B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202210735594.5
申请日：2022-06-27
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种晶圆级二维氧化锑单晶薄膜的批量化制备方法及产品，属于二维无机分子单晶薄膜制备领域，方法以无机分子晶体Sb2O3粉末为蒸发源，以单晶范德华层状材料为生长衬底，采用热蒸镀的方法将Sb2O3分子沉积到所述生长衬底上，所述生长衬底温度40℃‑200℃，通过所述生长衬底诱导Sb2O3晶核单一取向、抑制其他取向的作用，形成取向一致的Sb2O3单晶晶粒，随着反应时间的延长Sb2O3单晶晶粒逐渐拼接成晶圆级Sb2O3单晶薄膜；所述单晶范德华层状材料为单晶石墨或h‑BN。本发明工艺流程简单且可控性强，得到的Sb2O3单晶薄膜尺寸大、有望应用于晶圆级薄膜的工业化批量生产。
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公开(公告)号：CN114975687A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210589010.8
申请日：2022-05-26
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/072
摘要： 本发明公开了一种基于理想肖特基接触的二维光伏器件及其制备方法，属于二维光伏器件制备领域，自上至下垂直堆叠金属顶电极、光敏二维半导体和二维材料底电极，且金属顶电极与光敏二维半导体之间通过范德华接触形成理想肖特基接触；基于该理想肖特基接触的金属‑半导体界面无界面缺陷态和费米钉扎，使所制备的二维光伏器件具有理想的势垒高度和耗尽区宽度，保证二维光伏器件具有理想的整流特性和光伏性能；结合垂直沟道二极管器件结构，具有较短的载流子传输距离和较大的有效光吸收面积，能实现更好的二维光伏器件性能。本发明解决了现有二维光伏器件具有界面缺陷态和费米钉扎的技术问题。
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公开(公告)号：CN112663144B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202011450588.2
申请日：2020-12-10
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于纳米半导体材料领域，公开了一种二维In2S3/SnS异质结晶体材料的制备方法，该制备方法是先将硫化铟、硫化亚锡和氯化钠混合获得前驱体，然后，将前驱体置于单温区反应炉的中心温区内，在通入载气的条件下，将该反应炉升温至预先设定的目标温度以进行反应，以便利用载气将前驱体受热蒸发产生的气相In2S3和气相SnS带入位于中心温区下游的沉积区，从而在位于下游沉积区中的衬底上沉积形成二维In2S3/SnS异质结晶体材料。本发明通过对制备方法一步法的反应原理、关键反应条件及参数(如，原料的组成，反应温度条件等)进行改进，与现有技术相比能够一步法制得二维面内和/或垂直In2S3/SnS异质结，机理简单，便于调控。
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