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公开(公告)号：CN109275273A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201810803032.3
申请日：2018-07-20
申请人： 南京大学
IPC分类号： H05K3/02
摘要： 本发明公开了一种PTFE基PCB覆铜板的制备方法，主要包括：选取一定浓度的PTFE乳液和FEP乳液按照一定比例均匀混合，将裁剪好的玻纤布放入配制的PTFE和FEP混合乳液中浸泡并烘干若干次，得到半固化片；把半固化片放入高温烘箱里进行高温烘干后放入真空热压机加上铜箔进行真空热压，制备成覆铜板。本发明制作的PTFE基覆铜板具有低的介电常数、介电损耗和低的膨胀系数。由于在PTFE乳液中加入了适量FEP乳液，明显增加了半固化片与铜箔之间的附着强度，为5G时代对高频覆铜板的高性能要求打下基础。
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公开(公告)号：CN108688278A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810320765.1
申请日：2018-04-11
申请人： 南京大学
CPC分类号： B32B27/322 , B32B15/20 , B32B33/00 , B32B37/06 , B32B37/1018 , B32B2457/08 , C23C14/205 , C23C14/35
摘要： 本发明涉及一种PTFE基PCB覆铜板及制备方法，包括PTFE基半固化片、缓冲层和铜板，铜板与铜板之间均设有PTFE基半固化片，且PTFE基半固化片的表面均设有缓冲层与铜板接触，起码设有上下两层铜板与夹在铜板间的PTFE基半固化片及缓冲层对齐压合连接。通过施加缓冲层对PTFE基PCB覆铜板进行压合得到PTFE基PCB板材的铜板在半固化片上附着更牢固，对5G时代高频PCB覆铜板的应用具有重要作用。
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公开(公告)号：CN106596990B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201611096440.7
申请日：2016-12-02
申请人： 南京大学
摘要： 本发明公开了超高真空样品输运系统，包括超高真空样品输运小车和串联的超高真空样品室，串联的超高真空样品室之间设有闸板阀片，超高真空样品室铺设轨道；且所述的超高真空样品输运小车主要由2个超高真空样品存储台，超高真空样品存储台顶端均设有固定在样品存储台的永磁铁，设有隔磁金属板隔离在2个超高真空样品存储台之间，超高真空样品输运小车下部设有4‑6个独特的小车导向轮，且小车导向轮在所述轨道上运行，串联的超高真空样品室外表面设有驱动磁铁。实现在超高真空传送系统内同时完成16块样品的输运。
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公开(公告)号：CN108063364A
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201810012159.3
申请日：2018-01-05
申请人： 南京大学
摘要： 本发明公开了一种基于砷化镉可饱和吸收材料的半导体外腔锁模激光器。依次由可连续、直接工作于中红外波段的半导体激光器、砷化镉薄膜、衍射光栅、透镜和反射镜构成；其中半导体激光器经透镜准直、衍射光栅衍射最终聚焦在砷化镉薄膜与反射镜构成的物理组合结构上，形成锁模脉冲；用于实现锁模脉冲输出的砷化镉薄膜厚度控制在30nm‑1μm，该可饱和吸收体工作波长覆盖2‑6微米的红外区域。本发明可以在中红外波段直接实现超快、高稳定、波长可调谐的锁模脉冲输出。
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公开(公告)号：CN108039636A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711317260.1
申请日：2017-12-12
申请人： 南京大学
CPC分类号： H01S3/06716 , H01S3/06712 , H01S3/1083 , H01S3/1115 , H01S3/1616
摘要： 本发明公开了一种基于2μm超短脉冲激光泵浦的中红外光纤光参量振荡器，包括被动锁模的2μm可调谐超短脉冲激光源和以硫系光纤作为非线性介质的光纤光参量振荡器谐振腔；所述的2μm可调谐超短脉冲激光源和光纤光参量振荡器谐振腔相连，通过调谐泵浦光波长或谐振腔长度，均可实现中红外激光宽带可调谐输出。本发明结构简单，可靠性高，具有广泛的应用前景和巨大的发展潜力。
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公开(公告)号：CN106772733A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611214747.2
申请日：2016-12-26
申请人： 南京大学
CPC分类号： G02B5/1814 , G02B5/1857 , G02B5/1861 , H01S3/106
摘要： 一种三维狄拉克半金属衍射光栅，使用零带隙、线性能量色散关系的三维狄拉克半金属材料作为衍射光栅刻线材料，该光栅工作波长覆盖2‑6微米的红外区域，多种非线性光学参数可调控；器件包括由三维狄拉克半金属材料构成的衍射光栅功能层和承载该功能层所需的光学元件。所述的三维狄拉克半金属衍射光栅具有高反射率型和低反射率型两种模式一种基于三维狄拉克半金属的衍射光栅器件。本发明还提供了利用该三维狄拉克半金属衍射光栅的可饱和吸收(或超快光学开关)特性产生波长可调谐红外脉冲激光器的具体方案。
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公开(公告)号：CN206692720U
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201720229355.7
申请日：2017-03-10
申请人： 南京大学
摘要： 超高真空系统中的电子束蒸发源，包括棒状金属源材料即金属源棒、正高压电源、遮板(8)和生长速率计(9)的组合体、离子收集片(7)、灯丝(5)、定位孔柱(4)、金属源棒(3)外围为冷却水罩(6)，灯丝支架的金属柱(1)以及线性驱动器(2)，正高压电源施加金属源棒正高压，阴极灯丝发射的热电子；金属源棒被热电子轰击加热到足够高的温度后以非常低的速率发射出金属源原子束成为蒸发源，蒸发源上设有一个遮板(8)，在停止蒸发的时候遮挡蒸发束，遮板上设有一个同心孔，在遮板打开薄膜生长的时候让蒸发束通过；定位孔柱来活络限定源棒在轴向的进动，并使源棒在调整位置的时候也始终在蒸发源竖直中心上，蒸发源发射路径上有一个离子收集片。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206573468U
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201720005827.0
申请日：2017-01-04
申请人： 南京大学
摘要： 集成生长与测量的分子束外延生长系统，包括分子束外延生长腔室、样品操纵杆、可倾斜的样品台、入射光、反射光、一对电磁铁、偏振片、检偏器、激光二极管、光电探测器、分子束外延的生长源；分子束外延生长腔室上设有一对视窗，这对视窗是分子束外延生长系统上激光入射光和出射光的高透明、对光低散射的视窗；原位磁光表征系统安装在分子束外延生长系统的腔室上；原位磁光表征系统包含产生S型线偏振光的激光二极管、调节线偏振光的起偏偏振片；所述起偏偏振片产生激光入射光射至样品表面，所述检偏器对出射光检偏；原位磁光表征系统包含光电探测器，探测器将出射光的信号输入到锁相放大器；样品台侧设有电磁铁。样品操纵杆与可倾斜的样品台固定。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208572570U
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201820853095.5
申请日：2018-06-04
申请人： 南京大学
IPC分类号： H05K3/02 , C01B32/186
摘要： 本实用新型公开了石墨烯改性的PTFE基PCB覆铜板，包括PTFE基半固化片、铜箔；PTFE基半固化片、铜箔之间设有一层化学气相沉积石墨烯；其中石墨烯改性的PTFE基半固化片是通过化学气相沉积的方法将石墨烯生长到PTFE基半固化片的表面。然后通过热压方法将铜箔附于半固化片两侧。由于半固化片与铜箔之间存在石墨烯，因此使覆铜板的热学、电学和机械性能大大提高。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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