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公开(公告)号：CN108688278A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810320765.1
申请日：2018-04-11
申请人： 南京大学
CPC分类号： B32B27/322 , B32B15/20 , B32B33/00 , B32B37/06 , B32B37/1018 , B32B2457/08 , C23C14/205 , C23C14/35
摘要： 本发明涉及一种PTFE基PCB覆铜板及制备方法，包括PTFE基半固化片、缓冲层和铜板，铜板与铜板之间均设有PTFE基半固化片，且PTFE基半固化片的表面均设有缓冲层与铜板接触，起码设有上下两层铜板与夹在铜板间的PTFE基半固化片及缓冲层对齐压合连接。通过施加缓冲层对PTFE基PCB覆铜板进行压合得到PTFE基PCB板材的铜板在半固化片上附着更牢固，对5G时代高频PCB覆铜板的应用具有重要作用。
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公开(公告)号：CN108839407A
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201810563709.0
申请日：2018-06-04
申请人： 南京大学
IPC分类号： B32B15/092 , B32B15/14 , B32B17/02 , B32B17/06 , B32B27/04 , B32B27/18 , B32B27/38 , B32B33/00 , B32B9/00 , B32B9/04 , C08L63/00 , C08J5/24 , C08G59/68 , C08G59/50 , C23C16/26
摘要： 本发明公开了石墨烯基PCB覆铜板，包括覆铜板半固化片、铜箔3；半固化片1、铜箔之间设有一层化学气相沉积石墨烯。或半固化片的两面皆为一层化学气相沉积石墨烯，石墨烯的外面为铜箔。在半固化片两面沉积石墨烯。然后在通过热压方法将铜箔附于半固化片中。通过此方法制备的PCB覆铜板，由于半固化片与铜箔之间存在石墨烯，因此使覆铜板的热学、电学和机械性能大大提高。
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公开(公告)号：CN108822493A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810503288.2
申请日：2018-05-23
申请人： 南京大学
摘要： 本发明公开了一种纳米陶瓷填充PCB覆铜板半固化片的制备方法，包括：先将一定比例的固化剂、促进剂和溶剂搅拌均匀得到透明溶液，然后在加入一定比例的树脂，搅拌一段时间后，使得树脂完全溶解；加入粒径为1-10纳米的SiO2、MgO、Al2O3和CaO陶瓷粉体混合物，然后进行高速搅拌，从而使纳米陶瓷在环氧树脂中分布均匀；最后再通过玻纤布沉浸上胶、烘干等步骤，制备PTFE基的PCB覆铜板半固化片。本发明通过在环氧树脂中加入一定比例的纳米陶瓷粉体，并使陶瓷颗粒与环氧树脂混合均匀，大大提高覆铜板半固化片的均一性及热性能，对5G时代高频PCB覆铜板的应用具有重要作用。
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公开(公告)号：CN108659461A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810340380.1
申请日：2018-04-17
申请人： 南京大学
摘要： 本发明公开了一种PTFE基PCB覆铜板半固化片的制备方法，包括：先将一定比例的固化剂、促进剂和溶剂搅拌均匀得到透明溶液，然后在加入一定比例的树脂，搅拌一段时间后，使得树脂完全溶解；而后再加入一定量的PTFE纳米粉体及丙酮，并在一定转速下搅拌，直至PTFE纳米粉体均匀分散；最后再通过玻纤布沉浸上胶、烘干等步骤，制备PTFE基的PCB覆铜板半固化片。本发明通过PTFE纳米粉体与环氧树脂混合得到PCB基覆铜板半固化片，由于PTFE粉体的加入，使覆铜板半固化片的介电性能大大提高，对5G时代高频PCB覆铜板的应用具有重要作用。
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公开(公告)号：CN108859326B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201810578705.X
申请日：2018-06-07
申请人： 南京大学
摘要： 本发明公开了一种PTFE基PCB覆铜板的覆铜方法，包括：首先在半固化片上下两面分别平铺上FEP或PFA薄膜，再放置于上铜板和下铜板之间对齐连接，再将相同尺寸大小的两片铜箔置于上下两个薄膜表面的最外层；然后放置于热压机中，以适当的温度、压力和时间压合各层形成覆铜板，使板材之间结合紧密。本发明通过一片半固化片、两片FEP或PFA薄膜和两片铜箔的叠放、热压处理，得到铜片与半固化片附着强度明显提升的PTFE基PCB覆铜板，为5G时代对高频覆铜板的高性能要求打下基础。
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公开(公告)号：CN108822493B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201810503288.2
申请日：2018-05-23
申请人： 南京大学
摘要： 本发明公开了一种纳米陶瓷填充PCB覆铜板半固化片的制备方法，包括：先将一定比例的固化剂、促进剂和溶剂搅拌均匀得到透明溶液，然后在加入一定比例的树脂，搅拌一段时间后，使得树脂完全溶解；加入粒径为1‑10纳米的SiO2、MgO、Al2O3和CaO陶瓷粉体混合物，然后进行高速搅拌，从而使纳米陶瓷在环氧树脂中分布均匀；最后再通过玻纤布沉浸上胶、烘干等步骤，制备PTFE基的PCB覆铜板半固化片。本发明通过在环氧树脂中加入一定比例的纳米陶瓷粉体，并使陶瓷颗粒与环氧树脂混合均匀，大大提高覆铜板半固化片的均一性及热性能，对5G时代高频PCB覆铜板的应用具有重要作用。
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公开(公告)号：CN108859326A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810578705.X
申请日：2018-06-07
申请人： 南京大学
CPC分类号： B32B5/02 , B32B15/20 , B32B27/12 , B32B27/30 , B32B27/308 , B32B27/322 , B32B37/06 , B32B37/1009 , B32B2260/021 , B32B2260/046 , B32B2262/101
摘要： 本发明公开了一种PTFE基PCB覆铜板的覆铜方法，包括：首先在半固化片上下两面分别平铺上FEP或PFA薄膜，再放置于上铜板和下铜板之间对齐连接，再将相同尺寸大小的两片铜箔置于上下两个薄膜表面的最外层；然后放置于热压机中，以适当的温度、压力和时间压合各层形成覆铜板，使板材之间结合紧密。本发明通过一片半固化片、两片FEP或PFA薄膜和两片铜箔的叠放、热压处理，得到铜片与半固化片附着强度明显提升的PTFE基PCB覆铜板，为5G时代对高频覆铜板的高性能要求打下基础。
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公开(公告)号：CN108341662A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810340446.7
申请日：2018-04-17
申请人： 南京大学
IPC分类号： C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要： 本发明公开了一种低介电常数低损耗高频陶瓷基板材料的制备方法，包括如下步骤：根据比例配置好原料，然后加入酒精进行球磨混料；将球磨后的浆液放入烘箱中进行烘干；烘干研磨后的粉料加入固化剂继续进行研磨，充分混合并磨碎磨细，干压成型得到生坯；将生坯放入炉子里面烧结得到氧化铝陶瓷板材料。本发明加入钴元素来降低介电常数，制作工艺简单，成本低，操作周期短，无毒无害无污染，且制作出来的陶瓷电路板经过SEM测试，致密性能好，通过矢量网络分析仪测试介电性能和低损耗都能满足5G情况下的频率要求，是理想的高频电路板基板材料。
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公开(公告)号：CN208290657U
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201820507664.0
申请日：2018-04-11
申请人： 南京大学
摘要： 本实用新型涉及一种PTFE基PCB覆铜板，包括PTFE基半固化片、缓冲层和铜板，铜板与铜板之间均设有PTFE基半固化片，且PTFE基半固化片的表面均设有缓冲层与铜板接触，起码设有上下两层铜板与夹在铜板间的PTFE基半固化片及缓冲层对齐压合连接。通过施加缓冲层对PTFE基PCB覆铜板进行压合得到PTFE基PCB板材的铜板在半固化片上附着更牢固，对5G时代高频PCB覆铜板的应用具有重要作用。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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