-
公开(公告)号：CN109918857A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910316477.3
申请日：2019-04-19
Applicant: 南京大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种GaN HEMT器件适用的高频动态损耗的非线性分段时序模型建立方法。根据器件开关过程中不同时段电学参数状态，具体分为开通、关断、开启变换和关断变换四个阶段计算损耗。建模过程中，考虑了器件特有的高频工作下动态阻抗增大的问题，并通过搭建电路，实现器件高频工作时影响动态导通阻抗变化的参数准确提取；建模过程中，本发明采用栅电荷替代器件输出电容直接计算损耗的方法，避免了电容容值随电压变化造成的复杂、不精确计算。此外，发明首次通过在器件外部的漏极和源极之间并联外部电容，来比较器件漏极电流与实际沟道电流的差异，分析差异产生的具体来源和对开关损耗的真实影响，以此实现了模型的损耗计算的修正。
-
公开(公告)号：CN109037291A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810863787.2
申请日：2018-08-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于III‑氮化物/有机半导体混合杂化结构的全色型Micro‑LED阵列显示及白光器件，其混合了无机与有机发光二极管器件来获得高效率、超高分辨率且主动式的Micro‑LED显示和照明光源。在具有p‑n结构的InxGa1‑xN/氮化镓量子阱蓝光LED外延片的N型氮化镓层上分别蒸镀红光、绿光或者黄光有机材料，依次包括电子传输层、发光层、激子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层；在蒸镀其中一组材料时，利用遮挡掩膜将其他像素遮蔽。此技术结合了有机半导体材料和无机半导体材料，能够实现高效率、宽色域、功耗低、响应时间快的新型无机/有机半导体混合结构Micro‑LED器件阵列。
-
公开(公告)号：CN108878469A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810725971.0
申请日：2018-07-04
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于III族氮化物半导体/量子点的混合型RGB微米孔LED阵列器件，设有贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的相互隔离的阵列式正方形台面结构，正方形台面上刻蚀形成微米孔；所述正方形台面结构每2*2个构成一个RGB像素单元，每个RGB像素单元的四个微米孔中，一个填充有红光量子点，另一个填充有绿光量子点。并公开其制备方法。本发明的微米孔LED阵列器件，反向漏电流低至10‑10A量级，并通过喷墨打印技术将II‑VI族核壳结构CdSe/ZnS的红光量子点、绿光量子点填充至微米孔内，红光量子点经蓝光Micro‑LED激发发红光，绿光量子点经蓝光Micro‑LED激发发绿光，实现了每个RGB像素单元的三色显示。
-
公开(公告)号：CN106129204B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201610627269.1
申请日：2016-08-02
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种表面等离激元增强InGaN/GaN偏振出光LED，其结构从下至上依次为：基底层、n型GaN层、InxGa1‑xN/GaN多量子阱有源层、p型GaN层，其特征在于：所述p型GaN层被刻蚀成光栅结构，成为p型GaN光栅层，p型GaN光栅层上设有纳米双层金属光栅层。并公开了其制备方法。本发明通过在LED上布置复合光栅，包括p型GaN光栅和双层金属光栅，在p型GaN光栅和双层金属光栅之间会产生表面等离激元共振作用，直接加快复合过程，提高LED的内量子效率，从而从发光有源层直接发射强烈的偏振光。与传统的亚波长金属光栅只能实现偏振相比，本发明可以同时实现LED的发光效率增强和偏振出光，并且可以独立于材料生长过程。
-
公开(公告)号：CN104897598B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201510328828.4
申请日：2015-06-15
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/33
Abstract: 本发明公开了水质COD的光谱测量装置，流通池固定在遮光箱中，至少两面透光，光源固定在遮光箱内表面，探测器固定在光源垂直正下方的遮光箱内表面；第一、二样品池设置于遮光箱外，第一水管连通流通池和待测水样，第二水管连通流通池和第一样品池，第三水管连通流通池和第二样品池，第四水管连接流通池底部出水口和遮光箱外界，其上设有蠕动泵，第五水管连接流通池顶部和遮光箱外界，所述单片机用于控制所有装置。并公开了使用该装置来测量水质COD的光谱测量方法。本发明可以快速准确的测量水质COD，且可以循环自动在线测量，吸收光谱比一般方法中直接测量蒸馏水配制的硝酸盐溶液、阴离子表面活性剂光谱更加接近实际水样情况。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105050245B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201510331085.6
申请日：2015-06-15
Applicant: 南京大学
IPC: H04B10/116 , H04B10/50 , H05B37/02
Abstract: 本发明公开了一种高速LED光通信调制器，包括控制单元和可变供电单元，所述可变供电单元为可正负方向切换的能量供应单元；控制单元产生开关和时序控制信号，以驱动可变供电单元为LED供电；时序控制信号用于通过时序控制来降低能带弯曲，以提高载流子辐射复合；当可变供电单元正向供电时，LED开通，同时使载流子过注入；当可变供电单元反向供电时，LED关断，同时使载流子反向注入。还包括用于进一步加速关断的泄放通路。本发明通过控制对开通时的载流子过注入以及关断时的载流子反向注入，提高了载流子的复合速率，使得开关速度大幅度提高；通过辅助的泄放通路进一步加速关断；通过时序控制降低能带弯曲，提高载流子辐射复合。
-
公开(公告)号：CN106785913A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710005563.3
申请日：2017-01-04
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01S5/34333 , H01S5/3013
Abstract: 本发明公开了一种GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器，由基片和InGaN/GaN量子阱纳米柱组成，基片结构依次包括：SiO2‑Si衬底、金属层、超薄氧化物层；所述InGaN/GaN量子阱纳米柱放置于超薄氧化物层表面，其结构依次包括：蓝宝石衬底层、n型GaN层、InxGa1‑xN/GaN量子阱有源层和p型GaN层。并公开了其制备方法。该激光器结构具有以下优点：(1)具有很小的光模体积，能够突破光的衍射极限，实现亚微米尺寸激光器；(2)具有极低的激射阈值，MUTOS激光结构能够在0.15kW/cm2的光泵下产生激射；(3)能够对激光的模式进行调控，实现单模和多模激光发射。本发明的激光器结构在超高分辨智能显示，复杂生物成像，硅基集成电路与光电子器件光电互联方面都有潜在应用价值。
-
公开(公告)号：CN105261668B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201510816440.9
申请日：2015-11-23
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种异质结倍增层增强型AlGaN日盲雪崩光电二极管，其结构从下至上依次为：AlN模板层、AlxGa1-xN缓冲层、n型AlxGa1-xN层、i型AlyGa1-yN吸收层、n型AlyGa1-yN分离层、i型AlyGa1-yN倍增层、i型AlzGa1-zN倍增层、p型AlzGa1-zN层、p型GaN层，在n型AlxGa1-xN层上引出n型欧姆电极，在p型GaN层上引出p型欧姆电极，所述x、y、z满足0.2≤z＜y＜x，且y≥z+0.2。还公开了其制备方法。本发明设计的SAM结构异质结倍增层增强型AlGaN日盲雪崩光电二极管，可明显提高空穴的离化率、降低电子的碰撞离化、降低APD雪崩击穿时的器件噪声，有助于提高APD器件的整体性能。
-
公开(公告)号：CN104540265B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410676425.4
申请日：2014-11-21
Applicant: 南京大学
IPC: H05B37/02
Abstract: 本发明公开了一种低成本全方位全兼容驱动装置，电压监测单元用于检测开关K103上端电压并输送给高频恒流控制IC；高频恒流控制IC根据电压监测单元输出的电压值和检测到的开关K103的电流值判断是否使K103进入高频BUCK PWM或者进入限流运行模式；电流限制恒流单元用于通过监测电阻R的峰值电流并且通过开关K103进入限流恒流的模式；智能控制单元：通过电压监测单元、电阻R上电流及电流限制恒流单元提供的信号通过delta时延法实现对K101的时序控制。本发明能够在既不损坏灯管，亦不损坏镇流器的情况下兼容既实现电感式、耦合电子式、普通电子式、预热电子式等四类型的兼容以及对市电直接输入的全兼容。
-
公开(公告)号：CN104470091B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410677579.5
申请日：2014-11-21
Applicant: 南京大学
IPC: H05B37/02
Abstract: 本发明公开了一种低功率电流自锁LED控制器，包括整流桥、电阻、电容C1、二极管、三极管、恒流控制单元、电压采样单元、电压偏置单元、开关和LED灯串；电压采样单元的输入端与整流桥的输出端连接，电压采样单元采样输入电压，开关K 101根据电压采样单元的输出进行导通和断开的动作；开关K102根据电阻R4上的电压值和电压采样单元的输出进行导通和断开的动作。本发明具有自动自锁功能；LED灯珠能够始终工作，利用率高；电容储能供电，无纹波、无闪烁；电容承载额外的电压，进一步降低功耗；电流+电压法的逻辑判断法，使自适应输入电压变化，效率高，适应输入电压一定范围的变化；可集成化大大降低尺寸和成本。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
145
records
(took 0.024 seconds)
