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公开(公告)号：CN1794476A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510030868.7
申请日：2005-10-27
申请人： 南昌大学
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L33/641
摘要： 本发明公开了一种含有金属铬基板的铟镓铝氮半导体发光元件及其制造方法，该半导体发光元件包含：一个含铬的支撑基板，层叠于支撑基板之上的第一欧姆电极，层叠于第一欧姆电极之上的铟镓铝氮(InxGayAl1－x－yN，0＜＝x＜＝1，0＜＝y＜＝1)半导体叠层，层叠于铟镓铝氮半导体叠层之上的第二欧姆电极。制造上述发光元件的方法，包括以下步骤：在硅衬底上形成铟镓铝氮(InxGayAl1－x－yN，0＜＝x＜＝1，0＜＝y＜＝1)半导体叠层，在铟镓铝氮半导体叠层上形成第一欧姆电极，在第一欧姆电极上形成铬支撑基板，把硅衬底去除，在铟镓铝氮半导体叠层上形成第二欧姆电极。该发光元件具有成本较低、发光效率高、散热特性好等优点。
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公开(公告)号：CN1563483A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN200410017471.X
申请日：2004-04-01
申请人： 南昌大学
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/18
摘要： 本发明公开了一种用于金属有机化学气相沉积设备的双层进气喷头，包括封闭形的外壳体，在外壳体内有上进气腔和下进气腔，在上中层板与底板之间安装有与上进气腔和反应室连通的上出气管，在下中层板与底板之间安装有与下进气腔和反应室连通的下出气管，特征是下出气管的直径大于上出气管的直径，且上出气管放置于下出气管中。本发明还设计有冷却腔。第一路反应气体和第二路反应气体分别由上出气管、下出气管进入反应室，到达衬底表面。因此本发明具有能够将不同反应气体分别送入反应室、使反应气体充分混合均匀、减小预反应、制造成品率高的优点。
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公开(公告)号：CN112047297B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202010913805.0
申请日：2020-09-03
申请人： 南昌大学
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明提供了一种可定位温控的微区加热阵列及其选择性转移半导体微纳集成元件的使用方法，包括微区加热阵列和程序控制系统，所述的微区加热阵列包括：电极层I、电极层II、n个微区加热单元，n≧64，其中，电极层I包括了n个电极I的阵列和引线I部分，电极层II包括了n个电极II的阵列和引线II部分。本发明提供的一种可定位温控的微区加热阵列，可以对阵列中指定位置进行温度控制；所述的可定位温控的微区加热阵列同时具备独立的温控驱动功能和独立的半导体微纳集成元件驱动功能；可选择性转移半导体微纳集成元件，解决了大批量、有选择性的转移、去除、焊接、和修补半导体元件的问题；有利于提高生产良率和后期维护的工作。
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公开(公告)号：CN110246831A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910433150.4
申请日：2019-05-23
申请人： 南昌大学
IPC分类号： H01L23/60 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L33/32
摘要： 本发明公开了一种具有抗静电层的III族氮化物半导体外延结构，依次包括：III族氮化物半导体外延结构前端部分、AlxGa(1-x)N抗静电层和III族氮化物半导体外延结构后续部分，III族氮化物半导体外延结构前端部分内的穿透位错线位置处形成由平面和倒六角锥状坑组成的倒六角锥结构，AlxGa(1-x)N抗静电层形成于所述倒六角锥结构之上。AlxGa(1-x)N抗静电层在倒六角锥状坑侧壁的厚度显著大于其在平面上的厚度，且在倒六角锥状坑锥底位置填充了AlxGa(1-x)N并形成一个平台，使得穿透位错线在倒六角锥状坑底部附近形成远高于倒六角锥结构平面位置的电阻，从而大幅提升III族氮化物半导体外延结构的抗静电性能，使之接近无穿透位错的III族氮化物应有的高抗静电能力。
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公开(公告)号：CN109360880A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811234462.4
申请日：2018-10-23
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于N面出光AlGaInP LED薄膜芯片的外延材料，自下而上依次包括N型GaAs衬底、N型GaAs缓冲层、第一腐蚀阻挡层、第二腐蚀阻挡层、第一N型粗化层、第二N型粗化层、N型限制层、N侧空间层、多量子阱发光区、P侧空间层、P型限制层、P型电流扩展层、P型欧姆接触层。本发明还公开了一种用于N面出光AlGaInP LED薄膜芯片的外延材料的制备方法。通过本发明可直接在第一N型粗化层上制备N电极，消除了欧姆接触层的光吸收问题，还可提高N电极的粘附性，简化N面出光AlGaInP LED薄膜芯片制备工艺，有效提高芯片指标并降低成本。
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公开(公告)号：CN108933187A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810947645.4
申请日：2018-08-22
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光面为特定平面几何图形的LED芯片，所述LED芯片包括基板层，基板层从下至上依次包括接触层、基板反面保护层、支撑基板、基板正面保护层、键合层；基板层的上面从下至上依次设有粘结保护层、反射金属接触层，在反射金属接触层的上面设有图形化外延层；图形化外延层从下至上依次包括：互补结构层、p型层、发光层、n型层；在图形化外延层上面设有第一钝化层、N电极和第二钝化层；所述的图形化外延层形状为特定平面几何图形。本发明还提出了一种发光面为特定平面几何图形的LED芯片制备方法。本发明能够节省LED封装制造端的设计制造环节和批量生产的成本，而又不增加LED芯片制造成本。
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公开(公告)号：CN108461597A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810107474.4
申请日：2018-02-02
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC分类号： H01L33/40
CPC分类号： H01L33/40
摘要： 本发明提供了一种发光二极管电极装置，该发光二极管电极装置包括N电极、N型半导体导电层、发光层、P型半导体导电层和P电极；N电极、N型半导体导电层、发光层、P型半导体导电层和P电极依次接触；其中N电极包括N电极电流扩展层和N电极欧姆接触金属层，N电极电流扩展层与N型半导体导电层直接接触；其中P电极包括P电极电流扩展层和P电极欧姆接触金属层，P电极电流扩展层与P型半导体导电层直接接触。本发明有利于提高器件的电光转换效率，方法简单，制造成本低。
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公开(公告)号：CN108389894A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810270885.5
申请日：2018-03-29
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/778
CPC分类号： H01L29/06 , H01L29/778
摘要： 本发明提供了一种高电子迁移率晶体管外延结构，包括硅衬底，在硅衬底上依次设有缓冲层、位错锐减结构、高阻层、沟道层、势垒层和盖层，所述位错锐减结构包括AlN应力层、GaN三维层和GaN合并层，所述GaN三维层为利用晶格常数差异在所述AlN应力层上形成的，所述GaN合并层为利用所述GaN三维层的侧向外延形成的。本发明在缓冲层和GaN高阻层之间引入一层位错锐减结构，即利用AlN与GaN之间的晶格常数差异形成的应力，在AlN应力层上直接生长GaN三维层，然后通过采用侧向外延技术在GaN三维层上形成GaN合并层，这样就无需二次外延，结构简单且实用性高，同时可以大幅地降低HEMT材料中的位错密度，提高晶体质量，从而提升HEMT器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性。
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公开(公告)号：CN108305920A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810193977.8
申请日：2018-03-09
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/145 , H01L33/32
摘要： 本发明提供了一种氮化物发光二极管，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有N型层、准备层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、第三量子阱层、P型电子阻挡层和P型层，在所述第一多量子阱层、第二多量子阱层、第三量子阱层、P型电子阻挡层处还设有倒六角锥结构，所述第一多量子阱层是由InxGa(1-x)N量子阱、GaN势垒、AlyGa(1-y)N势垒和GaN势垒依次组成的周期结构。本发明可有效调控空穴在多量子阱中分布、使空穴和电子更为有效地分布到部分量子阱中、从而改善空穴和电子的匹配度、提升发光效率。
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公开(公告)号：CN107675141A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201711006984.4
申请日：2017-10-25
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC分类号： C23C16/34
CPC分类号： C23C16/303
摘要： 本发明公开了一种用于制备氮化物材料的装置，包括腔体、气体离化器、金属源产生装置、真空系统、样品台、腔体加热装置、真空计、温度计和膜厚仪和控制系统，其中：腔体由相互分离且能合为一体的上腔体与下腔体组成，金属源产生装置包括坩埚、线圈和金属保护装置，金属保护装置由坩埚底座和阻挡盖构成，真空系统包括干泵、分子泵和低温泵，样品台包括载片架、衬底冷却装置和样品台旋转装置，传动装置、气体离化器、真空泵系统、真空计等分别通过导线与控制系统连接。本发明制备氮化物的方式为阴离子阳离子逐层堆积模式，具有较好的材料质量和较快的氮化物制备速率。本发明具有能耗低、材料质量高、碳污染低、无组分偏析以及产能大等诸多优点。
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