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公开(公告)号：CN113113382B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202110060927.4
申请日：2021-01-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/50 , H01L23/538 , H01L21/50
Abstract: 在实施例中，一种结构包括：芯衬底；耦合的再分布结构，该再分布结构包括多个再分布层，该多个再分布层包括介电层和金属化层，该再分布结构还包括嵌入在多个再分布层的第一再分布层中的第一局部互连组件，该第一局部互连组件包括导电连接件，该导电连接件接合至第一再分布层的金属化图案，该第一再分布层的介电层密封第一局部互连组件；耦合至再分布结构的第一集成电路管芯；耦合至再分布结构的第二集成电路管芯，该第一局部互连组件的互连结构将第一集成电路管芯电耦合至第二集成电路管芯；以及耦合至芯衬底的第二侧的一组导电连接件。本申请的实施例还涉及封装结构、封装件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN118737965A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202311372679.2
申请日：2023-10-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/51
Abstract: 公开了互补晶体管的调谐功函数。一种方法包括：形成第一栅极堆叠，包括在第一半导体区域之上形成第一界面层，其中，第一界面层具有第一厚度；以及在第一界面层之上形成第一高k电介质层，其中，第一高k电介质层具有第二厚度。该方法还包括：形成第二栅极堆叠，包括在第二半导体区域之上形成第二界面层，其中，第二界面层具有第三厚度；以及在第二界面层之上形成第二高k电介质层，其中，第二高k电介质层具有第四厚度。第一界面层和第二界面层的厚度、掺杂剂、和掺杂浓度可以彼此不同。第一高k电介质层和第二高k电介质层的厚度、掺杂剂、和掺杂浓度可以彼此不同。
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公开(公告)号：CN117310898A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311032428.X
申请日：2023-08-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 实施例是封装件，包括：封装衬底；封装组件，接合至封装衬底，封装组件包括：中介层；光学管芯，接合至中介层，光学管芯包括光学耦合器；以及集成电路管芯，接合至与光学管芯相邻的中介层；透镜适配器，用第一光学胶粘合至光学管芯；反射镜，用第二光学胶粘合至透镜适配器，反射镜与光学管芯的光学耦合器对准；以及光纤，位于透镜适配器上，光纤的第一端面向反射镜，光纤配置为使得光学数据路径从光纤的第一端通过反射镜、第二光学胶、透镜适配器和第一光学胶延伸至光学管芯的光学耦合器。本申请的实施例还涉及形成封装件的方法。
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公开(公告)号：CN116779692A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310587633.6
申请日：2023-05-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L31/0203 , H01L31/02
Abstract: 一种形成半导体封装件的方法包括将第一晶圆接合到第二晶圆，其中第一晶圆包括多个电子管芯，第二晶圆包括多个光子封装件；在接合第一晶圆后，在第二晶圆的多个光子管芯的相邻光子管芯之间形成沟槽；用光学胶填充该沟槽。切割第一晶圆和第二晶圆，以形成多个光子封装件，其中多个光子封装件中的光子封装件包括电子管芯、与电子管芯接合的光子管芯、和光学胶，其中光学胶沿着光子封装件的侧壁延伸。本申请的实施例公开了半导体封装件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN116153879A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202210811737.6
申请日：2022-07-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/31 , H01L25/065
Abstract: 器件封装件包括在界面处直接接合至第二管芯的第一管芯，其中，该界面包括金属‑至‑金属接合，以及位于第一管芯上方的散热部件。散热部件包括位于第一管芯上方并且围绕第二管芯的热基底，其中，热基底由金属制成；以及位于热基底上的多个热通孔；以及位于第一管芯上方并且围绕第二管芯、围绕热基底并且围绕多个热通孔的密封剂。本发明的实施例还提供了封装件和形成封装件的方法。
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公开(公告)号：CN116153792A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202210784875.X
申请日：2022-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L21/683
Abstract: 方法包括：形成封装件，封装件包括光学管芯和附接至光学管芯的保护层。光学管芯包括：微透镜，保护层和微透镜位于光学管芯的同一侧上。方法还包括：将封装件密封在密封剂中；平坦化密封剂以露出保护层；以及去除保护层以在密封剂中形成凹槽。光学管芯位于凹槽下面，微透镜面向凹槽。本申请的实施例还涉及封装件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN115588651A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211091480.8
申请日：2019-11-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/56
Abstract: 本发明实施例的半导体封装件包含电路板结构、第一重布线层结构、第二重布线层结构、第一包封体、封装结构、总线管芯以及导电柱。电路板结构包含核心层、第一叠层以及第二叠层。第一重布线层结构在电路板结构上方，第一重布线层结构包括第一介电层。第二重布线层结构在电路板结构上方，第二重布线层结构包括第二介电层。第一包封体位于第一介电层与第二介电层之间。封装组件在第一重布线层结构上方，包括多个封装组件。第一包封体沿着总线管芯的整个侧壁延伸,总线管芯的表面与第一包封体及多个导电柱的上表面共面,总线管芯电连接多个封装组件中的两个或更多个,以及多个封装组件分别通过多个导电柱与第一重布线层结构电连接。
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公开(公告)号：CN115497913A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210067025.8
申请日：2022-01-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/48
Abstract: 一种半导体封装和其制造方法。在一实施例中，结构包括芯衬底、耦合到芯衬底的第一侧的重布线结构、包括多个重布线层的重布线结构，多个重布线层中的每一个包括介电层和金属化层，以及嵌入在多个重布线层的第一重布线层中的第一局部互连组件，第一局部互连组件包括衬底、互连结构和互连结构上的接合垫，第一局部互连组件的接合垫与第二重布线层的金属化层实体接触，第二重布线层与第一重布线层相邻，第二重布线层的金属化层包括第一导通孔，第一重布线层的介电层包封第一局部互连组件。
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公开(公告)号：CN111261530B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN201911203961.1
申请日：2019-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 形成封装件的方法包括在载体上形成再分布结构，将集成无源器件附接至再分布结构的第一侧上，将互连结构附接至再分布结构的第一侧，集成无源器件介于再分布结构和互连结构之间，在互连结构和再分布结构之间沉积底部填充材料，以及将半导体器件附接至与再分布结构的第一侧相对的再分布结构的第二侧。本发明的实施例还涉及封装件。
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公开(公告)号：CN113113382A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110060927.4
申请日：2021-01-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/50 , H01L23/538 , H01L21/50
Abstract: 在实施例中，一种结构包括：芯衬底；耦合的再分布结构，该再分布结构包括多个再分布层，该多个再分布层包括介电层和金属化层，该再分布结构还包括嵌入在多个再分布层的第一再分布层中的第一局部互连组件，该第一局部互连组件包括导电连接件，该导电连接件接合至第一再分布层的金属化图案，该第一再分布层的介电层密封第一局部互连组件；耦合至再分布结构的第一集成电路管芯；耦合至再分布结构的第二集成电路管芯，该第一局部互连组件的互连结构将第一集成电路管芯电耦合至第二集成电路管芯；以及耦合至芯衬底的第二侧的一组导电连接件。本申请的实施例还涉及封装结构、封装件及其形成方法。
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