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公开(公告)号：CN104471690B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201280073426.9
申请日：2012-05-24
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/321 , B23H3/02 , B24B57/02 , C25F3/16
摘要： 揭示了一种用于脉冲电化学抛光晶圆的方法及装置。该方法包括下述步骤：建立占空比表，占空比表揭示了晶圆上所有点、与各点相对应的金属层去除厚度值及与金属层去除厚度值相对应的占空比；驱动夹持并定位晶圆(8)的晶圆夹盘(5)以预设的速度移动，以使得晶圆上一特定点位于向晶圆(8)喷射带电荷的电解液(7)的喷嘴(6)的正上方；查占空比表，获得与该特定点相对应的金属层去除厚度值及占空比；及提供预设的脉冲电源至晶圆(8)及喷嘴(6)，抛光该特定点的实际抛光电源等于与该特定点相对应的占空比乘以预设的脉冲电源。
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公开(公告)号：CN106328570A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201510369511.5
申请日：2015-06-29
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/673 , H01L21/68 , B24B37/04 , B24B37/27
CPC分类号： H01L21/673 , B24B37/04 , B24B37/27 , H01L21/68
摘要： 本发明揭示了一种晶圆载台，包括：承载座，承载座的一面作为支撑面将晶圆托起至水平，支撑面仅支撑晶圆的一部分；限位柱，分布在同一圆周上，圆周的圆心为支撑面的中心，半径为晶圆的半径，且限位柱位于同一水平面上；传感器，在竖直方向上传感器处于支撑面的下方，在水平方向上传感器不超出圆周，传感器向上发射信号，并接收反射回来的信号，信号不被承载座或限位柱所阻挡。本发明所揭示的晶圆载台，能够识别晶圆在晶圆载台上所处的状态，为操作者提供警示，从而避免了晶圆被压碎。
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公开(公告)号：CN106328558A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201510373139.5
申请日：2015-06-30
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67028 , H01L21/67069 , H01L21/6719
摘要： 本发明涉及半导体加工和制造领域。本发明揭示了一种工艺腔室，用于对晶圆进行干法工艺处理，工艺腔室设置有进气喷头和排放口供工艺气体进出，工艺气体由进气喷头引入工艺腔室，再通过排放口排出，工艺腔室还设置有晶圆载盘和承放工位，晶圆载盘上开设有凹陷空间供承放工位嵌入，承放工位固持晶圆且晶圆的上表面低于晶圆载盘的上表面，晶圆载盘的边缘留有豁口，该豁口的位置与承放工位的位置相对应，豁口与凹陷空间相连通以供工艺气体通过；在工艺进行的过程中，进气喷头插入至晶圆载盘内一定深度并贴近晶圆的上表面。半导体行业中的工艺气体非常昂贵，采用本发明的技术方案，能够大幅减少工艺气体的浪费，为厂商减少开支，节约成本。
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公开(公告)号：CN106298581A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510243409.0
申请日：2015-05-13
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67069
摘要： 本发明涉及半导体生产和加工领域。本发明揭示了一种光辐射加热刻蚀装置，通过光辐射对待刻蚀基板进行加热以实施刻蚀工艺，该光辐射加热刻蚀装置设置有刻蚀腔，该光辐射加热刻蚀装置还包括光辐射加热器，刻蚀腔内设置有承载台、冷却系统、进气装置和排放装置，承载台用于放置基板，承载台与冷却系统配合设置以使承载台被冷却系统冷却，进气装置供工艺所需的气体进入刻蚀腔；刻蚀腔与排放装置相连以排出气体；光辐射加热器面向基板并与基板的待刻蚀面相对设置，光辐射加热器照射并加热基板的待刻蚀面。另外，本发明还揭示了一种光辐射加热刻蚀方法。采用本发明提供的技术方案，能够消除传统刻蚀工艺中造成的侧边侵蚀现象，并带来其他有益效果。
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公开(公告)号：CN106272037A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510253083.X
申请日：2015-05-18
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： B24B37/34 , H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/306
CPC分类号： B24B37/34 , H01L21/02057 , H01L21/30625 , H01L21/67023
摘要： 本发明涉及半导体生产和加工领域。本发明揭示了一种化学机械研磨装置，包括研磨部件、夹持部件以及驱动部件，研磨部件与驱动部件相连并通过夹持部件加以固定，研磨部件用于固持晶圆，化学机械研磨装置还包括清洗池以及多个清洗喷嘴，其中部分的清洗喷嘴设置于清洗池内，化学机械研磨装置处于清洗状态时，研磨部件移动至清洗池构成的清洗空间，位于清洗池内的清洗喷嘴指向研磨部件的底面及侧面；另至少有一个清洗喷嘴设置为高于研磨部件的顶面且指向夹持部件，或指向研磨部件的顶面。同时，本发明还揭示了相应的化学机械研磨方法。采用本发明提供的技术方案，能够避免结晶的产生，并提高效率。
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公开(公告)号：CN103114319B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201110365926.7
申请日：2011-11-17
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： C25D5/20 , C25D7/12 , H01L21/768
摘要： 揭示了一种用于以电解液金属化硅片的设备。该设备包括：一个浸入式腔体，盛放金属盐电解液；至少一个电极与至少一个电源相连接；一个导电的硅片固持装置固持至少一片硅片，将其可导电的一面面向至少一个电极，并且经固持装置导电；一个振动驱动装置，以一定振幅与频率，沿轴向振动硅片固持装置；至少一个超声装置放置于金属化设备中，其工作频率与声强强度可控；至少一个超声能量发生器，与超声装置相连；至少一个金属盐电解液供给进口；至少一个金属盐电解液排放出口。本发明同时涉及一种用于半导体硅片上深孔均匀金属互连的方法与装置。
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公开(公告)号：CN105990175A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510081945.5
申请日：2015-02-15
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明揭示了一种半导体刻蚀工艺的终点检测方法，所刻蚀的半导体结构至少包括阻挡层和介质层，选用的刻蚀气体为二氟化氙，其中：在刻蚀工艺结束前，向刻蚀环境中通入HF气体以产生终点标记产物，当监测到终点标记产物生成时，终结刻蚀工艺。采用本发明所提供的技术方案，能够大大提高终点检测的精确度，帮助操作人员及时地终结刻蚀工艺，以改善半导体结构的品质，避免刻蚀不完全或过刻。
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公开(公告)号：CN105990174A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510080885.5
申请日：2015-02-15
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明涉及一种半导体晶圆的测量装置和方法。该测量装置包括，探头、驱动轮和承载架，其中的探头包括电涡流探头，而承载架包括滑轨和旋转环，滑轨的形状与旋转环相匹配；用于测试的晶圆安放在旋转环上，晶圆与旋转环的相对位置被旋转环与所述晶圆的边缘相接触的部分所限定，旋转环带动晶圆在滑轨上转动且在转动过程中晶圆和旋转环无相对滑动，旋转环的转动由驱动轮驱动；电涡流探头分为发射探头和接收探头，发射探头和接收探头在测量晶圆时非接触的分设于晶圆的正反两面，发射探头和接收探头均垂直地指向晶圆所在的平面且二者始终共线，以保证接收探头接收到发射探头产生的激励信号。本发明同时还公开了使用该种测量装置对晶圆进行测量的方法。
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公开(公告)号：CN105990097A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510081997.2
申请日：2015-02-15
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/321
摘要： 本发明提供了一种高K电介质硅晶片的抛光方法，该方法应用于抛光硅晶片的器件结构，包括步骤：收入硅晶片，该硅晶片具有待抛光的器件结构面，其器件结构面至少包括金属层、阻挡层、介质层以及高K电介质；电化学抛光硅晶片的器件结构面，电化学抛光过程结束后，金属层仍有剩余；化学机械研磨器件结构面的剩余金属层，化学机械研磨过程结束后，剩余金属层和阻挡层被去除至露出介质层；清洗硅晶片并取出；其中，在电化学抛光过程中，对器件结构面未施加任何下压力，或者器件结构面所产生的形变应力在0.1psi以下。采用该方法能够对线宽在45nm以下的硅晶片进行抛光，且大大降低了划伤和粉碎硅晶片的风险，提升了良率和产率。
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公开(公告)号：CN105990096A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510081881.9
申请日：2015-02-15
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明揭示了一种半导体结构的清洗方法，所清洗的半导体结构至少裸露出了硅的氧化物表面和硅的氮化物表面，该清洗方法采用干法清洗工艺，通过气相状态的清洗物质对硅的氧化物表面以及硅的氮化物表面进行清洗，其中，清洗物质包括HF气体和醇的气体。在清洗过程中，控制工艺条件使清洗物质对硅的氮化物表面和对硅的氧化物表面的刻蚀速率相等，从而保证了在实现清洗目的的基础上，清洗之后获得的半导体结构还能具有平整的表面。
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