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公开(公告)号：CN101165980A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710181143.7
申请日：2007-10-12
申请人： 夏普株式会社
发明人： 竹冈忠士
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/1039 , H01S5/162 , H01S5/221 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/3063 , H01S5/34326 , H01S5/3436
摘要： 本发明涉及在半导体衬底上依次形成下侧包层、活性层、上侧包层的半导体激光器及应用这种半导体激光器的电子设备。本发明的一种实施方式的半导体激光器，在半导体衬底上依次形成有第一导电型的下侧包层、包含量子阱层的活性层及第二导电型的上侧包层。所述下侧包层的掺杂剂浓度为4.0×1017/cm3以下，谐振器长度为1500μm以上。
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公开(公告)号：CN101141050A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710148293.8
申请日：2007-09-04
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H01S5/4031 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/1039 , H01S5/1064 , H01S5/162 , H01S5/22 , H01S5/4087
摘要： 本发明公开了一种半导体激光装置，目的在于实现在同一衬底上具有多个发光部的半导体激光装置的高拐点电平、低工作电流及低工作电压。半导体激光装置具有各自包括条纹构造的第一发光部及第二发光部。第一发光部的条纹具有宽度沿谐振器方向变化的部分且包括第一前端面，当将第一前端面的宽度设为Wf1、将距第一前端面的距离为L1的位置的宽度设为W1、将距第一前端面的距离为L1+L2的位置的宽度设为W2时，Wf1≥W1、W1＞W2及(Wf1－W1)/2L1＜(W1－W2)/2L2成立。在第二发光部的条纹中，与上述相同的关系成立。
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公开(公告)号：CN1306669C
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200310119695.7
申请日：2003-11-06
申请人： 三菱电机株式会社
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/209 , H01S5/22 , H01S5/2216 , H01S5/34326 , H01S5/3436
摘要： 本发明提供一种可以无障碍地在半导体激光器的上包层上形成条状凸部，而且能够抑制乃至防止向上包层一侧扩展光分布的装置。在半导体激光器中，n-GaAs衬底1的上边，顺序地将n-AlGaInP包层(2)、AlGaInP/GaInPMQW有源层(3)、AlGaInP第1上包层(4)、p-AlxGa1-xAs-ESL5、具备条状凸部(6)的p-AlGaInP第2上包层(7)、以及p-GaAs接触层(8)层叠起来。除p-AlGaInP第2上包层(7)的条状凸部(6)以外的部分，都用绝缘膜(9)覆盖起来。P-AlxGa1-xAs-ESL5的折射率为大约与各包层(2、4、7)的折射率相等。
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公开(公告)号：CN1302589C
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200410094706.5
申请日：2004-11-12
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H01S5/4031 , H01S5/1039 , H01S5/162 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/4087
摘要： 本发明提供一种包含一个衬底(101)和至少两个有源层(103、106)的半导体激光器，其中分别包含所述有源层(103、106)的两个谐振器(201、204)相互平行布置，并且其中在所述谐振器(201、204)中，所述有源层(103、106)的注入电流区具有不同的长度。这样，在本发明所述的双波长激光器中，通过克服由解理确定的对所述谐振器(201、204)的长度限制，能够独立地设计和制造不同特性的诸如红色激光器和红外激光器等多个激光器的有效谐振器长度，采用适于各个理想特性的谐振器长度，并且提供具有改善的激光特性的半导体。
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公开(公告)号：CN1301578C
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200410085120.2
申请日：2004-09-27
申请人： 夏普株式会社
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/162 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3213 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S2301/173 , H01S2301/18
摘要： 本发明提供了一种半导体激光器，包括按照该顺序形成在半导体基底上的一下包层，一具有至少一个量子阱层的有源层，以及一上包层，所述半导体激光器具有一窗口区域，该区域包括一所述有源层中量子阱层和与有源层相邻的层在垂直于半导体基底表面的发光端面附近被混合的部分，其中下包层具有一比上包层高的折射率，并且在垂直于半导体基底表面的方向上，窗口区域中的光强分布要比在增益区域中的光强分布扩展得更宽，同时还提供了制造该半导体激光器的方法。
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公开(公告)号：CN1848567A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200610077820.6
申请日：2003-11-06
申请人： 三菱电机株式会社
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/209 , H01S5/22 , H01S5/2216 , H01S5/34326 , H01S5/3436
摘要： 本发明提供一种可以无障碍地在半导体激光器的上包层上形成条状凸部，而且能够抑制乃至防止向上包层一侧扩展光分布的装置。在半导体激光器中，n－GaAs衬底1的上边，顺序地将n－AlGaInP包层(2)、AlGaInP/GaInPMQW有源层(3)、AlGaInP第1上包层(4)、p－AlxGa1－xAs－ESL5、具备条状凸部(6)的p－AlGaInP第2上包层(7)、以及p－GaAs接触层(8)层叠起来。除p－AlGaInP第2上包层(7)的条状凸部(6)以外的部分，都用绝缘膜(9)覆盖起来。P－AlxGa1－xAs－ESL5的折射率为大约与各包层(2、4、7)的折射率相等。
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公开(公告)号：CN1759509A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200480006569.3
申请日：2004-04-19
申请人： 古河电气工业株式会社 , 三井化学株式会社
IPC分类号： H01S5/16
摘要： 一种半导体元件的制造方法，其制造含有混晶化的区域的半导体元件，其包括：在与窗结构(14)对应的部分形成混晶化促进膜(8)的工序；利用催化剂CVD法在窗结构(14)以外的部分至少形成保护膜(9)的工序；通过热处理对窗结构(14)部分进行混晶化的工序，由此，仅将窗结构等的要局部混晶化的部分混晶化，不影响其它不混晶化的部分，而制造半导体激光元件等半导体元件，制造出高功率、寿命长且可靠性高的半导体元件。
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公开(公告)号：CN1601833A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN200410085120.2
申请日：2004-09-27
申请人： 夏普株式会社
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/162 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3213 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S2301/173 , H01S2301/18
摘要： 本发明提供了一种半导体激光器，包括按照该顺序形成在半导体基底上的一下包层，一具有至少一个量子阱层的有源层，以及一上包层，所述半导体激光器具有一窗口区域，该区域包括一所述有源层中量子阱层和与有源层相邻的层在垂直于半导体基底表面的发光端面附近被混合的部分，其中下包层具有一比上包层高的折射率，并且窗口区域中的光强分布在垂直于半导体基底表面的方向上要比在增益区域中的光强分布扩展得更宽，同时还提供了制造该半导体激光器的方法。
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公开(公告)号：CN1499684A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN200310119695.7
申请日：2003-11-06
申请人： 三菱电机株式会社
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/209 , H01S5/22 , H01S5/2216 , H01S5/34326 , H01S5/3436
摘要： 本发明提供一种可以无障碍地在半导体激光器的上包层上形成条状凸部，而且能够抑制乃至防止向上包层一侧扩展光分布的装置。在半导体激光器中，n－GaAs衬底1的上边，顺序地将n－AlGaInP包层(2)、AlGaInP/GaInPMQW有源层(3)、AlGaInP第1上包层(4)、p－AlxGa1－xAs－ESL5、具备条状凸部(6)的p－AlGaInP第2上包层(7)、以及p－GaAs接触层(8)层叠起来。除p－AlGaInP第2上包层(7)的条状凸部(6)以外的部分，都用绝缘膜(9)覆盖起来。P－AlxGa1－xAs－ESL5的折时率为大约与各包层(2、4、7)的折射率相等。
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