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公开(公告)号：CN109440182B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201811438940.3
申请日：2018-11-28
申请人： 北京工业大学
摘要： 一种还原扩散法制造尺寸可调的单晶钕铁硼颗粒及氢破除钙的方法，属于稀土永磁制造领域。主要包括：在还原扩散反应配料阶段调整Fe/RE比例为(4.0～6.8)，铁粉尺寸50nm～50μm，反应温度控制在900℃～1150℃，保温1～4h。在除钙阶段样品先吸氢后粉化，粉化后样品在无水乙醇中初步磁选除钙，可将大部分氧化钙颗粒除去；初步除钙后的样品将使用冰水再次除钙。通过本发明制造钕铁硼粉末，可获得理想尺寸的Nd2Fe14B单晶颗粒，大幅度提高了除钙效率。本发明在调节颗粒尺寸、获得单晶颗粒、控制粉体氧含量及提升粉体抗腐蚀性等方面具有明显优势，制得的尺寸可调的单晶粉末可实现多元化应用。
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公开(公告)号：CN112301428A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011013341.4
申请日：2020-09-24
申请人： 广东邦普循环科技有限公司 , 湖南邦普循环科技有限公司 , 湖南邦普汽车循环有限公司
摘要： 本发明公开了一种三元单晶正极材料及其制备方法和应用，该制备方法包括以下步骤：将三元多晶微粉混合，升温，进行第一次烧结，降温，得到中间体；将中间体进行气流粉碎，得到单晶材料，水洗，离心，干燥，得到残碱含量低于1500ppm的物料；将包覆剂加入物料中，升温，进行第二次烧结，降温，即得三元单晶正极材料。本发明利用气流粉碎设备将多晶物料打开成单晶小颗粒，提高物料电化学性能，提高材料的能量密度。
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公开(公告)号：CN112226820A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011465381.2
申请日：2020-12-14
申请人： 河南科隆新能源股份有限公司
摘要： 本发明提供一种单晶镍钴锰酸锂前驱体及制备方法，包括配制混合盐溶液、沉淀剂溶液和络合剂溶液，以7‑20L/min流速向反应釜中通氧气和非氧气体积比为1:19‑1:29的混合气体；以60‑120ml/min流速加混合盐溶液、氢氧化钠溶液和氨水溶液反应；保持pH值10.0‑11.0、30‑60℃、100‑500rpm的搅拌转速；得一次颗粒片层厚度100‑200nm、粒径D503.0‑4.0µm、粒度分布（D90‑D1）0/D50≤0.8的单晶镍钴锰酸锂前驱体。本发明所制前驱体二次颗粒粒径D50为3.0‑4.0µm、粒度分布不大于0.8。该前驱体所制单晶镍钴锰酸锂颗粒粒度分布窄，高低温性能好。
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公开(公告)号：CN112080800A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010917272.3
申请日：2020-09-03
申请人： 宜宾锂宝新材料有限公司
IPC分类号： C30B29/22 , C30B1/10 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/0525
摘要： 本发明公开了一种单晶三元正极材料的改性方法，将含有镍钴锰三元素的前驱体与掺杂剂金属可溶盐混合后加入纯水中搅拌均匀，然后进行喷雾干燥得预处理后的前驱体；将预处理后的前驱体在氧化气氛下进行低温烧结，得低温烧结产物；将低温烧结产物和锂源混合均匀，然后在氧化气氛下进行高温烧结，得掺杂改性的单晶三元正极材料。本发明通过将前驱体和掺杂剂先进行低温预烧，预烧后大部分的掺杂剂以氧化物形态均匀包覆在前驱体表面，再将预烧后的前驱体与锂盐进行高温烧结，防止掺杂剂在三元正极材料表面形成氧化物的包覆层，减小了三元正极材料的内阻，大大提高了锂离子电池的循环稳定性。
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公开(公告)号：CN111945224A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010825649.2
申请日：2020-08-17
申请人： 湖北融通高科先进材料有限公司
摘要： 本发明涉及锂离子电池三元正极材料制备技术领域，公开了一种长循环型523单晶三元材料的制备方法。该方法包括以下步骤：(1)将前驱体(Ni0.5Co0.2Mn0.3)OH、碳酸锂和锆化合物进行配比，干法混料后得到混合料；(2)将混合料置于匣钵中，整平，然后在空气气氛下进行烧结，得到料块，其中，具体烧结过程为：将温度升至795-805℃烧结3-8小时，接着将温度升至958-962℃烧结10-15小时，烧结结束后，增大通气量，自然冷却至100-200℃；(3)将料块依次进行旋轮磨、气流磨、过筛。本发明得到一种循环初期爬坡、循环性能优异的523单晶三元材料，且该方法工艺简单、制备的材料性能稳定。
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公开(公告)号：CN110777435B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201911138479.4
申请日：2019-11-20
申请人： 四川康升晶须科技有限公司
摘要： 本发明提供一种电石渣净化制备死烧型硫酸钙晶须的方法，属于硫酸钙晶须制备技术领域。将电石渣置于煅烧炉中煅烧，煅烧后经消化、磁选、过筛后得到净化后的电石渣，将净化后的电石渣经中和、转晶、过滤、干燥、高温煅烧后得到死烧型硫酸钙晶须。本发明通过煅烧、消化、磁选、过筛等步骤对电石渣进行净化，净化后的电石渣白度大于90，氢氧化钙纯度提高到95％以上，大部分杂质离子以类似琉璃渣的形式排放，净化后的电石渣制备的硫酸钙晶须具有杂质含量低、长径比高、白度好和堆密度小的特点。本发明制备得到的硫酸钙晶须可广泛应用于造纸、涂料、塑料、橡胶、摩擦和其它高分子等行业。
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公开(公告)号：CN111893568A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010721084.3
申请日：2020-07-24
申请人： 燕山大学
摘要： 本发明公开一种高纯NaAlB14晶体的制备方法，属于非金属材料领域，其特征在于：高温高压条件下，以碱金属Na块，金属Al粉和B粉为原料用元素法直接制备NaAlB14晶体。本申请制备NaAlB14晶体的方法与现有技术相比，工艺简单，制备的NaAlB14晶体纯度较高，NaAlB14晶体的熔点高，硬度高，可用作高温半导体材料，高温热电材料以及磨料。
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公开(公告)号：CN111809227A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010526340.3
申请日：2020-06-09
申请人： 四川大学 , 广东正信硬质材料技术研发有限公司
摘要： 本发明提供的制备多孔单晶金刚石的方法，将金刚石晶种作为生长基体，金刚石粉晶和金属触媒粉的混合物包裹金刚石晶种后密封成型，在处于金刚石稳定区的高温高压条件下，金刚石粉晶在熔态触媒环境中通过调整晶向，以金刚石晶种作为基体进行定向附着生长，金属触媒降低晶体生长所需的温度与压力条件，为金刚石粉晶的定向附着提供合适的环境，增加金刚石的生长速率。随着金刚石晶种的生长，由于生长速率快、金刚石粉晶相互之间及与晶种基体附着贴合处存在空隙和其他缺陷，晶种长大后，通过酸洗和振动撞击除去未参与生长的金刚石粉晶与金属触媒即得到多孔单晶金刚石。
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公开(公告)号：CN110578173B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201911021567.6
申请日：2019-10-25
申请人： 河北大学
摘要： 本发明提供了一种非线性光学晶体锶锂硅硫及其制备方法与应用，非线性光学晶体锶锂硅硫的化学式为SrLi2SiS4，分子量为257.83，其为无色透明的非中心对称结构单晶，以[LiS4]、[SiS4]和[SrS8]基团组成结构基元。本发明采用高温固相合成方法合成非线性光学晶体锶锂硅硫，其具有优异的光学性能，红外吸收截止边较长，带隙宽，激光损伤阈值高，非线性光学系数大，作为新型中远红外非线性光学晶体在高功率红外激光系统中具有广泛的潜在应用价值。
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