公开(公告)号：CN206301794U

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201720017369.2

申请日：2017-01-06

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 张敏 ,  杨成绍 ,  黄寅虎 ,  操彬彬 ,  王文龙

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/84

摘要： 本实用新型公开了一种显示基板及显示装置。显示基板包括栅极、位于栅极之上的有源层，以及位于有源层之上的源极、漏极和数据线，其中，源极具有凹形口，漏极与源极相对设置且具有伸入凹形口的条状部，凹形口与条状部的间隙形成U形沟道，数据线搭接于源极远离凹形口的一端。相比现有技术，该方案将数据线搭接于源极远离凹形口的一端，可以使U形沟道底部的透光强度因金属线密度的影响而减弱，达到中和的效果，从而得到较为均一的膜层厚度，进而可以避免沟道短路的现象发生，提高了显示装置的产品品质。

公开(公告)号：CN208908224U

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201821677836.5

申请日：2018-10-16

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 叶成枝 ,  操彬彬 ,  安晖 ,  栗芳芳 ,  李恒滨

IPC分类号： H01L27/12

摘要： 本实用新型公开一种显示基板、显示装置，涉及显示技术领域，为解决现有的显示器件中，膜层的段差较大，容易对显示器件的生产良率造成影响的问题。所述显示基板包括膜层，所述膜层上设置有膜层过孔，所述显示基板还包括：设置在所述膜层过孔的边缘，包围所述膜层过孔的阻挡结构。本实用新型提供的显示基板用于显示。

公开(公告)号：CN103135364A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201310055981.5

申请日：2013-02-21

申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 操彬彬 ,  黄文同 ,  黄寅虎 ,  赵娜

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70616 ,  G03F7/70525 ,  G03F7/70608

摘要： 本发明提供一种光刻工艺参数确定方法及装置，属于液晶显示领域。其中，该光刻工艺参数确定方法包括：在一张基板上形成多个不同膜厚的光刻胶区域；在预设的曝光模式下对所述基板上的光刻胶进行曝光显影，并测量每一光刻胶区域显影图案对应的光刻指标参数；确定所述光刻指标参数为最优时所对应的光刻胶膜厚和曝光模式。本发明的技术方案能够在仅使用一片基板的条件下，获取光刻指标参数最优时所对应的光刻工艺参数，大大减少了光刻胶和基板的使用，节约了测试时间。

公开(公告)号：CN109037240B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201810844123.1

申请日：2018-07-27

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 周斌 ,  操彬彬 ,  闫梁臣 ,  王东方 ,  赵策 ,  丁录科 ,  刘军

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H01L27/32

摘要： 本公开属于显示技术领域，提出一种阵列基板，该阵列基板包括IGZO膜层、栅极层以及栅极绝缘层；栅极层在与IGZO膜层重叠的位置设置断线以形成第一栅线和第二栅线；栅极绝缘层设于IGZO膜层与栅极层之间，其上设置有至少两个通孔，第一栅线与IGZO膜层通过其中一个通孔连接，第二栅线与IGZO膜层通过另一通孔连接；从而将IGZO膜层串连接入栅极层。在完成IGZO膜层的导体化工艺之后，给栅极层通电，能够导通说明IGZO膜层的导体化工艺成功，不能够导通说明IGZO膜层的导体化工艺失败，不需要进行下一步工艺，以节省人力物力。当然，在此步骤中已经检出不合格产品，最后完成所有工序后产品的合格率会得到提升。

公开(公告)号：CN103487999B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201310199377.X

申请日：2013-05-24

申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 徐向阳 ,  邓立赟 ,  金玟秀 ,  操彬彬

IPC分类号： G02F1/1343 ,  G02F1/1333

CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/134345 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/47635 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、制备方法以及显示装置。该阵列基板包括呈网格分布的非像素区以及由所述非像素区包围形成的多个子像素区，所述非像素区内设置有多条交叉设置的扫描线和数据线，所述子像素区与非像素区的上方均设置有公共电极，所述公共电极对应着所述子像素区的区域的厚度为第一厚度，所述公共电极对应着所述扫描线和/或所述数据线的区域的厚度为第二厚度，所述第一厚度小于所述第二厚度。本发明通过将公共电极设置为对应着扫描线和/或数据线的区域的厚度大于子像素区的厚度的结构，增强了公共电极的导电能力，使得公共电极在整个显示面板的电压分布更均匀，提高了画面显示质量，提升显示装置的品质等级。

公开(公告)号：CN102832254B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201210333280.9

申请日：2012-09-10

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥京东方光电科技有限公司

发明人： 周伯柱 ,  白明基 ,  操彬彬 ,  赵娜 ,  王文龙 ,  王一军

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/02 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1343

CPC分类号： H01L27/1259 ,  H01L21/3213 ,  H01L27/124 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/458 ,  H01L33/0041

摘要： 本发明提供一种阵列基板及其制造方法、显示面板，属于液晶显示领域。所述阵列基板包括形成在栅绝缘层上的源电极、漏电极和像素电极，所述源电极和漏电极包括至少两层导电层，所述像素电极与所述漏电极直接连接。所述阵列基板的制作方法包括在栅绝缘层上依次沉积至少两层导电层，对所述至少两层导电层进行构图，形成源电极、漏电极和像素电极。本发明的技术方案由于不需要在像素区域形成过孔，从而提高了阵列基板的开口率，进一步地，通过采用透明电极层和金属层形成的叠合层作源电极和漏电极，可以很容易形成源漏电极和栅电极位于有源层同侧的结构，使源漏电极直接与电流通道相连，提高了TFT器件的导电性能。

公开(公告)号：CN102998856B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201210469712.9

申请日：2012-11-19

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥京东方光电科技有限公司

发明人： 操彬彬 ,  白明基 ,  黄寅虎 ,  徐向阳

IPC分类号： G02F1/1343 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/1333

CPC分类号： G02F1/13439 ,  G02F1/136204 ,  G02F2001/133337 ,  G02F2001/134372

摘要： 本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，用以分散液晶分子表面的直流残留，从而消除因直流残留引起的图像残像的现象。本发明提供的阵列基板包括：基板、基板上的像素电极、像素电极上方与像素电极相绝缘的公共电极，公共电极上的取向膜，还包括：与至少一个像素电极电性相连的至少一个用于分散液晶分子表面残留电荷的分流电极，所述分流电极位于所述取向膜不与液晶分子相接触的一侧。

公开(公告)号：CN103487999A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310199377.X

申请日：2013-05-24

申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 徐向阳 ,  邓立赟 ,  金玟秀 ,  操彬彬

IPC分类号： G02F1/1343 ,  G02F1/1333

CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/134345 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/47635 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、制备方法以及显示装置。该阵列基板包括呈网格分布的非像素区以及由所述非像素区包围形成的多个子像素区，所述非像素区内设置有多条交叉设置的扫描线和数据线，所述子像素区与非像素区的上方均设置有公共电极，所述公共电极对应着所述子像素区的区域的厚度为第一厚度，所述公共电极对应着所述扫描线和/或所述数据线的区域的厚度为第二厚度，所述第一厚度小于所述第二厚度。本发明通过将公共电极设置为对应着扫描线和/或数据线的区域的厚度大于子像素区的厚度的结构，增强了公共电极的导电能力，使得公共电极在整个显示面板的电压分布更均匀，提高了画面显示质量，提升显示装置的品质等级。

公开(公告)号：CN103500042A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201310463669.X

申请日：2013-09-30

申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 周伯柱 ,  白明基 ,  段献学 ,  陈程 ,  杨成绍 ,  操彬彬

IPC分类号： G06F3/042

CPC分类号： G06F3/0412 ,  G02B6/00 ,  G06F1/16 ,  G06F3/0386 ,  G06F3/0421 ,  G06F3/0428 ,  G06F2203/04109

摘要： 本发明公开一种光触控屏以及显示装置，涉及光电技术领域，为能够提高触控位置的定位精确度而发明。所述光触控屏，包括光触控面板，所述光触控面板内设有多条第一光传输通道和多条第二光传输通道，所述第一光传输通道和所述第二光传输通道相互正交；所述光触控面板的外部设有第一传感器和第二传感器，所述第一传感器设置在所述第一光传输通道的一端，用于接收由所述第一光传输通道发出的光；所述第二传感器设置在所述第二光传输通道的一端，用于接收由所述第二光传输通道发出的光。本发明主要用于远距离控制显示屏。

公开(公告)号：CN102832254A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210333280.9

申请日：2012-09-10

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥京东方光电科技有限公司

发明人： 周伯柱 ,  白明基 ,  操彬彬 ,  赵娜 ,  王文龙 ,  王一军

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/02 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1343

CPC分类号： H01L27/1259 ,  H01L21/3213 ,  H01L27/124 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/458 ,  H01L33/0041

摘要： 本发明提供一种阵列基板及其制造方法、显示面板，属于液晶显示领域。所述阵列基板包括形成在栅绝缘层上的源电极、漏电极和像素电极，所述源电极和漏电极包括至少两层导电层，所述像素电极与所述漏电极直接连接。所述阵列基板的制作方法包括在栅绝缘层上依次沉积至少两层导电层，对所述至少两层导电层进行构图，形成源电极、漏电极和像素电极。本发明的技术方案由于不需要在像素区域形成过孔，从而提高了阵列基板的开口率，进一步地，通过采用透明电极层和金属层形成的叠合层作源电极和漏电极，可以很容易形成源漏电极和栅电极位于有源层同侧的结构，使源漏电极直接与电流通道相连，提高了TFT器件的导电性能。