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公开(公告)号：CN1844430A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200610080877.1
申请日：2006-05-19
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: B22F7/02 , B22F2003/248 , B22F2998/00 , B22F2998/10 , C22C1/0433 , Y10T428/12021 , Y10T428/12042 , Y10T428/12458 , Y10T428/12944 , B22F3/02 , B22F2207/01 , B22F3/1007 , B22F2201/013 , B22F1/0003 , B22F3/18 , B22F3/24
Abstract: 一种Ni基合金复合基带及其粉末冶金制备方法属于高温涂层超导强化韧性基带技术领域。本发明所提供的Ni基合金复合基带，表层和芯层为W的原子百分含量分别为3－7％和9.3－12％的NiW合金。其制备方法为将W的原子百分含量分别为3－7％和9.3－12％的NiW合金粉末(代号B粉和A粉)按照B－A－B的顺序置于模具中；采用冷等静压压制成形后再烧结，或采用放电等离子体烧结技术边压制边烧结得到复合锭；冷轧复合锭，道次变形量为5－20％，总的变形量大于95％，得到厚度为60－200μm的基带；该基带在Ar/H2混合气体保护或真空条件下于1000－1300℃下退火0.5－2h；或者在700℃下退火30－60min，再升温至1100℃退火30－60min，即可得到Ni基合金复合基带。该基带表层和芯层不易开裂，机械强度高、磁性低并具有强的双轴立方织构。
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公开(公告)号：CN1743129A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510105684.2
申请日：2005-09-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属涂层高温超导制备领域。目前制备银带经过高温在结晶退火后非常软，且表面凹凸不平，给后续高温超导膜的制备带来很大难度，超导膜层无法均匀沉积在银基带上，超导长带的制备更为困难。本发明步骤：使用的银原材料为商业银铸锭，纯度为重量百分比99.9％～99.99％；采用真空熔炼方法降低银原材料中的氧含量，在银为液态的情况下保持高真空3～8×10－3Pa持续3～10分钟，然后浇铸成银坯，切成3.5mm－4.5mm厚的银板，脱气后的氧含量降至10～30ppm；在室温下对银板进行冷轧，道次变形量为10～20％，总变形量为92％～97％；采用三氟乙酸盐热分解法在冷轧银基带上沉积YBa2Cu3O7－δ超导膜。本发明可重复制备有较好双轴织构的超导膜，且超导膜非常平整，有较高的临界电流值。
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公开(公告)号：CN1219907C
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200310117045.9
申请日：2003-12-05
Applicant: 北京工业大学
IPC: C22F1/14
Abstract: 一种多晶织构银基带制备方法，属于高温超导涂层韧性基带及超导薄膜制备领域。本发明的制备方法，特征在于包括以下步骤：采用现有的真空熔炼方法降低银原材料中的氧含量，然后浇铸成银坯，切成3.5mm-4.5mm厚的银板；在室温下对银板进行冷轧，道次变形量为10～40%，总变形量为90～97%；700℃～920℃在空气、氩气、氧气或者氩气和体积百分比2～15%空气的混合气氛任选其一的气氛中退火0.5～10小时。经过研究发现以重复制备具有很强单组分{110} 双轴织构；在氩气和体积百分比2～15%空气的混合气氛中退火还可以得到具有平整表面的银基带。制出的银带进行表面处理后，采用三氟乙酸盐热分解法制备超导薄膜，制备出成分单一，高度c-轴取向及良好面内取向的薄膜。
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公开(公告)号：CN1195116C
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN02159717.0
申请日：2002-12-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: D06M11/83
Abstract: 一种植物导电纤维及其制备方法，产品适用于导电材料、电磁防护涂料中导电填料。特征在于，是用化学镀的方法在植物纤维上包覆金属层制备而成；本发明中所指植物纤维是由制浆工艺获得的，该纤维包括木纤维和草纤维；所述的制备方法是采用植物纤维为原料，对其先进行前处理，而后采用化学镀覆金属层；所述的前处理方法包括敏化、活化、还原步骤，但前处理过程可根据通常技术判断，采用的全部步骤，也可选择其中一部分处理步骤；所述的包覆的金属层的方法，可选择或包Cu，或包Ni，或包Ag的单层包覆方法，也可选择内包Cu外包Ni，或内包Cu外包Ag的多层包覆方法。本发明的方法成功地将金属对植物纤维的表面进行完整包覆，可在导电填料领域得到广泛使用。
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公开(公告)号：CN1158396C
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：CN02156680.1
申请日：2002-12-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种钴锑合金热电材料的制备方法属于热电材料的制造技术领域。该制备方法步骤如下：将钴和锑的粉末按1∶3(摩尔比)的比例混合，将配好的粉末放入高能球磨机中进行研磨2～30h，球料比为10∶1～25∶1。在研磨时充入惰性气体或加入一定量的过程保护剂，研磨后形成单相含量较高的钴锑合金粉末，然后将该合金粉末装入石墨模具或粉末冶金专用钢模具或硬质合金模具，用放电等离子烧结设备直接烧结制备成块状材料，烧结条件为压力30～1000MPa和温度200～600℃，保温时间2～10min，气氛为真空。其特点是生产效率高，成本低，可直接制备热电堆所需块体材料，不需再加工成形。制备的热电材料组织均匀，晶粒为纳米晶，大小可控制在30～100nm之间；具有高的热电性能，可在400℃附近应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1416987A
公开(公告)日：2003-05-14
申请号：CN02156679.8
申请日：2002-12-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种复合稀土钼次级发射材料的放电等离子快速烧结(SPS)的制备方法属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。本发明所提供的制备复合稀土钼次级发射材料的制备方法其特点在于：在钼的氧化物或钼粉中，以稀土硝酸盐水溶液形式加入一定量的稀土氧化物(如：La2O3、Y2O3、Gd2O3)，然后在500－550℃的氢气中处理1－5个小时，经过800－1000℃的还原处理后，得到掺杂稀土氧化物的钼粉，然后利用放电等离子烧结(SPS)的方法制备复合稀土钼的烧结体材料，烧结温度为1450－1700℃，保温时间为3－5分钟。该方法制备的复合稀土钼次级发射材料次级发射系数大(最大次级发射系数为3.84)，材料体内的各元素分布比较均匀，晶粒比较细小，经过1600℃的高温激活后能在材料表面形成一约为5μm的稀土氧化物薄膜。
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公开(公告)号：CN1401819A
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：CN02131262.1
申请日：2002-09-23
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种无机粉体表面金属化的方法，属于导电涂料、电磁防护涂料中导电填料的制备技术领域。该制备方法其特征在于它包括前处理和化学镀覆金属层两部分：无机粉体经过含铬酐的溶液粗化，氯化亚锡盐酸溶液敏化，氯化钯盐酸溶液活化的前处理过程；然后进行表面化学镀覆金属层。表面包覆镍的导电粉体可作为电磁吸收涂料的吸收剂，具有较好的吸波性能；表面包覆铜、银金属层的导电粉体可作为电磁屏蔽涂料的导电填料，具有较佳的电磁屏蔽性能。本发明制备的导电粉体不仅密度较小，成本低，适用面广，表面金属包覆完整，而且具有较好的电磁波吸收或电磁屏蔽性能。
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公开(公告)号：CN1357971A
公开(公告)日：2002-07-10
申请号：CN01138664.9
申请日：2001-12-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 阴极材料发射测量用电脉冲装置属材料性能检测领域,包括高压可控整流滤波电路,矩形脉冲发生电路和故障检测电路。高压可控整流滤波电路依次由升压变压器、与电压给定电路相连的可控整流电路、及依次相连的滤波电路构成;矩形脉冲发生电路包括与矩形脉冲发射材料测试台相连、并与滤波电路相连、还与驱动电路相连的斩波电路,及与驱动电路相连的脉冲控制电路;故障检测电路包括与斩波电路相连的取样电路,与取样电路及与脉冲控制电路相连的检测电路构成;可控整流电路和驱动电路均有接至计算机的D/A接口,电压电流检测电路有接至计算机的A/D接口。本装置具有可变频率和脉宽的高可靠性,无须预热及水冷,易与计算机连接,并可自动读取数据作图等特点。
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公开(公告)号：CN1275527A
公开(公告)日：2000-12-06
申请号：CN00120742.3
申请日：2000-07-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01B21/072 , C22C21/00
Abstract: 一种氮化铝粉体的反应合成方法属于氮化铝粉体合成技术领域,其特征为采用Al合金体系作原料,其步骤为:将Al和一种或多种合金元素熔炼制成母合金,其中合金元素为:Li、Y、碱土金属元素、镧系金属元素;把母合金置于反应炉内,反应温度650～1500℃,反应时间0.5～25小时,反应后得到疏松的氮化产物,经研磨制备出含有烧结助剂的复合氮化铝粉。该氮化铝粉体成本低、烧结活性好,由该粉体制成的氮化铝陶瓷具有高性能、高导热性与强度。
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公开(公告)号：CN1195707A
公开(公告)日：1998-10-14
申请号：CN97111785.3
申请日：1997-05-08
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 氧化镧钼箔带材及其制造方法属于稀土钼箔带材制造领域,其特征为:La2O3的掺杂量占钼的重量比为0.2～0.6%。它依次经用公知技术制成La2O3－Mo丝材并作表面处理、在1300～1400℃下进行轧制前预退火、对其作第一道次变形量为20～30%的冷轧也可作第一道次变形量为30～50%的温轧、当总变形量达到60～65%时在900—1100℃下退火、室温下精轧至总变形量为70～80%、在800℃下退火后直接轧制至成品箔带材等步骤制成。它的加工性能好、高温强度高、工艺简单、不易弯曲脆断、成品率也高。
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