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公开(公告)号：CN110504247B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201811382026.1
申请日：2018-11-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L23/498 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 本发明的实施例提供了一种封装件及其形成方法。封装件包括：管芯堆叠件，接合至载体，管芯堆叠件包括第一集成电路管芯，第一集成电路管芯是管芯堆叠件中距载体最远的集成电路管芯，第一集成电路管芯的前侧面向载体；管芯结构，接合至管芯堆叠件，管芯结构包括第二集成电路管芯，第一集成电路管芯的背侧与第二集成电路管芯的背侧物理接触，第一集成电路管芯的背侧与第一集成电路管芯的前侧相对；散热结构，接合至与管芯堆叠件相邻的管芯结构；以及密封剂，沿着管芯堆叠件的侧壁和散热结构的侧壁延伸。
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公开(公告)号：CN113517205A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110307315.0
申请日：2021-03-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 形成半导体器件的方法，包括：在该半导体器件的第一器件区域中的衬底中形成第一电子组件；在该第一电子组件上方形成第一互连结构，并将该第一互连结构电耦合到该第一电子组件；在该第一互连结构上方形成第一钝化层，该第一钝化层从第一器件区域延伸到与第一器件区域相邻的划线区域；在形成第一钝化层之后，从划线区域去除第一钝化层，同时将第一钝化层的剩余部分保持在第一器件区域中；以及在去除第一钝化层之后沿划线区域切割。本申请的实施例还涉及半导体器件。
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公开(公告)号：CN113471141A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110197941.9
申请日：2021-02-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/538 , H01L27/08 , H01L23/64
Abstract: 本文公开了形成超高密度金属‑绝缘体‑金属(SHDMIM)电容器和半导体器件的方法。该方法包括：在半导体衬底上方沉积第一绝缘层，并在第一绝缘层上方沉积被一系列介电层隔开的一系列导电层，一系列导电层包括器件电极和伪金属板。穿过一系列导电层的第一组接触塞接触一系列导电层的第一部分中的一个或多个导电层。穿过一系列介电层的第二组接触塞避免接触一系列导电层的第二部分，一系列导电层的第二部分电浮置。本申请的实施例提供了封装件、半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113130433A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202010274040.0
申请日：2020-04-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/367 , H01L21/48
Abstract: 一种半导体结构，包括半导体衬底、设置在所述半导体衬底之上的内连结构及设置在所述内连结构之上的接合结构。所述接合结构包括覆盖所述内连结构的介电层、穿透所述介电层的信号传输特征及穿透所述介电层的导热特征。所述导热特征包括导热布线及导热接垫，且所述导热接垫设置在所述导热布线上并共用所述导热布线。
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公开(公告)号：CN109786266B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201810460994.3
申请日：2018-05-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在实施例中，封装件包括第一封装结构，该第一封装结构包括：具有有源侧和背侧的第一集成电路管芯，有源侧包括管芯连接件；邻近第一集成电路管芯的第二集成电路管芯，第二集成电路管芯具有有源侧和背侧，有源侧包括管芯连接件；布线管芯，布线管芯包括接合至第一集成电路管芯和第二集成电路管芯的有源侧的管芯连接件，布线管芯将第一集成电路管芯电连接至第二集成电路管芯；密封第一集成电路管芯、第二集成电路管芯和布线管芯的密封剂；以及位于第一集成电路管芯和第二集成电路管芯的管芯连接件上并且电连接至第一集成电路管芯和第二集成电路管芯的管芯连接件的第一再分布结构。本发明的实施例还涉及半导体封装件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN110660684B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201910089333.9
申请日：2019-01-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种形成封装件的方法包括将器件管芯接合到中介层晶圆，其中，中介层晶圆包括金属线和通孔；形成介电区以包围器件管芯；以及形成贯通孔以穿透介电区。贯通孔通过中介层晶圆中的金属线和通孔电连接到器件管芯；在介电区上形成聚合物层；以及形成电连接件。电连接件通过聚合物层中的导电部件电连接到贯通孔；以及锯切中介层晶圆以将封装件与其他封装件分离。本发明的实施例还涉及用于封装件集成的缓冲设计。
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公开(公告)号：CN107768351B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201710587367.1
申请日：2017-07-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 在一些实施例中，器件包括热机电(TEM)芯片，具有功能电路；第一管芯，附接至所述TEM芯片的第一侧面；第一通孔，位于所述TEM芯片的第一侧面上并且邻近所述第一管芯，所述第一通孔电连接至所述TEM芯片。所述器件还包括第一模制层，围绕所述TEM芯片、所述第一管芯和所述第一通孔，其中，所述第一管芯的上表面和所述第一通孔的上表面与所述第一模制层的上表面平齐。所述器件还包括第一再分布层，位于所述第一模制层的上表面上方并且电连接至所述第一通孔和所述第一管芯。本发明还提供了具有热机电芯片的半导体封装件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN112447646A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010896773.8
申请日：2020-08-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 封装件包括第一管芯，该第一管芯包括第一金属化层，位于第一金属化层上的一个或多个第一接合焊盘通孔，其中，第一阻挡层在每个第一接合焊盘通孔和第一金属化层之间延伸横跨第一金属化层，位于，以及位于一个或多个第一接合焊盘通孔上的一个或多个第一接合焊盘，其中，第二阻挡层在第一接合焊盘和第一接合焊盘通孔之间延伸横跨每个第一接合焊盘通孔，以及包括一个或多个第二接合焊盘的第二管芯，其中，第二接合焊盘接合至第一管芯的第一接合焊盘。本申请的实施例涉及半导体器件和形成封装件的方法。
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公开(公告)号：CN112420659A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010047731.7
申请日：2020-01-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括半导体衬底、多个内连层、第一连接件及第二连接件。半导体衬底在所述半导体衬底中包括多个半导体器件。内连层设置在半导体衬底之上且电耦合到半导体器件。第一连接件设置在所述多个内连层之上且延伸到与所述多个内连层的第一层级接触。第二连接件设置在所述多个内连层之上且与第一连接件实质上齐平。第二连接件比第一连接件延伸得更远，以与位于所述多个内连层的第一层级与半导体衬底之间的所述多个内连层的第二层级接触，第一连接件宽于第二连接件。
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公开(公告)号：CN112420657A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010354425.8
申请日：2020-04-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/367 , H01L21/48
Abstract: 一种器件包括：互连结构，位于衬底上方；多个第一导电焊盘，位于互连结构上方并且连接到互连结构；平坦化停止层，在多个第一导电焊盘的第一导电焊盘的侧壁和顶面上方延伸；表面介电层，在平坦化停止层上方延伸；以及多个第一接合焊盘，位于表面介电层内，并且连接到多个第一导电焊盘。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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