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公开(公告)号：CN108155166B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN201710992519.6
申请日：2017-10-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
Abstract: 本揭露实施例涉及一种集成电路封装、一种形成集成电路封装的方法及一种内连结构。本发明实施例公开一种具有提高的性能及可靠性的集成电路封装。所述集成电路封装包括集成电路管芯及布线结构。所述集成电路管芯包括具有周边边缘的导通孔。所述布线结构包括耦合到所述导通孔的导电结构。所述导电结构可包括顶盖区、布线区以及中间区。所述顶盖区可与所述导通孔的区域重叠。所述布线区可具有第一宽度，且所述中间区可沿所述导通孔的所述周边边缘具有第二宽度，其中所述第二宽度可大于所述第一宽度。所述中间区可被配置成将所述顶盖区连接到所述布线区。
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公开(公告)号：CN109585384B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201711288879.4
申请日：2017-12-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/24 , H01L25/065 , H01L23/485
Abstract: 本发明实施例提供一种包括绝缘密封体、第一半导体管芯、第二半导体管芯及重布线路层的半导体结构。第一半导体管芯与第二半导体管芯嵌置在绝缘密封体中且彼此隔开。第一半导体管芯包括以能够触及的方式暴露出的第一有源表面及分布在所述第一有源表面处的第一导电端子。第二半导体管芯包括以能够触及的方式暴露出的第二有源表面及分布在所述第二有源表面处的第二导电端子。包括导电迹线的重布线路层设置在第一有源表面及第二有源表面上以及绝缘密封体上。导电迹线从第一半导体管芯电连接并蜿蜒地延伸到第二半导体管芯且所述导电迹线的总长度对绝缘密封体的顶部宽度的比率介于约3到约10范围内。
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公开(公告)号：CN115206894A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210110692.X
申请日：2022-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 半导体封装件包括：再分布结构；第一器件和第二器件，附接至再分布结构，第一器件包括：第一管芯；支撑衬底，接合至第一管芯的第一表面；以及第二管芯，接合至第一管芯的与第一表面相对的第二表面，其中，第一管芯和第二管芯的总高度小于第二器件的第一高度，并且其中，衬底的顶面至少与第二器件的顶面一样高；以及密封剂，位于再分布结构上方并且围绕第一器件和第二器件。本申请的实施例还涉及形成半导体封装件的方法。
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公开(公告)号：CN115117033A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210083522.7
申请日：2022-01-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/538
Abstract: 形成集成电路封装件的方法包括将第一管芯附接至中介层。该中介层包括位于中介层的顶侧上的第一管芯连接件和第二管芯连接件以及覆盖第一管芯连接件的至少一个侧壁和第二管芯连接件的至少一个侧壁的第一介电层。该第一管芯耦接至第一管芯连接件和第一介电层，并且第二管芯连接件由第一管芯暴露。该方法还包括使第一介电层凹进以暴露第二管芯连接件的至少一个侧壁并将第二管芯附接至中介层，第二管芯耦接至第二管芯连接件。本申请的实施例还涉及集成电路封装件。
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公开(公告)号：CN109390320B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN201711215193.2
申请日：2017-11-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L23/00
Abstract: 本发明实施例是关于一种半导体结构及其制造方法。在一方面，本发明实施例是关于一种半导体结构，包含：裸片，其包含第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；第一互连结构，其放置在所述第一表面处且包含第一电介质层及放置在所述第一电介质层内的第一导电部件；模塑物，其环绕所述裸片及所述第一互连结构；第二互连结构，其放置在所述第二表面及所述模塑物上方且包含第二电介质层及放置在所述第二电介质层内的第二导电部件；第一密封环，其放置在所述第二电介质层内且放置在所述模塑物上方；及导电凸块，其放置在所述第二互连结构上方。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110660683B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201811292790.X
申请日：2018-11-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/485 , H01L21/60
Abstract: 一种方法包括将第一器件管芯和第二器件管芯包封在包封材料中，在第一器件管芯和第二器件管芯上形成再分布线，再分布线电耦合到第一器件管芯和第二器件管芯，以及在再分布线上接合桥接管芯以形成封装件，封装件包括第一器件管芯、第二器件管芯和桥接管芯。桥接管芯电互连第一器件管芯和第二器件管芯。第一器件管芯、第二器件管芯和桥接管芯由伪支撑管芯支撑。本发明的实施例还涉及支撑InFO封装件以减小翘曲。
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公开(公告)号：CN106952831B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201611135570.7
申请日：2016-12-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L25/065
Abstract: 本发明实施例提供一种使用热与机械强化层的装置及其制造方法。本发明实施例提供的方法包含将第一层级装置裸片附接到虚设裸片，将所述第一层级装置裸片囊封于第一囊封材料中，在所述第一层级装置裸片上方形成贯穿通路并且将其电耦合到所述第一层级装置裸片，将第二层级装置裸片附接于所述第一层级装置裸片上方，以及将所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片于囊封第二囊封材料中。重布线形成于所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片上方并且电耦合到所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片。所述虚设裸片、所述第一层级装置裸片、所述第一囊封材料、所述第二层级装置裸片、以及所述第二囊封材料形成复合晶片的部分。
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公开(公告)号：CN103855126B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201310069494.4
申请日：2013-03-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/02
Abstract: 公开了半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，一种制造半导体器件的方法包括在工件上方形成集成电路的第一功能区域，以及在工件上方形成集成电路的第二功能区域。该方法包括围绕集成电路的第一功能区域形成保护环。在第一功能区域和第二功能区域上方设置的材料层中形成该保护环。
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公开(公告)号：CN107068645A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201610917114.1
申请日：2016-10-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/31 , H01L21/56
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3128 , H01L24/19 , H01L25/105 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L2221/68359 , H01L2221/68372 , H01L2221/68381 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06548 , H01L2225/06555 , H01L2225/06586 , H01L2225/06596 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2225/1088 , H01L2924/15159 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L23/49816 , H01L21/561 , H01L23/49838
Abstract: 提供了一种使用表面器件的半导体器件和方法。在实施例中，熔丝包括凸块下金属，该凸块下金属具有分离并且电隔离的两部分。通过诸如焊球的外部连接件来桥接这两部分以电连接表面器件。在测试之后，当确定表面器件有缺陷时，可以通过从这两个分离部分去除外部连接件来使熔丝断开，以电隔离表面器件。在另一实施例中，表面器件在集成多输出封装件内位于封装件下方或者是多输出封装件的一部分。
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公开(公告)号：CN106952831A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201611135570.7
申请日：2016-12-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L25/065
Abstract: 本发明实施例提供一种使用热与机械强化层的装置及其制造方法。本发明实施例提供的方法包含将第一层级装置裸片附接到虚设裸片，将所述第一层级装置裸片囊封于第一囊封材料中，在所述第一层级装置裸片上方形成贯穿通路并且将其电耦合到所述第一层级装置裸片，将第二层级装置裸片附接于所述第一层级装置裸片上方，以及将所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片于囊封第二囊封材料中。重布线形成于所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片上方并且电耦合到所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片。所述虚设裸片、所述第一层级装置裸片、所述第一囊封材料、所述第二层级装置裸片、以及所述第二囊封材料形成复合晶片的部分。
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