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公开(公告)号：CN112609240A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011446248.2
申请日：2020-12-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于复合结构样品台提高金刚石异质外延大尺寸形核均匀性的方法，本发明属于化学气相沉积法异质外延单晶金刚石生长领域，它为了解决现有难以实现异质衬底大尺寸高密度外延形核的难题。提高金刚石异质外延形核均匀性的方法：一、将复合结构样品台放置在MPCVD设备的水冷台中心位置，异质衬底放置在样品台的中心位置，抽真空；二、启动微波发生器，激发气体电离和解离；三、偏压增强形核过程：通入甲烷气体，进行等离子体预处理，然后启动偏压电源施加偏压；四、降低甲烷浓度，进行金刚石外延生长，直至沉积生长结束。本发明样品台具有类似于台阶的结构以及数量更多的边缘尖端区域，能在偏置电场的作用下直流辉光层的面积更均匀分布在样品上方。
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公开(公告)号：CN108229010B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201711483712.3
申请日：2017-12-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于XRD实验数据调整衬底和薄膜初始结构模型的结构参数的方法，它属于材料计算技术领域。本发明解决了衬底和薄膜结构模型预留距离过大影响几何优化过程的计算速度，以及可能无法模拟出最终能量最低的稳定结构的问题。本发明利用带有薄膜附件的X射线衍射仪对衬底和生长外延薄膜进行X射线小角衍射(SXRD)表征，得到衬底样品和薄膜样品的X射线小角衍射图谱，据此分别计算出衬底样品、薄膜样品、衬底样品与薄膜样品界面处原子层之间的晶面间距，然后利用上述晶面间距对利用Material Studio建立的初始结构模型的结构参数进行调整。本发明减少了几何优化步骤，大大缩短优化时间，同时有效避免计算过程陷入亚稳定结构陷阱，能够更准确地找到最终稳定结构。
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公开(公告)号：CN112030228A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010953193.8
申请日：2020-09-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 用于多颗MPCVD单晶金刚石共同生长的桥接控温方法，本发明属于金刚石制备领域，它为了解决在多颗MPCVD单晶金刚石生长过程中种晶间温度不均匀导致生长速率、品质不一致的问题。桥接控温方法：一、采用激光切割和摩擦机械抛光种晶侧面，使得每个种晶侧面都为(100)晶面；二、在水冷台上等间距放置多颗预处理的种晶；三、通入氢气，控制微波发生器的功率和种晶温度，进行氢等离子体预刻蚀；四、调整输入微波功率和腔体内气压，控制种晶温度为950～980℃，使种晶侧面横向生长，完成多颗MPCVD单晶金刚石的桥接。本发明使种晶快速横向生长桥接，建立起单晶或多晶导热通路，实现多颗种晶同时均匀控温的效果。
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公开(公告)号：CN111628014A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010513714.8
申请日：2020-06-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 3D结构金刚石日盲紫外探测器及其利用铁催化氢等离子体刻蚀的制备方法，本发明属于金刚石紫外探测器技术领域，它为了解决现有日盲紫外探测器的探测性能较低的问题。制备方法：一、超声清洗金刚石；二、在金刚石表面镀制金属铁叉指电极；三、对镀制有铁叉指电极的金刚石进行氢等离子体刻蚀处理；四、用稀盐酸溶解金刚石褶皱表面的铁；五、利用磁控溅射在金刚石表面镀制金属电极层；六、将带有金属叉指电极的金刚石表面的金属擦除，在凹槽中的形成3D金属电极。本发明3D结构金刚石日盲紫外探测器的电场能够分布在更纵深的位置，3D结构较平面结构在更深位置处的光生电子和光生空穴能够在电场作用下有效分离，从而提升探测性能。
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公开(公告)号：CN111276277A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010091737.4
申请日：2020-02-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种具有红外透明导电功能的窗口，属于红外光学材料领域及电子材料领域。本发明是要解决现有的红外透明导电功能的窗口无法兼顾电磁屏蔽和高红外透过率性能的技术问题。本发明的具有红外透明导电功能的窗口是由衬底和依次生长于所述衬底上的透明导电层和红外增透层组成。本发明所述的具有红外透明导电功能的窗口在0.78μm～2.5μm波长范围内透过率不低于80％，在2.5μm～5μm波长范围内透过率不低于75％，方块电阻不大于100Ω/sq，对1GHz～18GHz电磁波的屏蔽效率大于10dB。本发明应用于制备一种具有红外透明导电功能的窗口。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109001791B
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201810582196.8
申请日：2018-06-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 金刚石位置灵敏探测器的束流位置定位方法，本发明属于位置灵敏探测领域，它要解决现有二维位置灵敏探测器的定位方法复杂、电极作用单一，相邻电极间隙大的问题。定位方法：一、采用磁控溅射法在单晶CVD金刚石表面镀上4个圆心角为90°扇形结构的Au电极；二、在无光辐照的条件下，测试偏压大小为U下的暗电流；三、采用复色光或者单色光照射金电极，沿着X轴方向改变光束位置，分别测试得到正向偏压和反向偏压大小为U下不同位置的光电流；四、数据处理，得出横向位置定位公式；五、采用复色光或者单色光照射金电极，沿Y轴方向改变光束位置；六、数据处理，得出纵向位置定位公式。本发明束流位置定位方法简单，电极面积大且电极间空隙小。
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公开(公告)号：CN108149210B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201711434621.0
申请日：2017-12-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种长波红外增透保护膜的制备方法，本发明涉及增透保护膜的制备方法。本发明要解决现有红外探测系统窗口材料增透保护膜或存在服役过程中出现严重的性能退化现象，导致薄膜光学性能的下降，或存在增透保护膜与基底附着性差，需要沉积过渡层，增加了工艺的复杂性，或存在增透保护膜硬度较低的问题。方法：一、靶材和窗口的清洗；二、镀膜前准备工作；三、采用反应溅射的方式制备Gd2O3薄膜；四、结束关机；五、双面镀膜，即完成一种长波红外增透保护膜的制备方法。本发明用于长波红外增透保护膜的制备方法。
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公开(公告)号：CN108505018B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201810455956.9
申请日：2018-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/511
Abstract: 一种生长高质量金刚石颗粒及金刚石薄膜的方法，本发明涉及生长金刚石颗粒及金刚石薄膜的方法。本发明要解决现有固体碳源多采用片状等固体，其存在碳源稳定性差，无法形成高品质金刚石，若采用粉状固体碳源，则会在沉积过程中吹散，且污染设备，缩短设备寿命的问题。方法：一、石墨粉装入金属槽中，压实，得到装有石墨粉的金属槽；二、将装有石墨粉的金属槽及衬底置于微波等离子化学气相沉积装置中，且衬底位于装有石墨粉的金属槽中心沉积，即完成一种生长高质量金刚石颗粒及金刚石薄膜的方法。
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公开(公告)号：CN109023517A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201811213112.X
申请日：2018-10-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用聚焦离子束技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法，本发明涉及消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法。本发明要解决现有的MPCVD生长中籽晶表面由于激光加工和抛光不完善导致的表面缺陷富集，进而影响外延生长金刚石质量的问题。方法：一、单晶金刚石籽晶清洗；二、喷金处理；三、放置样品；四、关舱；五、抽真空；六、聚焦离子束扫描刻蚀；七、吹洗样品。本发明用于一种利用聚焦离子束技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法。
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