公开(公告)号：CN104195552A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201410338437.6

申请日：2014-07-16

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 文岐业 ,  熊瑛 ,  陈智 ,  张怀武 ,  杨青慧 ,  田伟 ,  毛淇 ,  荆玉兰

IPC: C23C28/04 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C16/40

CPC classification number: H01L21/02631 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02565

Abstract: 本发明提供一种在硅基底上制备高质量VO2薄膜的方法，用以提高VO2薄膜电阻变化率。选用双面抛光的Si基底，首先清洗硅基底，然后采用原子层沉积法在Si基底上沉积Al2O3缓冲层，最后采用反应磁控溅射法以制备有Al2O3缓冲层的Si基底为衬底，溅射制备VO2薄膜。本发明工艺简单，易于实现；制备的Si基VO2薄膜具有极强的择优取向，成膜质量高，也更接近于金红石型VO2；通过Al2O3缓冲层的引入，减小了相变弛豫时间，也极大的提高了电阻变化率，本发明引入的Al2O3缓冲层厚度仅为25nm，并不会造成Si基VO2薄膜在作为电致开关或者电致存储器件时其阈值电压过大；本发明对推进VO2薄膜在半导体器件中的应用具有重大意义。

公开(公告)号：CN104193224A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201410431104.8

申请日：2014-08-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 苏桦 ,  张天水 ,  唐晓莉 ,  张怀武 ,  荆玉兰 ,  李元勋

IPC: C04B26/18 ,  C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供了一种微带天线有机复合基板材料及其制备方法，属于电子材料技术领域。所述有机复合基板材料由主相材料和辅助相材料按质量百分数比为100：(80～120)复合而成，所述主相材料为Co2Z型六角铁氧体，配方分子式为(Ba1-xSrx)3Co2Fe24O41，其中x的取值范围为0～0.5，所述辅助相材料为聚四氟乙烯树脂。其制备方法包括：1)称料、混料、一次球磨后烘干；2)预烧；3)二次球磨，烘干；4)复合，烘干；5)热压成型。该方法操作简便，成本低；得到的复合基板材料在100MHz～1GHz频率范围内具有较高的磁导率和介电常数，同时其磁损耗和介电损耗也都较低；得到的基板的柔韧性和均匀性都较好。

公开(公告)号：CN104183570A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201410415806.7

申请日：2014-08-21

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 白飞明 ,  王艺程 ,  钟志勇 ,  张怀武

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 一种近零涡流损耗互连线及其制备方法，属于射频器件技术领域。包括衬底基片和衬底基片表面的互连线；互连线是由金属铜薄膜层和铁磁金属薄膜层相间层叠而形成的周期性复合超晶格薄膜结构；每层金属铜薄膜层的厚度为50～1000nm，每层铁磁金属薄膜层厚度为20～500nm；铁磁金属为磁性金属与铜形成的合金；周期性复合超晶格薄膜结构的周期数为5～200。采用金属铜作为互连线的原料，成本低廉，采用超晶格薄膜结构，结构简单，易于实现，降低晶格失配导致的应力，电阻率低，可以选择频段实现近零有效磁导率，所以厚度可以在10～100μm无明显的趋肤效应；采用金属电化学交替沉积法多周期交替电镀制备该互连线，降低制备工艺难度及成本。本发明适用于射频器件。

公开(公告)号：CN104030671A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410252398.8

申请日：2014-06-09

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张怀武 ,  周廷川 ,  廖宇龙 ,  贾利军

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明所要解决的技术问题是，在满足950℃以下低温烧结的情况下，提供一种具有低矫顽力、低铁磁共振线宽和高饱和磁化强度特性的LiZnTi铁氧体材料，用于LTCC移相器。该铁氧体材料由主料和玻璃相助烧剂构成，其中主料重量百分比为99.3～99.85％、玻璃相助烧剂重量百分比为0.15～0.7％；所述主料以Li2CO3、ZnO、TiO2和Fe2O3为原料，按照分子式Li0.43Zn0.27Ti0.13Fe2.17O4配制；所述玻璃相助烧剂按比例52.45mol％Li2O，31.06mol％B2O3，11.99mol％SiO2，2mol％CaO和2.5mol％Al2O3配料后经12h球磨，加热至1150℃保温1h，降温至1000℃快速淬火制成。该铁氧体材料制备方法成功地将LiZnTi铁氧体的烧结温度降至900℃左右，并保持LiZnTi铁氧体材料优异的旋磁性能，从而使得该材料能与银电极共烧可广泛用于LTCC移相器的制造。

公开(公告)号：CN103771842A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201410012814.7

申请日：2014-01-10

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 苏桦 ,  陈华文 ,  唐晓莉 ,  张怀武 ,  荆玉兰 ,  李元勋 ,  刘保元

IPC: C04B35/16 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供一种以(Zn1-xCox)2SiO4，0.05≤x≤0.1为主晶相组成的低成本低介低损耗LTCC微波陶瓷材料及其制备方法。该陶瓷材料在硅锌矿结构的Zn2SiO4基础上进行了适量Co2+的替代，采用LBSCA玻璃助烧降低烧结温度，可实现900℃低温烧结，制备得该微波陶瓷材料介电常数εr为6.1～6.6，具有极低微波损耗、品质因数Q×f值均在30000GHz以上、最高可达到56939GHz，谐振频率温度系数τf约为-55ppm/℃；其制备方法以Co2O3、ZnO、SiO2原料，依次进行称料、一次球磨、烘料、预烧、掺杂、二次球磨、烘料、造粒、成型、烧结工艺；生产原料便宜、生产成本低、制备工艺简单。该微波陶瓷材料在作为LTCC微波介质基板或器件材料时，可以显著降低微波器件或模块的损耗。

公开(公告)号：CN103320856A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310244408.9

申请日：2013-06-19

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 廖宇龙 ,  张怀武 ,  钟智勇 ,  白飞明 ,  李颉

IPC: C30B29/16 ,  C30B1/02

Abstract: 一种无氟单晶TiO2纳米薄膜的制备方法，属于功能材料技术领域。采用无定形态的TiO2纳米管阵列薄膜为前驱物，首先将前驱物置于氟化铵水溶液中浸泡处理以初始化前驱物中所含氟离子浓度；然后将前驱物置于封闭容器中煅烧处理，使得前驱物在氟离子的催化作用和高温作用下坍塌并转变为表面含氟、且(001)暴露的TiO2纳米颗粒；最后经高温脱氟处理，得到无氟单晶TiO2纳米薄膜。本发明所制备的TiO2纳米薄膜具有更高的光催化性能和光电转换性能，在太阳能光伏器件、光分解水和光催化等方面有着广泛的应用前景。本发明采用两步或多步后期热处理组合工艺，具有可控性高、重复性好、生产效率高、合成成本低而且和可大规模制造等优点。

公开(公告)号：CN103276360A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310234737.5

申请日：2013-06-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 白飞明 ,  张辉 ,  钟智勇 ,  张怀武

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/08

Abstract: 一种磁性纳米线阵列薄膜及其制备方法，属于电子功能材料技术领域。包括MgAl2O4单晶基片、Pb(Zr0.52Ti0.48)O3基体和NiFe2O4纳米线；NiFe2O4纳米线均匀分布在Pb(Zr0.52Ti0.48)O3基体中，形成沉积于MgAl2O4单晶基片（001）取向表面的磁性纳米线阵列薄膜。该薄膜采用PZT-NFO靶材和（001）取向MgAl2O4单晶基片，采用90度离轴磁控溅射工艺制得，具有铁磁共振线宽小、铁磁共振频率高、晶格失配小，可自组装外延生长的特点，是一种用于微波非互易性器件的重要材料。其制备方法容易实现，参数控制方便，操作简单，成本低。

公开(公告)号：CN102324294B

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201110233366.X

申请日：2011-08-16

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 何为 ,  周国云 ,  王守绪 ,  杨小健 ,  张怀武

IPC: H01C17/14 ,  C23C18/36

Abstract: 一种埋嵌式电阻材料的制备方法，属于电子材料与元器件技术领域。埋嵌式电阻材料的制备可通过在介质基板上化学沉积多孔结构的镍磷合金电阻层，然后在镍磷合金电阻层表面电镀铜获得；或在铜箔上化学镀镍磷合金电阻层，然后与半固化介质基板相层压而获得。本发明在制备埋嵌式电阻材料的镍磷合金电阻层时，在化学镀液中加入了阻值调节剂，使得所获得的镍磷合金电阻层具有多孔结构，经过热调质处理之后具有方阻大、性能稳定、散热性好的特点，且制作工艺简单，与现有印制电路板制作工艺相兼容，容易被普通印制电路板制作企业掌握和实现。

公开(公告)号：CN101944646B

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201010227245.X

申请日：2010-07-15

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 钟智勇 ,  刘爽 ,  张怀武 ,  唐晓莉 ,  荆玉兰 ,  贾利军 ,  白飞明 ,  苏桦

IPC: H01P1/387 ,  H01P11/00

Abstract: 一种集成微带环行器，属于电子技术领域。包括微波介质基片上的金属底电极、纳米线铁磁复合介质、绝缘层和微带环行器Y结；所述纳米线铁磁复合介质由铁磁金属纳米线和三氧化二铝复合而成，其中三氧化二铝具有纳米级多孔结构，而铁磁金属纳米线是经电镀工艺填充于三氧化二铝的纳米孔洞中。制备时，先在微波介质基片上沉积金属底电极和金属铝膜，然后对金属铝膜进行二次阳极氧化处理，再通过电镀工艺在三氧化二铝的纳米孔洞中填充铁磁金属纳米线，最后制作环形器所需Y结。本发明采用铁磁金属与多孔三氧化二铝复合的纳米线铁磁复合介质作为微带环形器的自偏置磁性介质，可提高微带环形器的工作频率、缩小其体积和减轻其重量；同时，所述微带环形器的制备工艺可与微波集成电路工艺相兼容。

公开(公告)号：CN102791085A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210303864.1

申请日：2012-08-24

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 周国云 ,  何为 ,  王守绪 ,  周珺成 ,  陶志华 ,  张怀武 ,  肖强

IPC: H05K3/42 ,  C25D5/08 ,  C25D7/00

Abstract: 一种印制电路板通孔电镀铜方法，属于印制电路板制造领域。本发明采用需要通孔电镀铜的印制电路板镀件作为隔离板将电镀槽体隔成高低液面两个电镀槽，通过高低位电镀液槽之间的压力差来使得镀液在印制电路板通孔中保持流动和更新，可消除印制电路板通孔电镀过程中的毛细管效应，减小电镀液分布对通孔镀层厚度的影响，从而提高镀层的均匀性和通孔深镀能力。整个方法非常简单、容易实现，特别适用于高厚径比通孔的电镀，且电镀过程中无需摇摆阴极，镀液无需充气搅拌。