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公开(公告)号：CN104882542A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510281381.X
申请日：2015-05-28
Applicant: 福州大学
CPC classification number: H01L51/05 , H01L51/0003 , H01L51/0032 , H01L51/0566 , H01L51/107
Abstract: 本发明涉及一种基于金属/有机壳核量子点-半导体量子点复合结构光控薄膜晶体管的制备方法，利用旋涂成膜工艺技术，在硅/二氧化硅衬底上，制备出金属/有机壳核量子点-半导体量子点复合膜层，再通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术金属/有机壳核量子点-半导体量子点复合导电沟道层分别形成Cr/Au复合金属电极，引出相应的源极和漏极，再通过旋涂有机物实现对量子点沟道的有效封装和保护，从而制备出新型的基于金属/有机壳核量子点-半导体量子点复合结构光控薄膜晶体管。本发明制备方法新颖，制作成本低且工艺简单，同时可充分利用金属量子点等离子体激元对于光场增强调控作用、复合量子点膜层的量子尺寸效应，从而有效提高光控栅极晶体管的灵敏度。
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公开(公告)号：CN104882383A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510281343.4
申请日：2015-05-28
Applicant: 福州大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/22
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L29/0684 , H01L29/12 , H01L29/2203 , H01L29/78603 , H01L29/78681 , H01L29/78696
Abstract: 本发明涉及一种基于等离激元增强光控量子点薄膜晶体管的制备方法，利用旋涂成膜工艺技术，在硅/二氧化硅衬底上，依次制备出金属量子点等离子激元增强层、绝缘有机隔离层、CdSe半导体量子点导电沟道层，随后，通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术在CdSe量子点沟道层分别形成Cr/Au复合金属电极，引出相应的源极和漏极，再通过旋涂有机物实现对量子点沟道的有效封装和保护，从而制备出新型的基于等离激元增强光控量子点薄膜晶体管。本发明制备方法新，制作成本低，制备工艺简单，精确可控，所制备的光控栅极型量子点薄膜晶体管具有特殊量子点导电沟道、金属量子点等离子激元增强特性，有效提高了光控栅极晶体管的灵敏度。
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公开(公告)号：CN104867836A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510281169.3
申请日：2015-05-28
Applicant: 福州大学
IPC: H01L21/368 , H01L33/44
CPC classification number: H01L21/02568 , H01L21/02521 , H01L21/02587 , H01L33/44
Abstract: 本发明涉及一种等离子体激元增强量子点光学膜的制备方法，利用旋涂成膜工艺技术，在ITO玻璃衬底上，分别以金属量子点层作为等离子激元增强层、以有机高分子化合物作为隔离层、以CdSe量子点/有机高分子复合膜层作为光致发光层，制备等离子体激元增强量子点光学膜。本发明所提出的制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单。此外，由于采用简单的旋涂工艺技术，实现复合膜中各个膜层厚度精确可控，分散性良好，充分利用高分子有机物对金属量子点与半导体量子点间距的阻隔和调控，实现金属量子点对半导体量子点处光场强度分布等参数有效控制，有效提高其量子点光学膜的光致发光性能，在新型光电显示器件中将具有非常重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN104409775A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410237593.3
申请日：2014-05-31
Applicant: 福州大学
IPC: H01M10/058
CPC classification number: H01M10/058
Abstract: 本发明涉及一种圆环形锂电池的3D打印工艺，首先制备出打印锂电池正负电极浆料，再制取隔膜浆料，随后利用特定的3D打印工艺制备出以磷酸铁锂为阴极材料，以聚酰亚胺为隔膜、以钛酸锂为阳极材料的正极、隔膜及负极依次交叠的圆环形复合电极材料。本发明基于圆环形锂电池的3D打印工艺，制备方法新颖，工艺简单，精确可控，所制备的材料具有特殊阴极、隔膜及阳极依次交叠分布结构、大的比表面积；这一叠层圆环电极材料大大缩短了锂离子在材料中的扩散距离，提高了相应的扩散速度，具有较高的离子及电子电导率，在高性能锂离子电池领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN104409774A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410237589.7
申请日：2014-05-31
Applicant: 福州大学
IPC: H01M10/058 , H01M4/139
CPC classification number: H01M10/058 , H01M4/139 , H01M10/052
Abstract: 本发明涉及一种锂电池的3D打印方法，首先制备3D打印所需的正、负极浆料及其隔膜浆料。再将各浆料分别打印出锂电池的正、负电极以及位于上述两者之间的电极隔膜层，随后，在试管炉中用氩气保护下热处理制备得到正极、隔膜层及负极交叠组装的环状电极复合材料；再转移到手套箱内进行封装，最终得到阴极、隔膜及阳极依次交叠的圆环形锂离子电池。本发明制备方法新颖，工艺简单，精确可控，所制备的材料具有特殊阴极、隔膜及阳极依次交叠分布结构、大的比表面积；每一阴极、隔膜和阳极圆环材料本身组成一个微型锂离子电池，大大缩短了锂离子在材料中的扩散距离，提高了相应的扩散速度，具有较高的离子及电子电导率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102621198B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201210057850.6
申请日：2012-03-07
Applicant: 福州大学
IPC: G01N27/30
Abstract: 本发明公开了一种多元金属氧化物气敏传感器气敏元件及其制备方法。本发明主要是采用电纺丝静电场组装方法在梳齿电极上沉积纳米丝状壳核结构材料，采用低温水热负载方式在梳齿电极上的壳核结构外层包覆气敏薄膜源材料，再进行热处理合成气敏材料。本发明制得的元件上有定向排列近单层金属氧化物复合纳米丝/纳米管气敏材料，可直接装配成气敏传感器，使用方便且具有良好的气敏灵敏度和选择性。制备方法简单，具备显著的经济和社会效益。
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公开(公告)号：CN103000904A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210555920.0
申请日：2012-12-20
Applicant: 福州大学
Inventor： 杨尊先
Abstract: 本发明公开了一种一维壳核/多孔结构锡碳锂电电极材料及制备方法，由碳纳米管包覆锡碳复合材料组成的一维壳核结构材料，以碳纳米管为壳，以多孔结构的锡碳复合纳米材料为核，利用AAO模板，通过制备碳纳米管、灌注及低温聚合、高温合成与碳化、去除模板等工艺，制备出一维壳核/多孔结构锡碳锂电电极材料。本发明运用两次模板法制备具有一维壳核/多孔分级结构纳米复合材料，方便可行，所制备的材料具有高比表面积、良好的导电性、结构稳定性及电化学循环性能，在锂二次电池电极负极材料领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN102263244A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110177982.8
申请日：2011-06-29
Applicant: 福州大学
IPC: H01M4/1395 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种用于锂离子电池的碳限域包覆Sn/MgO纳米线阵列的制备方法，以通孔AAO为模板，采用CVD、水热、热处理等制备出碳限域包覆Sn/MgO纳米线阵列三维结构膜层材料。本发明可有效地解决锡基材料因体积膨胀而导致循环稳定性差的问题，为该新型复合材料实用化奠定技术基础。
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公开(公告)号：CN115651638B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202211580432.5
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种具有一维核壳异质结构的PN结CdSe/PbS/CdS量子阱材料及其制备方法，由硒化镉材料和硫化镉材料包裹硫化铅材料所组成的核壳结构材料，以硒化镉为核，以硫化铅为中间层，再以硫化镉为壳，通过制备有机前驱体、热注入法、高温合成与退火、纯化等工艺，制备出核壳异质结构CdSe/PbS/CdS量子阱材料。本发明运用热注入法制备具有核壳异质结构CdSe/PbS/CdS量子阱材料，过程清晰明了，操作便于控制，所制备的具有N‑P‑N异质结型的材料，相比于其他的量子点具有更优异的量子效率、良好的光学特性、可调的激发波长，在量子点的照明、光电探测、显示技术等材料领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN111952468B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202010828202.0
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
IPC: H10K50/115 , H10K71/12
Abstract: 本发明提出一种基于量子点反溶剂去除发光层中有机物量子点发光二极管及其制备方法，包括：衬底以及设置在所述衬底上的：空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极；所述量子点发光层通过量子点与有机物混合旋涂制备。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，其通过在量子点层上旋涂量子点反溶剂去除部分有机物，使得量子点与功能层接触良好的同时有效阻挡了电子传输层和空穴传输层的直接接触，减小了漏电流，使得电子和空穴在量子点层实现了有效的复合，抑制了俄歇复合的发生。可使量子点发光二极管的寿命以及性能大大提高。
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