-
公开(公告)号：CN114672855A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210322975.0
申请日：2022-03-29
申请人： 电子科技大学
摘要： 一种超薄铜箔的制备方法，属于铜箔制备技术领域。包括：1)载体铜箔依次在微蚀液、酸洗液和去离子水中浸泡；2)上步处理后的载体铜箔在有机溶液中浸泡，形成阻挡层；3)上步处理后的载体铜箔在导电层溶液中浸泡，形成导电层；4)采用电泳的方法在导电层上形成结晶层；5)电沉积，形成超薄铜箔；6)苯并三氮唑溶液中浸泡后，与PCB板压合，固化，机械去除载体铜箔，得到超薄铜箔。本发明采用阻挡层、导电层和结晶层三层结构作为剥离层，得到的超薄铜箔镀层细致平整，很容易使压合后的超薄铜箔与载体铜箔分离，而且，该剥离层既满足了金属层的高导电性，又具备有机剥离层的细致、均匀、平整的优点。
-
公开(公告)号：CN114657610A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210311750.5
申请日：2022-03-28
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种可剥离超薄载体铜箔的制备方法，为5G通信高频高速印制电路板提供关键性材料。本发明的可剥离超薄载体铜箔按照顺序依次为18μm载体铜箔、浸镀金属层、有机阻挡层、剥离层、超薄铜箔层及粗化层，本发明的浸镀金属层能够降低铜面的等电位点，增强载体铜箔与有机层的结合力，满足抗剥离强度的要求；将有机层和金属层共同作为剥离层使用，能够解决单一有机层在电沉积超薄铜箔层时容易引起导电不良、厚度不均匀以及使用前易于脱离载体的问题。本发明所制备的超薄载体铜箔厚度均在5μm左右，且都能成功剥离，表面也无铜粉和剥离层的残留。
-
公开(公告)号：CN113501976B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202110916832.8
申请日：2021-08-11
申请人： 电子科技大学
摘要： 一种电磁屏蔽自修复亲肤水凝胶的制备方法，属于功能材料技术领域。本发明通过高温热解竹荪得到生物质碳粉末；然后采用预处理后化学镀的方法催化还原磁性金属纳米颗粒实现在生物质碳粉末上的附着，得到磁性电磁屏蔽粉末；最后通过将磁性电磁屏蔽粉末引入物理交联自修复亲肤水凝胶中制备而成。本发明制得的电磁屏蔽自修复亲肤水凝胶，具有电磁屏蔽、自修复的双重功能，其电磁屏蔽效能在X波段高达57dB；该材料受到损伤后在常温就能够实现自修复，且自修复响应速度快，将断裂的两部分表面在室温下接触放置1h即可完成自修复，修复后的水凝胶电磁屏蔽效能在X波段可达45dB。
-
公开(公告)号：CN112996266B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202110180630.1
申请日：2021-02-08
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明提供一种用于PCB化学镀铜生产的一体锁止挂篮，属于多层印制电路制造技术领域。本发明采用一个锁止装置作为固定装置，通过将锁止装置作为挂篮的一部分，利用了锁止装置中传动齿条的移动实现整个装置的锁定/释放状态的切换，在能够提供良好支撑的前提下，同时具有简易的操作方式和广泛的兼容性，能够实现化学镀铜生产效率的提升。该设计与现有的生产设备相比，可以有效的提高生产效率，减少操作流程。
-
公开(公告)号：CN113628875B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110927619.7
申请日：2021-08-13
申请人： 电子科技大学 , 珠海方正科技高密电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于超薄改性绝缘层沉积磁芯制备电感器的方法。目前，业界通常使用绝缘层作为磁芯层与电感导线间的隔离层，但使用的绝缘层的厚度较厚和与磁芯层间的结合力较差。本发明通过在电感器的铜导线表面附着超薄绝缘隔离层作为催化层，通过化学沉积的方式形成磁性薄膜制备出磁芯电感器。一方面解决了因磁芯层与电感之间因间隔距离太大降低了电感器的性能问题，另一方面磁芯层是通过化学沉积的方式形成在绝缘隔离层解决了磁芯层的结合力不足问题。
-
公开(公告)号：CN114310038A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210177520.4
申请日：2022-02-24
申请人： 电子科技大学 , 珠海方正科技高密电子有限公司
摘要： 本发明提供一种银盐纳米银复合焊膏及制备方法烧结方法和应用，原料包括表面均匀包裹一层聚乙烯吡咯烷酮的纳米银颗粒、银盐与乙二醇，制备方法包括：S1：使用表面均匀包裹PVP的纳米银颗粒，与乙二醇配制纳米银溶液；S2：研磨银盐，将银盐颗粒加入纳米银溶液，获得银盐及纳米银混合溶液；S3：将银盐及纳米银混合溶液采用机械振荡做均匀混合处理，获得均匀的银盐纳米银复合焊膏；本发明利用乙二醇的还原性，形成还原银盐及纳米银焊膏烧结的协同作用，提高烧结体致密度，减少整个烧结过程中纳米银颗粒的氧化程度，提高了烧结体与基板之间的界面结合力，提高了烧结体的致密度，并降低整体烧结温度，达到烧结体高剪切强度和低孔隙率的要求。
-
公开(公告)号：CN113825315A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202111085019.7
申请日：2021-09-16
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H05K3/02
摘要： 本发明公开了一种挠性基材表面覆铜箔的制备方法，属于印制电路制造领域。所述方法为先将挠性基材进行等离子处理，使挠性基材表面产生空洞和极性基团；再将铜箔进行氧化处理，使铜箔形成具有氧基团的粗糙表面；随后将氧化铜箔置于三甲基铝水解产生的甲基铝氧烷中使得甲基铝氧烷吸附在氧化铜箔表面；最后将挠性基材与吸附了甲基铝氧烷的氧化铜箔热压得到复合材料。所述挠性基材表面覆铜箔的方法简单，避免了纯胶的使用，大大降低了最终产品的厚度，符合电子产品轻薄化的趋势；工艺方案中所需设备与现有生产设备兼容，所需生产条件容易达到；得到的复合材料剥离强度高，可达工业应用的标准。
-
公开(公告)号：CN110923771B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201911294206.9
申请日：2019-12-16
申请人： 电子科技大学 , 四川英创力电子科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种印制电路板的通孔电镀方法，包括以下步骤：使氧化石墨烯接枝γ‑氨乙基氨丙基三甲氧基硅烷，得到产物A；使产物A吸附活性金属离子，得到产物B；使产物B物理吸附到印制电路板通孔孔壁的绝缘基材表面，形成吸附层；通过化学还原过程使吸附层转化为导电层；对具有导电层的通孔孔壁电镀形成金属层。本发明选用氧化石墨烯并接枝γ‑氨乙基氨丙基三甲氧基硅烷，由于接枝界面处形成高密度氧键功能位点，有效提升了对活性金属离子的吸附能力，同时导电层表面的乙二胺基团在电镀过程中能够有效提升对溶液中铜离子的捕捉能力，加速了铜离子的传质作用，有利于孔内铜镀层的加速沉积，从而大幅增强了镀液的均镀能力。
-
公开(公告)号：CN111289493B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202010226998.2
申请日：2020-03-27
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于拉曼检测领域，具体涉及一种基于金属‑介电纳米材料复合结构表面增强拉曼基底及其制备方法。本发明拉曼增强基底通过将具有高Q值的介电微球沉积到单层贵金属纳米颗粒上形成金属‑介电纳米材料复合结构，并结合捕获法，即使用偶联剂将二氧化硅表面官能化，表面接枝官能团的介电微球可以与待测溶液中的目标分子有效结合，在介电微球自组装到单层金纳米颗粒表面构成复合结构，在增强电场定位的强度的同时并使目标分子靠近电磁“热点”，从而获得较强的SERS信号，实现对待测物质的快速高灵敏度的检测。
-
公开(公告)号：CN113133223A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110400347.5
申请日：2021-04-14
申请人： 电子科技大学 , 珠海方正科技高密电子有限公司
IPC分类号： H05K3/40
摘要： 本发明涉及一种印制电路板半塞孔的制作方法，属于电路板生产技术领域。本发明通过在制作塞孔时在印制电路板下垫一层筛网片，严格控制温度，通过毛细管现象控制半塞孔深度，解决了现有半塞孔制作工艺中，深度不易控制、步骤繁琐、清洁不净的问题，从而简化了生产步骤，提升了产品合格率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
265 条记录 (耗时 0.076 秒)
