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公开(公告)号：CN108807586A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810399948.7
申请日：2018-04-28
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: 基于氧化镓偏振选择特性的带通日盲紫外探测器，包括β相的氧化镓衬底、金属(Au)叉指状电极、绝缘介质钝化层和另一同晶体取向的β相氧化镓单晶滤光片，在(100)、(001)或(010)β相的单晶衬底上沉积金属得到叉指状电极阵列，然后覆盖绝缘介质钝化层，所述绝缘介质钝化层漏出金属(Au)叉指状电极；氧化镓单晶滤光片是位于Au叉指状电极器件的上方2‑5mm处放置，氧化镓单晶滤光片的晶体取向与衬底相同，面积稍大于衬底，氧化镓单晶滤光片面内晶体取向垂直于氧化镓衬底。上述器件具有封装结构，可以实现阵列化信号输出。本探测器能实现有效的滤除杂波，增强对短波的抑制作用，实现窄带的日盲紫外探测器；探测器结构简单，成本较低，抑制较高，有利于推广使用。
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公开(公告)号：CN108063364A
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201810012159.3
申请日：2018-01-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于砷化镉可饱和吸收材料的半导体外腔锁模激光器。依次由可连续、直接工作于中红外波段的半导体激光器、砷化镉薄膜、衍射光栅、透镜和反射镜构成；其中半导体激光器经透镜准直、衍射光栅衍射最终聚焦在砷化镉薄膜与反射镜构成的物理组合结构上，形成锁模脉冲；用于实现锁模脉冲输出的砷化镉薄膜厚度控制在30nm‑1μm，该可饱和吸收体工作波长覆盖2‑6微米的红外区域。本发明可以在中红外波段直接实现超快、高稳定、波长可调谐的锁模脉冲输出。
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公开(公告)号：CN108039636A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711317260.1
申请日：2017-12-12
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01S3/06716 , H01S3/06712 , H01S3/1083 , H01S3/1115 , H01S3/1616
Abstract: 本发明公开了一种基于2μm超短脉冲激光泵浦的中红外光纤光参量振荡器，包括被动锁模的2μm可调谐超短脉冲激光源和以硫系光纤作为非线性介质的光纤光参量振荡器谐振腔；所述的2μm可调谐超短脉冲激光源和光纤光参量振荡器谐振腔相连，通过调谐泵浦光波长或谐振腔长度，均可实现中红外激光宽带可调谐输出。本发明结构简单，可靠性高，具有广泛的应用前景和巨大的发展潜力。
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公开(公告)号：CN107611004A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710691390.5
申请日：2017-08-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种制备自支撑GaN衬底材料的方法，在衬底如蓝宝石或硅片上用水热法生长氧化镓纳米柱有序阵列，并在氨气气氛中对氧化镓纳米柱进行部分或全部氮化形成氮化镓包覆氧化镓即GaN@Ga2O3或者GaN纳米柱有序阵列；在上述含有GaN纳米柱有序阵列的衬底上进行GaN的氢化物气相外延(HVPE)横向外延和厚膜生长，获得低应力高质量的GaN厚膜材料；利用化学腐蚀去掉界面层氧化镓即可获得自支撑GaN衬底材料；或者利用氧化镓/氮化镓与异质衬底如蓝宝石之间的热应力，采用控制降温速率的方法实现纳米柱与蓝宝石衬底的原位自分离获得GaN衬底材料。
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公开(公告)号：CN107574479A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710691177.4
申请日：2017-08-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种氢化物气相外延生长系统，包括生长区和气路系统，气路系统中进气管路包括氨气管路、氧气管路和氯气管路，在生长氮化镓时使用氨气作为反应气体，在生长氧化镓时使用氧气作为反应气体；外延生长系统的生长区包括低温生长区和高温生长区，高温生长区的外侧为废气排出管路；低温生长区附近还设有Ga舟，氯气管路伸进Ga舟；该系统既用于氧化镓薄膜的生长、用于氮化镓薄膜的生长或用于氮化镓/氧化镓复合结构薄膜的生长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107574477A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710692091.3
申请日：2017-08-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种大尺寸GaN衬底材料的制备方法，在蓝宝石或硅片衬底上利用溶胶-凝胶法制备大尺寸、厚度均匀的氧化镓薄膜，并在氨气气氛中对氧化镓进行部分或全部氮化形成GaN/Ga2O3或者GaN薄膜作为缓冲层；在上述含有GaN薄膜缓冲层的衬底上进行GaN的氢化物气相外延(HVPE)同质厚膜生长，获得厚度均匀分布的大尺寸GaN厚膜材料；利用化学腐蚀去掉界面层氧化镓即获得自支撑GaN衬底材料；或使用传统的激光剥离等方法去除异质衬底获得GaN自支撑衬底材料。
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公开(公告)号：CN105206727B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201510645324.5
申请日：2015-10-08
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种InGaN/GaN多量子阱单纳米柱LED器件，InGaN/GaN多量子阱纳米柱两端的n型GaN层和p型GaN层离金属电极膜的距离在100nm以内或直接接触金属电极膜，且中间的InxGa1‑xN/GaN量子阱有源层与金属电极膜隔离，在InGaN/GaN多量子阱纳米柱两端与金属电极膜接触的部位通过聚焦离子束系统二次沉积金属电极形成欧姆接触。本发明方法的主要特点是使用紫外光光刻和聚焦离子束二次沉积形成纳米柱的欧姆接触，使用该方法能够显著提高电极与纳米柱的对准精度和制备成功率，以及在制备电极的同时，不损伤InGaN/GaN多量子阱，从而实现较好的金属半导体接触，提高电注入的电流密度从而增加发光亮度。该方法适用于制备单纳米柱InGaN/GaN发光二极管，尤其适用于尺度小于紫外光光刻极限的纳米器件。
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公开(公告)号：CN106772733A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611214747.2
申请日：2016-12-26
Applicant: 南京大学
CPC classification number: G02B5/1814 , G02B5/1857 , G02B5/1861 , H01S3/106
Abstract: 一种三维狄拉克半金属衍射光栅，使用零带隙、线性能量色散关系的三维狄拉克半金属材料作为衍射光栅刻线材料，该光栅工作波长覆盖2‑6微米的红外区域，多种非线性光学参数可调控；器件包括由三维狄拉克半金属材料构成的衍射光栅功能层和承载该功能层所需的光学元件。所述的三维狄拉克半金属衍射光栅具有高反射率型和低反射率型两种模式一种基于三维狄拉克半金属的衍射光栅器件。本发明还提供了利用该三维狄拉克半金属衍射光栅的可饱和吸收(或超快光学开关)特性产生波长可调谐红外脉冲激光器的具体方案。
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公开(公告)号：CN106757323A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611103463.6
申请日：2016-12-05
Applicant: 南京大学
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/403 , C30B29/60
Abstract: 一种制备无应力InN纳米线的方法，利用CVD设备升华法生长InN纳米线；衬底采用蓝宝石、硅或石英玻璃、GaN/蓝宝石(硅)，衬底清洗后，先覆盖单层或多层石墨烯薄膜；将覆有石墨烯薄膜的衬底表面沉积Au，放入CVD管式炉生长系统中，开始InN纳米线生长；常压，生长温度：500–800℃；高纯N2作为载气先吹扫管式炉去除空气等，然后持续通气保护InN纳米线外延，生长期间总N2载气流量0‑5slm；In源采用常规的高纯金属铟升华铟蒸汽和高纯氨气N H3反应生成InN。高纯氨气作为氮源，NH3流量：100–2000sccm；生长时间30‑150分钟。
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公开(公告)号：CN106381523A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201610810916.2
申请日：2016-09-08
Applicant: 南京大学
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/10 , C30B25/14
Abstract: 一种立式氢化物气相外延生长系统，包括反应腔体、石墨支托、外延生长衬底、真空装置和加热系统，石墨支托设置在反应腔体的生长区，其特征是反应腔体为立式结构，反应腔体内生长区高度1～10cm，反应腔体由腔体管和多支气体导管组成，反应源气体和负载气体的气体导管位于腔体管的上部入口部份向下延伸，用于将反应气体送至生长区的石墨支托上的外延生长衬底处，真空装置的吸入口接反应腔体一个出口，使反应腔体内保持0.1-1个大气压；腔体内2-3种反应源气体进气气体导管采用非同轴结构分布于腔体管的中心轴线两侧。
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