一种防污基板及其制备方法

    公开(公告)号:CN107546185B

    公开(公告)日:2020-08-18

    申请号:CN201710585282.X

    申请日:2017-07-17

    发明人: 邱基华

    摘要: 本发明公开了一种防污基板,包括:基底;所述基底的表面至少具有一个功能区域;所述功能区域至少一部分具有涂层;所述功能区域上具有多个凸台,所述凸台的平均高度为10~2000nm,凸台的平均直径为20~500nm,凸台的平均直径与相邻凸台之间的平均间距的比值为0.1~10;所述涂层采用疏水材料制成。本发明还公开了一种防污基板的制备方法。本发明制备的防污基板具有较强的防污性和耐磨性,且基底有多种选择,本发明所述防污基板直接在基板表面蚀刻,可以解决表面耐磨性差的问题,同时可以通过控制表面蚀刻的深度来控制样品表面外观,采用本发明的防污基板的制备方法生产成本较低,工艺简单,可以大规模批量生产。

    一种阻值范围为10Ω/□~100Ω/□的厚膜电阻浆料及其制备方法

    公开(公告)号:CN110580993A

    公开(公告)日:2019-12-17

    申请号:CN201910830323.6

    申请日:2017-10-23

    发明人: 邱基华

    摘要: 本发明是基于“CN2017000998988一种厚膜电阻浆料”的分案申请,本发明公开了一种阻值范围为10Ω/□~100Ω/□的厚膜电阻浆料厚膜电阻浆料,采用10Ω/□的厚膜电阻浆料和阻值为100Ω/□的厚膜电阻浆料以任意比例混合后,得到的电阻浆料的电性能都不会恶化,具有良好的混合性能,且通过调节相邻阻值档的混合比例,可得到相邻两档阻值之间的任一阻值,不需要再制备中间阻值档,降低了生产制造成本。本发明还公开了阻值范围为10Ω/□~100Ω/□的厚膜电阻浆料厚膜电阻浆料的制备方法。

    一种厚膜电阻浆料
    143.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108053960B

    公开(公告)日:2019-10-15

    申请号:CN201710998988.9

    申请日:2017-10-23

    发明人: 邱基华

    摘要: 本发明公开了一种厚膜电阻浆料,本发明还提供了一种阻值范围为0.1Ω/□~10MΩ/□范围的厚膜电阻浆料及其制备方法。本发明所述厚膜电阻可以通过混合0.1Ω/□~10MΩ/□范围内0.1Ω/□、1Ω/□、10Ω/□、100Ω/□、1kΩ/□、10kΩ/□、100kΩ/□、1MΩ/□和10MΩ/□九个相邻阻值档的厚膜电阻浆料得到相邻阻值之间的任意阻值的厚膜电阻浆料,相邻阻值档的浆料混合具有良好的混合性能,混合后电性能不会恶化,相邻阻值档的电阻浆料以任意比值混合得到的电阻浆料,不存在中间档过渡段,大大降低了生产成本。

    一种移动终端陶瓷复合中框及其制备方法

    公开(公告)号:CN110324467A

    公开(公告)日:2019-10-11

    申请号:CN201910524043.2

    申请日:2019-06-17

    IPC分类号: H04M1/02 C04B41/00

    摘要: 本发明公开了一种移动终端陶瓷复合中框,包括陶瓷边框、金属中板,所述陶瓷边框和金属中板之间通过塑胶骨架实现连接,所述金属中板、陶瓷边框设有搭接结构,所述塑胶骨架两侧设有咬合结构,所述塑胶骨架一侧的咬合结构与陶瓷边框的搭接结构连接,所述塑胶骨架另一侧的咬合结构与金属中板的搭接结构连接。本发明中的陶瓷复合中框由陶瓷边框、金属中板进行模内注塑而成。中框外观面具有陶瓷温润如玉、坚硬耐磨的质感;可以根据天线设计需要,在陶瓷边框内部实现局部金属化,便于天性设计和布局,整体中框质感和效果绝佳。同时,本发明还公开一种所述移动终端陶瓷复合中框的制备方法。

    一种具有涂层的焊接陶瓷劈刀

    公开(公告)号:CN107052557B

    公开(公告)日:2019-09-24

    申请号:CN201710192297.X

    申请日:2017-03-28

    发明人: 邱基华

    摘要: 本发明公开了一种具有涂层的焊接陶瓷劈刀,所述焊接陶瓷劈刀包括本体、位于本体一端的焊嘴和孔;所述孔沿本体的纵轴和焊嘴延伸;所述焊嘴的内表面至少一部分具有涂层A;所述涂层A的材料为氮化硅、氮化铝和六方氮化硼中的至少一种。本发明所述陶瓷劈刀的涂层的工艺简单,成本低;涂层与陶瓷本体的粘接性高;涂层可以防止陶瓷劈刀的内表面与焊线粘连;涂层的耐磨性好,可以提高劈刀的使用寿命。

    包装信息检测方法及装置
    146.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106096677B

    公开(公告)日:2018-12-04

    申请号:CN201610404355.6

    申请日:2016-06-08

    发明人: 邱基华

    IPC分类号: G06K17/00

    摘要: 本发明涉及一种包装信息检测方法及装置,通过获取并识别外条形码图像以及内条形码图像,即可获得外包装信息以及内包装信息,无需人工进行单个物件的内条形码扫描导致的时间浪费,节约时间,提高检测效率,另外,分别对外包装信息和内包装信息进行验证检测,当外包装信息与预设外包装信息一致,且内包装信息与预设内包装信息一致时,则表示包装信息是正确无误的,提示待检测包装合格,实现对包装信息的检测,当包装内物件数量较多时,也能快速地获取包装内物件的内条形码图像,以及获取对应的内包装信息,并可快速进行一致性验证检测,提高检测效率。

    一种固体氧化物燃料电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN108630949A

    公开(公告)日:2018-10-09

    申请号:CN201810243395.6

    申请日:2018-03-22

    发明人: 陈烁烁 邱基华

    IPC分类号: H01M4/86 H01M4/88

    摘要: 本发明公开了一种固体氧化物燃料电池的制备方法,包括至少一层阳极层;至少一层阴极层;设于所述阳极层和所述阴极层之间的电解质层;其中,所述阳极层和/或阴极层为多孔结构;所述阳极层和/或阴极层的多孔结构中含有金属氧化物纳米颗粒。同时,本发明还公开一种所述固体氧化物燃料电池的制备方法,本发明直接将纳米金属氧化物通过金属氧化物前驱体引入再热处理的方法引入阳极及阴极孔道中,方法简单易行且大大的降低了电池衰减速率。

    一种氧化锆陶瓷材料组合物

    公开(公告)号:CN108585844A

    公开(公告)日:2018-09-28

    申请号:CN201810527020.2

    申请日:2018-05-28

    发明人: 邱基华

    IPC分类号: C04B35/48

    摘要: 本发明公开了一种氧化锆陶瓷材料组合物,所述氧化锆陶瓷材料组合物包括氧化锆陶瓷主体材料和添加剂;所述添加剂包含氧化饵、第一氧化物和第二氧化物;所述第一氧化物为氧化镁、氧化钙、氧化锌、氧化钡和氧化锶中的至少一种;第二氧化物为氧化铝和/或氧化镓;在所述氧化锆陶瓷材料组合物中,所述氧化饵的重量百分含量为0.5~16%;所述第一氧化物的重量百分含量为0.01~15%;所述第二氧化物的重量百分含量为0.01~15%。本发明所述氧化锆陶瓷材料组合物制得的氧化锆陶瓷为粉红色氧化锆陶瓷,与现有的粉红色陶瓷材料相比,本发明制得的氧化锆陶瓷硬度和强度更高,且透光性和色度好。

    一种氧化锆陶瓷材料组合物及其应用

    公开(公告)号:CN108558395A

    公开(公告)日:2018-09-21

    申请号:CN201810526689.X

    申请日:2018-05-28

    发明人: 邱基华

    IPC分类号: C04B35/48 C04B35/622

    摘要: 本发明公开了一种氧化锆陶瓷材料组合物,包含以下质量百分含量的成分:氧化铁0.01-4%、氧化铝0.01-15%、氧化钇2-7%、氧化镍0.01-7%,余量为含有氧化铪的氧化锆,且所述氧化锆陶瓷材料组合物不含钴。本发明所述陶瓷材料组合物中不含钴;镍离子能够以玻璃相的形式分布在氧化锆的晶界处,以提高氧化锆晶体的可滑移性,进一步达到提高氧化锆陶瓷的韧性和强度;色剂离子以离子状态沉积到氧化锆陶瓷颗粒表面,直接包覆在氧化锆陶瓷颗粒表面,使色剂着色离子与陶瓷颗粒混合均匀性较好,色度均匀性好。同时,本发明还公开了采用所述组合物制备而成的氧化锆陶瓷以及所述氧化锆陶瓷的制备方法。

    一种厚膜电阻浆料
    150.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108053960A

    公开(公告)日:2018-05-18

    申请号:CN201710998988.9

    申请日:2017-10-23

    发明人: 邱基华

    摘要: 本发明公开了一种厚膜电阻浆料,本发明还提供了一种阻值范围为0.1Ω/□~10MΩ/□范围的厚膜电阻浆料及其制备方法。本发明所述厚膜电阻可以通过混合0.1Ω/□~10MΩ/□范围内0.1Ω/□、1Ω/□、10Ω/□、100Ω/□、1kΩ/□、10kΩ/□、100kΩ/□、1MΩ/□和10MΩ/□九个相邻阻值档的厚膜电阻浆料得到相邻阻值之间的任意阻值的厚膜电阻浆料,相邻阻值档的浆料混合具有良好的混合性能,混合后电性能不会恶化,相邻阻值档的电阻浆料以任意比值混合得到的电阻浆料,不存在中间档过渡段,大大降低了生产成本。