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公开(公告)号：CN114914647B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202210539598.6
申请日：2022-05-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/20
Abstract: 一种基于铁氧体材料的可调谐宽带带阻滤波器，属于微波磁学器件技术领域。包括金属谐振腔、以及位于金属谐振腔之内的平面化谐振电路，平面化谐振电路包括铁氧体基板和位于铁氧体基板之上的微带电路，微带电路采用四分之一波长短截线耦合方式。本发明采用铁氧体材料作为微带电路地介质基板，实现了可调谐宽带带阻滤波器平面化，在外加偏置磁场下实现了阻带可调；在铁氧体材料的基板上形成微带电路，微带电路为多枝节结构，加强了可调谐带阻滤波器的调谐范围，增强了射频磁场强度，促进铁氧体材料在发生铁磁共振效应时吸收能量，实现了最大阻带深度大、可调谐范围宽的效果，阻带宽度达到5GHz以上，最大阻带深度达到了‑108dB以下。
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公开(公告)号：CN114512816B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202210192208.2
申请日：2022-03-01
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种高效率反射式太赫兹波束偏折器，包括M×N阵列排列的超排列单元，所述超排列单元由K个1×K排列的超表面单元组成，所述超表面单元包括介质基板、位于介质基板上表面的矩形贴片和位于介质基板下表面的金属层，所述矩形贴片与介质基板具有相同的中心；所述超排列单元中的K个超表面单元的矩形贴片的长度各不相同。本发明提供的一种高效率反射式太赫兹波束偏折器，可实现对线极化馈源的反射传输，在线极化电磁波的激励下，实现了工作频点附近良好的波束偏转效果，且该超表面的反射效率达到90％以上。
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公开(公告)号：CN114267388B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202111362286.4
申请日：2021-11-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: G11C11/15
Abstract: 本发明属于新型自旋量子磁存储器术领域，具体为一种基于反常自旋量子霍尔效应的MRAM芯片电路。该MRAM芯片电路的存储单元是PtBi/BiTmIG自旋异质结构建的四端口霍尔棒器件，利用反常霍尔检测电流发生模块提供的0.1mA检测电流和反常霍尔脉冲发生模块提供的10mA脉冲电流，来实现数据的读写。在读取过程中，利用反常霍尔效应，无需外加磁场且误码率低、响应速度快；在写入过程中，利用自旋轨道矩效应，实现极小电流密度驱动自旋磁矩翻转再带动薄膜磁矩翻转的数据写入新方法，极大地降低了数据写入电流密度和功耗。本发明的MRAM芯片电路具有单元器件制备工艺简单、读写电流密度低、功耗低、工作频率范围宽的特点。
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公开(公告)号：CN115432731A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211248904.7
申请日：2022-10-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于有机‑无机杂化半导体材料技术领域，具体为一种反型Cs8Sn3GaI24/Cs8Sn3InI24杂化复合材料及其制备方法；本发明中反型Cs8Sn3GaI24/Cs8Sn3InI24杂化复合材料的形貌为纳米立方体构成的薄膜结构，由Ga3+和In3+离子联合调控能级形成反型Cs2SnI6结构，晶型为面心立方结构，表面形貌为纳米立方体且表面分布有中空结构；本发明制备得杂化薄膜表面均一、致密，同时具有良好晶体学特性和光电性能，在太阳能光伏器件、发光二极管、传感器等领域具备良好的应用前景；并且，其制备方法无需高温煅烧，生产工艺简单、生产效率好、合成成本低且环保节能，适合大规模工业化制造。
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公开(公告)号：CN115430454A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211198103.4
申请日：2022-09-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于光催化技术领域，涉及半导体光催化剂，提供一种多孔片状氮化碳光催化材料及其制备方法；本发明先由三聚氰胺和氰尿酸通过分子自组装合成多孔片状氮化碳前驱体，再通过热聚合将KOH释放的OH‑与氮化碳边缘的氨基反应形成氮碳‑氰基，氮碳‑氰基作为电子受体与氮化碳七嗪环上的氮原子形成独特的电子供体‑受体系统，促进了光生载流子在分子内高效传输，解决了氮化碳中光生载流子复合严重的问题；同时，氮碳‑氰基的吸电子特性在光催化反应中充当活性位点，促进了光催化反应高效进行；氮化碳的多孔片状结构改善了纳米片团聚，增大了反应物与活性位点的接触机会；最终使得本发明在可见光下表现出优异的光催化还原二氧化碳活性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115418711A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202210792212.2
申请日：2022-07-05
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种改善磁性石榴石液相外延生长过程中晶片碎裂的方法，属于光通讯器件技术领域。包括：在非磁性石榴石基片背面依次制备黏附金属层、应力金属层和隔绝金属层；将非磁性石榴石基片正面浸入熔体中，采用液相外延法在非磁性石榴石基片正面生长Bi取代稀土类铁石榴石单晶膜。本发明提出的一种改善磁性石榴石液相外延生长过程中晶片碎裂的方法，在基片的背面设置热膨胀系数大于基片的应力层，抵抗在生长和降温过程中薄膜与基片之间热膨胀系数差异带来的应力，平衡晶片在生长过程中产生的翘曲；在基片和应力层之间设置黏附金属层，提高应力层的黏附性；在应力层上设置隔绝金属层，用于隔离应力层和高温熔体，防止熔体中的熔融氧化铅腐蚀应力层。
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公开(公告)号：CN111170732B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202010073220.2
申请日：2020-01-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供一种铟离子掺杂六角晶系M型钡铁氧体旋磁材料及制备方法，材料的化学式为BaFe12‑2xInxO19，x＝0.1,0.2,0.25,0.3,0.4,0.5,0.6,0.7,0.75,0.8,0.9,1,1.2,1.3和1.4，方法包括步骤：(1)原料为BaCO3、Fe2O3、In2O3，(2)将配制好的样品混合物、水和球磨用大小球加入到球磨罐，第一次球磨；(3)将上一步球磨后所得的浆料烘干过筛后放入匣钵压实，开始预烧，(4)将上一步得到预烧料与水混合进行二次球磨；(5)将上一步得到浆料烘干造粒过筛，借助模具压制成环和片；(6)将压制好的胚料烧结；本发明优化了传统固相反应法的技术工艺参数，方法可靠，按本发明所述方法得到样品性能稳定，适用于工厂大规模生产。
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公开(公告)号：CN114656261A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210310667.6
申请日：2022-03-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64 , C03C12/00 , H01P1/20 , H01P7/10
Abstract: 一种中介电常数LTCC微波介质陶瓷材料及其制备方法，属于电子信息功能陶瓷材料与电子器件技术领域。所述微波介质陶瓷材料包括97.5～99wt％的ZnZrNb2O8陶瓷和1～2.5wt％的LMZBS玻璃，LMZBS玻璃包括：10.62wt％的Li2O，14.32wt％的MgO，28.93wt％的ZnO，24.75wt％的B2O3，21.38wt％的SiO2。本发明微波介质陶瓷材料，烧结温度为875～950℃，介电常数为21～27，品质因数为19253～39729GHz，谐振频率温度系数为‑57～‑48ppm/℃，能够很好的满足当前移动通信技术领域小型化和集成化的发展需求。
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公开(公告)号：CN114512816A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210192208.2
申请日：2022-03-01
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种高效率反射式太赫兹波束偏折器，包括M×N阵列排列的超排列单元，所述超排列单元由K个1×K排列的超表面单元组成，所述超表面单元包括介质基板、位于介质基板上表面的矩形贴片和位于介质基板下表面的金属层，所述矩形贴片与介质基板具有相同的中心；所述超排列单元中的K个超表面单元的矩形贴片的长度各不相同。本发明提供的一种高效率反射式太赫兹波束偏折器，可实现对线极化馈源的反射传输，在线极化电磁波的激励下，实现了工作频点附近良好的波束偏转效果，且该超表面的反射效率达到90％以上。
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公开(公告)号：CN113345957B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202110557067.5
申请日：2021-05-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/66 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种基于载流子调控的自旋波场效应晶体管，属于量子自旋波器件领域。所述自旋波场效应晶体管包括基片，形成于基片上的底电极层和自旋波场效应结构，以及形成于自旋波场效应结构上的顶电极层和微波天线。该器件通过上下电极在垂直方向施加电压，使得半导体薄膜表面出现反型层，该反型层与磁性薄膜中自旋波传播平面密切接触，利用局部电压调整反型层中载流子浓度并对自旋波产生影响，实现对自旋波传输特性的电场调控。本发明中的自旋波器件功耗低、结构简单，与现有技术相比具有稳定可靠的随电场响应优势，半导体薄膜反型层厚度和载流子浓度随电场响应技术十分成熟，实现与现代半导体工艺技术相互兼容。
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