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公开(公告)号：CN118139514A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410255214.7
申请日：2024-03-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种超导电路基板结构及其制备方法，包括以下步骤：提供一包括相对设置的第一面及第二面的硅基板，形成贯穿硅基板且开口位于第一面及第二面上的贯穿孔，自第一面与第二面中至少一面扩大贯穿孔的开口以得到内壁倾斜的通孔；形成覆盖通孔内壁及第一面、第二面的第一绝缘层；于第一绝缘层表面依次形成覆盖第一绝缘层表面的第一超导金属层、覆盖第一超导金属层表面的第二绝缘层及覆盖第二绝缘层表面的第二超导金属层；基于第一超导金属层形成地线层，基于第二超导金属层形成信号线层；形成填充通孔的剩余部分的填充层。本发明的超导电路基板结构及其制备方法保证了超导电路基板结构的高频传输性能，能够实现超导集成电路弱信号的高频传输。
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公开(公告)号：CN112824555B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201911146193.0
申请日：2019-11-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及材料合成技术领域，具体是一种钛氧化物超导薄膜的制备方法，所述方法包括：S1、通过固相方法制备出钛氧化物的多晶靶材；S2、制备出待生产钛氧化物超导薄膜的衬底；S3、通过脉冲激光沉积系统烧蚀所述S1步骤的所述靶材，使将烧蚀后的所述靶材在所述S2步骤中衬底外延，制备出钛氧化物超导薄膜；本发明能够无需在生长过程中控制氧分压，进行制备钛氧化物超导薄膜材料，简化了钛氧化物超导薄膜材料生长工艺，提高超导转变温度。
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公开(公告)号：CN109633539B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201910061723.5
申请日：2019-01-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种磁源的静态定位装置及静态定位方法，所述静态定位装置包括：安装支架，用于提供安装平台；全张量磁梯度测量组件，设于所述安装支架上，用于测量待定位磁源在所述全张量磁梯度测量组件处产生的磁场梯度值；位置定位器，刚性连接于所述全张量磁梯度测量组件，用于测量所述全张量磁梯度测量组件在地理坐标系下的位置坐标；测控组件，电连接于所述全张量磁梯度测量组件及所述位置定位器，用于采集所述磁场梯度值及所述位置坐标，并根据采集的数据对运动状态下的所述待定位磁源进行实时定位。通过本发明解决了现有技术中无法对运动磁源进行高效定位的问题。
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公开(公告)号：CN115494375A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211307056.2
申请日：2022-10-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种超导器件的常温检测方法及系统，包括：选择参考超导器件，测定参考超导器件的常温电阻值以及低温下的工作状态；若参考超导器件在低温条件下的工作状态正常，则将参考超导器件的常温电阻值作为参考值；若参考超导器件的状态不正常，则重新选择参考超导器件；在常温条件下，测试被测超导器件的常温电阻值并与参考值进行对比，判断被测超导器件是否损害。本发明利用了超导器件的常温特性进行检测，检测方法快速高效，能适用于晶圆上的超导芯片的批量检测。
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公开(公告)号：CN110921637B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN201811102112.2
申请日：2018-09-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B21/064
Abstract: 本发明提供一种多层六方氮化硼薄膜的制备方法，包括如下步骤：1)提供一衬底；2)提供含硼固态催化剂，将含硼固态催化剂置于衬底上；3)将含硼固态催化剂进行退火处理，以使得含硼固态催化剂熔化；4)向溶化后的含硼固态催化剂所在环境内同时通入含氮气体及保护气体，含氮气体与含硼固态催化剂进行反应以于衬底表面形成多层六方氮化硼薄膜。本发明的多层六方氮化硼薄膜的制备方法可以在衬底表面制备横向尺寸达英寸级且厚度在几纳米至几百纳米之间的六方氮化硼薄膜；本发明的多层六方氮化硼薄膜的制备方法的制备条件简单、成本低廉、对环境友好、生长参数的窗口较宽、重复性好，为六方氮化硼在二维材料器件领域的应用奠定良好的基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112239203B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN201910640490.4
申请日：2019-07-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/19
Abstract: 本发明公开了一种多孔石墨烯分散液的电化学制备方法，包括以下步骤：配制电解液；以石墨材料作为原料，将所述石墨材料微波预处理；采用微波预处理后的所述石墨材料作为阳极，采用金属电极或石墨电极作为阴极，在所述电解液中电解剥离所述石墨材料，得到剥落物；收集所述剥落物，经洗涤、干燥，得到石墨插层化合物；将所述石墨插层化合物加入分散介质溶剂中，并超声处理，得到多孔石墨烯分散液。本发明相对于现有技术，通过一步电化学反应即可制备多孔石墨烯，该制备方法简单高效，条件温和，对设备要求低，对环境无污染，成本低廉，有利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN111443442B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202010192524.0
申请日：2020-03-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种SNSPD阵列与光波导阵列的耦合装置及方法，该耦合装置包括金属底座、硅衬底层、DBR介质层和上表面刻蚀有SNSPD阵列的氮化铌层，光波导阵列和固定座，其中，单元光波导与单元SNSPD一一对应，固定座的一端与光波导阵列的侧表面连接另一端与金属底座的上表面连接。本申请相较于传统的单个SNSPD器件与单根光纤耦合的方法，本申请具有提高SNSPD集成度、拓展器件规模等优点，并且还有助于提高工作效率和实现SNSPD大批量生产，此外，相较于片上集成斜入射耦合或射倏逝波耦合方法，采用分离式垂直耦合的方法将SNSPD阵列与光波导阵列直接耦合，能够有效减少光路损耗，提高光耦合效率。
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公开(公告)号：CN113406397A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110802223.X
申请日：2021-07-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明提供一种低温固体介电常数测量方法，通过测试装置对具有待测固体介质的平板电容器进行降温，通过电容测量仪测量电容值，以及通过热应力仿真获得形变量，从而结合电容值及形变量，进行数据处理，可获得固体介质层在测试温度下的介电常数。本发明通过原位电容测量与低温形变仿真相结合的方式，可精确测试固体介质层在低温环境下的介电常数，测试方法简便，在低温环境下可行；采用开尔文四探针法测量电容值减小测试误差；通过热应力分析软件进行实体建模仿真分析，可使低温固体介电常数的计算更加准确；通过设计多组不同尺寸规格的平板电容器可得到多组电容值，经过数据处理，可进一步的减小测量误差。
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公开(公告)号：CN113325353A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110777426.8
申请日：2021-07-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种磁强计空间姿态标定方法及系统，方法至少包括：S1：基于总场磁力仪标定线圈装置的误差模型中的正交度、线圈系数和零偏；S2：将待测磁强计放置在已完成误差模型标定的线圈装置的均匀磁场区中，在所述待测磁强计空间姿态未知的前提下标定所述待测磁强计的灵敏度系数；S3：改变已校正的所述线圈装置的激励磁场，在标定所述待测磁强计的灵敏度系数的基础上，根据所述待测磁强计的测量输出，求解所述待测磁强计相对所述线圈装置的校正参考坐标系的方向余弦，并解算各所述待测磁强计法向量的夹角，从而获得所述待测磁强计的空间姿态。
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公开(公告)号：CN112946761A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110145543.2
申请日：2021-02-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01V3/08
Abstract: 本发明提供一种低温系统及超导量子干涉系统，所述低温系统包括：无磁杜瓦，包括：杜瓦瓶底及与所述杜瓦瓶底连接并向上延伸的杜瓦瓶身，所述杜瓦瓶底与所述杜瓦瓶身共同围成一瓶内空间；超导量子干涉器件，置于所述瓶内空间中，并安装于所述杜瓦瓶底；低温引线，置于所述瓶内空间中，其一端与所述超导量子干涉器件的引线端子连接，并沿所述杜瓦瓶身的内壁向上延伸以使其另一端与引线接口连接，其中所述引线接口安装于所述杜瓦瓶身的顶端面上；低温插入件，插设安装于所述杜瓦瓶身的顶端面。通过本发明提供的低温系统及超导量子干涉系统，解决了现有低温系统中超导量子干涉器件因悬臂结构极易受到外界振动干扰，从而产生额外的磁场噪声响应的问题。
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