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公开(公告)号：CN110428923B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201910735205.7
申请日：2019-08-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G21H1/06 , H01L29/06 , H01L21/329 , H01L29/872
Abstract: 采用氧化锌层改善性能的金刚石肖特基同位素电池及其制备方法，本发明属于微能源领域，它为了解决现有同位素电池的短路电流、开路电压以及能量转换效率较低的问题。本发明采用氧化锌层改善性能的金刚石肖特基同位素电池包括放射源、电池肖特基电极、氧化锌层、本征金刚石层、掺硼p型金刚石层和电池欧姆电极，该金刚石肖特基同位素电池从上至下依次由放射源、电池肖特基电极、氧化锌层、本征金刚石层、掺硼p型金刚石层和电池欧姆电极形成叠层结构。本发明在本征金刚石层和肖特基电极之间插入一层氧化锌层，此氧化锌层能够阻挡空穴、同时传输电子，从而起到了减少电子空穴对复合的作用，进而提升能量转换效率。
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公开(公告)号：CN110428923A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910735205.7
申请日：2019-08-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G21H1/06 , H01L29/06 , H01L21/329 , H01L29/872
Abstract: 采用氧化锌层改善性能的金刚石肖特基同位素电池及其制备方法，本发明属于微能源领域，它为了解决现有同位素电池的短路电流、开路电压以及能量转换效率较低的问题。本发明采用氧化锌层改善性能的金刚石肖特基同位素电池包括放射源、电池肖特基电极、氧化锌层、本征金刚石层、掺硼p型金刚石层和电池欧姆电极，该金刚石肖特基同位素电池从上至下依次由放射源、电池肖特基电极、氧化锌层、本征金刚石层、掺硼p型金刚石层和电池欧姆电极形成叠层结构。本发明在本征金刚石层和肖特基电极之间插入一层氧化锌层，此氧化锌层能够阻挡空穴、同时传输电子，从而起到了减少电子空穴对复合的作用，进而提升能量转换效率。
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公开(公告)号：CN106894081B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201710101533.2
申请日：2017-02-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种采用LB掩模板制备单晶金刚石反蛋白石的方法，本发明涉及单晶金刚石反蛋白石的制备方法。本发明要解决现有的金刚石反蛋白石结构只能制备出多晶体，从而导致其力学、光学和热学综合性能的下降的问题。方法：一、金刚石晶片预处理；二、SiO2微球预处理；三、掩模板沉积；四、掩模板处理；五、单层反蛋白石单晶金刚石生长；六、生长后处理；七、多掩模板沉积及金刚石生长；八、掩模板去除。本发明用于一种采用LB掩模板制备单晶金刚石反蛋白石的方法。
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公开(公告)号：CN109192794A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811063616.8
申请日：2018-09-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 背板增强型叉指电极金刚石紫外探测器及其制备方法，本发明属于高能射线及粒子探测领域，它为了解决现有金刚石叉指电极紫外探测器无法有效收集金刚石体内载流子而导致探测效率低的问题。制备方法：一、对金刚石进行预处理及清洗；二、通过磁控溅射或电子束蒸发在清洗后的金刚石的下表面制备背板电极；三、通过磁控溅射或电子束蒸发在金刚石的上表面制备叉指结构电极；四、通过导线将金刚石上表面的其中1个叉指电极与背板电极连接。本发明的探测器为背板增强叉指型结构，能够有效收集金刚石体内紫外光激发的载流子，提高探测效率，在230nm的紫外光照、200V偏压下，背板增强型探测器较传统探测器探测效率提高230％以上。
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公开(公告)号：CN109183146A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811213111.5
申请日：2018-10-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用电感耦合等离子体技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法，本发明涉及单晶金刚石籽晶缺陷的消除方法。本发明要解决现有MPCVD生长中籽晶表面由于激光加工和抛光不完善导致的表面缺陷富集，进而影响外延生长金刚石质量的问题。方法：一、单晶金刚石籽晶清洗；二、制备遮挡掩体；三、放置样品；四、关舱；五、抽真空；六、电感耦合等离子体处理。本发明用于一种利用电感耦合等离子体技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109001791A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810582196.8
申请日：2018-06-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 金刚石位置灵敏探测器的束流位置定位方法，本发明属于位置灵敏探测领域，它要解决现有二维位置灵敏探测器的定位方法复杂、电极作用单一，相邻电极间隙大的问题。定位方法：一、采用磁控溅射法在单晶CVD金刚石表面镀上4个圆心角为90°扇形结构的Au电极；二、在无光辐照的条件下，测试偏压大小为U下的暗电流；三、采用复色光或者单色光照射金电极，沿着X轴方向改变光束位置，分别测试得到正向偏压和反向偏压大小为U下不同位置的光电流；四、数据处理，得出横向位置定位公式；五、采用复色光或者单色光照射金电极，沿Y轴方向改变光束位置；六、数据处理，得出纵向位置定位公式。本发明束流位置定位方法简单，电极面积大且电极间空隙小。
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公开(公告)号：CN108593707A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810532951.1
申请日：2018-05-29
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: G01N25/20
CPC classification number: G01N25/20
Abstract: 本发明公开了一种GaN外延晶片界面热阻的测量方法以及装置，包括以下步骤：发射紫外脉冲激光；发射连续激光；将紫外脉冲激光扩束；将紫外脉冲激光与连续激光进行合束共轴；两束激光汇聚到待测GaN外延晶片上；接收从待测GaN外延晶片表面反射回来的光信号；根据光热效应，通过所述光信号的变化强度评估GaN外延晶片表面温度的变化，得到瞬态热反射曲线；通过拟合程序拟合来获得待测GaN外延晶片界面热阻。本发明将加热激光设定为波长为355nm的紫外脉冲激光，探测激光设定为波长为325nm的连续激光，并进行共轴操作，以解决现有的瞬态热反射法测量GaN外延晶片界面热阻需要在GaN表面加镀金属薄膜或者进行器件加工的问题。
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公开(公告)号：CN106784044B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201611223173.5
申请日：2016-12-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 一种三维结构金刚石紫外探测器及其制备方法，涉及金刚石探测科学与技术领域，尤其涉及一种三维结构金刚石紫外探测器及其制备方法。本发明为解决现有金刚石紫外探测器，采用平面电极结构，会有紫外穿透深度范围以内金刚石纵向电场太弱不足以将光生载流子导出的问题，而采用石墨柱电极结构，会有晶界阻碍载流子的输运问题。一种三维结构金刚石紫外探测器，包含光感区和电极结构，光感区为蛇形折叠形状金刚石，电极结构为两组相互交叉的叉指结构凹槽组成，每组叉指结构含有n个电极。一种三维结构金刚石紫外探测器的制备方法：基底的选择；预处理；制备刻蚀掩膜；制备三维电极结构；沉积金属薄膜和后处理。本发明应用于紫外探测领域。
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公开(公告)号：CN108154004A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711432502.1
申请日：2017-12-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供基于过渡层对外延薄膜与衬底结合力评价的过渡层材料选择方法，属于薄膜生长理论技术领域，具体涉及过渡层选择方法。本发明首先对选取的若干过渡层材料建立界面模型；然后计算无过渡层存在时的界面性能，判定是否需要过渡层；如需要过渡层，分别计算选取的不同材料作为过渡层时，衬底/过渡层和过渡层/薄膜的界面性能，并根据界面处净电荷量变化量和原子间化学键布居数，对过渡层对衬底和过渡层对薄膜的结合力进行综合评价并排序；根据排序结果选择前2～3种过渡层材料。本发明解决了现有技术确定是否需要过渡层，以及选取何种材料作为过渡层时，存在耗时长、浪费人力物力的问题。本发明可运用于薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN107400923A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710607290.X
申请日：2017-07-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: C30B28/14 , C23C16/01 , C23C16/0254 , C23C16/27 , C30B29/04
Abstract: 一种增强金刚石热导率的方法，本发明涉及一种增强金刚石导热性的方法，本发明目的是要在不去除金刚石材料的基础上解决现有CVD方法制备金刚石两面晶粒尺寸差别过大，厚度较薄以及热导率提高困难的问题。增强金刚石热导率的方法：一、对硅片进行切割和超声清洗；二、对硅片进行打磨处理，在硅片表面建立辅助形核点；三、硅片放置于CVD装置中，通入生长气体氢气与甲烷，升温至750℃以上进行多晶生长；四、利用HNO3与HF混合溶液去掉硅基底；五、以与步骤三相同的生长方式与参数进行重复生长。本发明经过两次生长，使制备得到的多晶金刚石膜双面形貌大致相同，并提高了金刚石的厚度，提升了多晶金刚石的热导率。
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