-
公开(公告)号：CN117129749A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310875329.1
申请日：2023-07-17
Applicant: 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 清华大学
Abstract: 本发明涉及电力电子与高压测量技术领域，特别涉及一种集成门极换流晶闸管器件门极电压测量方法及装置。本发明通过同步控制模块控制延时控制模块，通过延时控制模块控制采样保持和AD采样模块；模拟开关Q1闭合，模拟开关Q2打开，启动采样保持和AD采样模块。本发明采用模拟开关，差分放大电路以及AD采样电路，配合采样触发控制和高速采样保持电路，实现对门极电压的实时、准确测量。
-
公开(公告)号：CN116504825B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310762806.3
申请日：2023-06-27
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/747 , H01L29/744 , H01L29/06 , H01L21/332
Abstract: 本申请提供了一种功率半导体器件及其制作方法，该功率半导体器件包括第一材料层以及形成于所述第一材料层上下两侧的第二材料层和第三材料层；所述功率半导体器件包括有源区和终端区；有源区包括位于所述第一材料层的第一掺杂区、位于所述第二材料层的第二掺杂区、位于所述第三材料层的第三掺杂区、阳极区以及阴极区；终端区包括位于所述第一材料层的第一终端区以及位于所述第二材料层和所述第三材料层的第二终端区和第三终端区；其中，所述第一终端区的厚度大于所述第一掺杂区的厚度，并且所述第二终端区和所述第三终端区的至少之一的表面高于对应的掺杂区的表面。本申请可提升功率半导体器件的阻断能力和最高运行结温。
-
公开(公告)号：CN116504684B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310762808.2
申请日：2023-06-27
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/3213 , C25F3/08 , C25F7/00
Abstract: 本申请提供一种半导体器件局部金属电极去除装置及方法，该装置包括：承片台，承载半导体器件移动至各缺陷标记位置；导电毛刷，固定在承片台上并与半导体器件的门极电极接触；第一探针，与半导体器件的缺陷电极接触；直流电源阳极与第一探针连接，阴极与导电毛刷连接，用于电解滴加电解液后的缺陷电极；电压检测模块正极与第一探针连接，阴极与导电毛刷连接，用于检测第一探针与导电毛刷间的电压，并根据电压控制直流电源的关闭。该方法基于该设备实现。本申请提供的半导体器件局部金属电极去除装置及方法，解决了现有技术无法自动检测和去除缺陷电极的问题，提高了缺陷电极去除精度，降低了操作难度，提高了半导体器件的良率。
-
公开(公告)号：CN116365347A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310416494.0
申请日：2023-04-18
Applicant: 清华大学
IPC: H01S3/067
Abstract: 本公开涉及一种激光器及激光器系统，所述激光器包括：第一光纤环形器、光放大器、光耦合器、第二光纤环形器、马赫‑曾德尔调制器依次连接，第一光纤环形器、偏振旋转元件、第一偏振元件、色散介质、第二偏振元件、第二光纤环形器依次连接，马赫‑曾德尔调制器还连接于第一光纤环形器及脉冲发生单元，色散介质用于对两端输入的不同波长的光进行色散控制并反射。本公开实施例通过偏振元件对透过色散介质的光进行遮挡，避免透过色散介质的光再次经过光放大器放大从而形成激光振荡，影响扫频光的输出，并且，本公开实施例不需要进行光放大器增益调制，也不需要采用两个色散介质，因此整体构造更加简洁，成本更低。
-
公开(公告)号：CN116257976A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202211602688.1
申请日：2022-12-09
Applicant: 清华大学 , 国网湖北省电力有限公司
Abstract: 本发明实施例公开了一种功率半导体器件的驱动回路杂散参数提取方法及系统，所述方法包括：将功率半导体器件的关断过程划分为n个关断阶段；针对n个所述关断阶段建立驱动回路杂散参数计算模型；实测n个所述关断阶段的电气参数波形；所述电气参数波形结合所述驱动回路杂散参数计算模型，通过线性拟合计算得到驱动回路中的杂散参数。本发明通过建立杂散参数计算模型，可准确地计算得到功率半导体器件的驱动回路中的杂散参数，便于验证驱动回路设计是否满足要求。
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：CN115792588A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211404145.9
申请日：2022-11-10
Applicant: 清华大学
IPC: G01R31/327 , G01R31/26
Abstract: 本发明实施例公开了一种半导体器件的关断失效检测方法及装置，所述方法包括步骤：当控制待检测半导体器件关断后达到检测时间时，测量待检测半导体器件的门极参数；将门极参数与预设的门极参数阈值进行对比，判断待检测半导体器件关断是否失效，所述检测时间为样本半导体器件成功关断情况下其阳极电流下降至设定值的时间。本发明无需检测高电压，测试安全可靠；检测电路的电位与驱动接近，便于直接集成到控制系统中，无需高压隔离设备，结构简单，体积小，成本低；可在数μs之内检测出关断失效，满足快速检测需求，提高了装备级的保护能力；可直接通过门极电流判断是否产生了关断失效，不受关断失效后门阴极之间阻抗特性影响，检测准确度高。
-
公开(公告)号：CN115621233A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211523235.X
申请日：2022-12-01
Applicant: 清华大学
IPC: H01L23/48
Abstract: 本发明提供一种用于全控型电力电子器件的管壳，所述管壳包括壳体、引出结构以及连接结构，其中，所述引出结构设在壳体上，用于引出壳体内的阴极电极和门极电极，引出结构为双层或多层的层状结构，其中，所述引出结构包括至少两个金属层，金属层的宽度大于壳体直径，或与壳体直径相同，所述引出结构延伸至壳体的一侧并靠近连接结构；所述连接结构布置于壳体的一侧，与引出结构连接，用于与驱动全控型电力电子器件的驱动单元之间可拆卸式低感连接，其中，可拆卸式的方式包括插接式以及压接式的非旋转连接方式，能在壳体受压情况下将驱动单元与连接结构分离；所述引出结构和连接结构均具备纳亨以下的杂散电感。本发明管壳便于拆装。
-
公开(公告)号：CN113451387B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202010215412.2
申请日：2020-03-24
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/74
Abstract: 本发明属于电力半导体器件领域，公开了一种用于过压击穿功能的缓冲区变掺杂结构及半导体器件，缓冲区变掺杂结构设置于半导体器件内，当半导体器件承受击穿电压时，通过缓冲区变掺杂结构承受半导体器件产生的电场，使得电场击穿所述缓冲区变掺杂结构。本发明采用局部穿通原理实现过压可控击穿，具有温度稳定性好、工艺易实现、击穿电压一致性好、穿通点位置可控的优势。
-
公开(公告)号：CN111509756B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202010262599.1
申请日：2020-04-03
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明属于直流输电领域，公开了一种用于混合换流器的高位在线取能装置及方法，混合换流器包括多个桥臂，每一桥臂包括至少一可关断管阀串及至少一晶闸管阀串，每一可关断管阀串包括至少一可关断管，高位在线取能装置电性连接于可关断管，当桥臂保持闭锁且耐受直流线路电压时，可关断管阀串及晶闸管阀串共同耐受直流电压，高位在线取能装置通过可关断管的两端进行取能，为控制保护装置及所述可关断管的驱动电路供电。本发明可以有效的为混合换流器中的可关断管阀串的可关断管驱动电路及控制保护装置等供能，易于工程实现。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
243
records
(took 0.026 seconds)
