公开(公告)号：CN117129749A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202310875329.1

申请日：2023-07-17

申请人： 国网山东省电力公司电力科学研究院 ,  清华大学

发明人： 吴锦鹏 ,  王鹏 ,  刘洋 ,  刘佳鹏 ,  朱鸿凡 ,  李立生 ,  陈政宇 ,  于海东 ,  马建业 ,  汤雪腾

IPC分类号： G01R19/25 ,  H03K17/72 ,  H03M1/12 ,  G01R31/26

摘要： 本发明涉及电力电子与高压测量技术领域，特别涉及一种集成门极换流晶闸管器件门极电压测量方法及装置。本发明通过同步控制模块控制延时控制模块，通过延时控制模块控制采样保持和AD采样模块；模拟开关Q1闭合，模拟开关Q2打开，启动采样保持和AD采样模块。本发明采用模拟开关，差分放大电路以及AD采样电路，配合采样触发控制和高速采样保持电路，实现对门极电压的实时、准确测量。

公开(公告)号：CN118050615A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202410024127.0

申请日：2024-01-08

申请人： 清华大学

发明人： 吴锦鹏 ,  刘佳鹏 ,  曾嵘 ,  沈箫童 ,  孟令尧 ,  陈政宇 ,  黄琦欢 ,  马建业 ,  武靖博

IPC分类号： G01R31/28 ,  H05K1/02 ,  H05K1/11 ,  H05K1/18 ,  G01R27/26

摘要： 本发明提供了一种提取封装杂散电感参数用的芯片替代结构与测量方法，具体为：所述芯片替代结构包括PCB电路板，所述PCB电路板的其中一面包括阳极面，另一面包括阴极面，所述PCB电路板上焊接有已知容值的贴片电容；所述PCB电路板上还设有连接阳极面与贴片电容正极的通路，所述贴片电容的负极与阴极面连接。本发明使用特制的PCB电路板替代芯片，在保证封装结构、电学回路不变的前提下，令电容值已知且精确，从而提高结果的准确程度，测试无需完整产品，方法简便。

公开(公告)号：CN115881518A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211404235.8

申请日：2022-11-10

申请人： 清华大学 ,  国网湖北省电力有限公司

发明人： 曾嵘 ,  赵彪 ,  马建业 ,  吴锦鹏 ,  刘佳鹏 ,  余占清 ,  庄池杰 ,  任春频 ,  张君明

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/31 ,  H01L29/06 ,  H01L29/30 ,  H01L21/332 ,  H01L29/74

摘要： 本发明提供了一种半导体器件的钝化膜制备方法、半导体器件及GCT器件。其中半导体器件的钝化膜方法包括：在半导体器件基片上形成光刻掩膜层；对所述光刻掩膜层光刻形成一个或多个刻蚀缺口，其中所述刻蚀缺口的开口面积小于底面积或者剩余光刻掩膜层的刻蚀形成的刻蚀面所在的平面与光刻掩膜层表面所在的平面形成锐角；在形成有所述刻蚀缺口的半导体器件基片上沉积隔离物质，形成不连续的钝化膜；剥离所述光刻掩膜层。本发明通过在光刻掩膜层上设置开口面积小于底面积的刻蚀缺口，利用低温沉积及剥离工艺，能够更好地解决现有技术中钝化膜制作工艺很难实现线宽的精确控制及保证整个晶圆所有区域线宽的合格的问题。