-
公开(公告)号：CN117711990A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202410131505.5
申请日：2024-01-30
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , B24B37/005 , B24B37/07 , B24B7/22
摘要： 本发明提供一种碳化硅晶圆化学机械抛光系统及控制方法，属于晶圆化学机械抛光技术领域，抛光系统包括电化学反应单元、抛光单元、数据采集单元和控制单元，所述电化学反应单元包括反应槽，所述反应槽的内部用于放置待处理晶圆和电解液，所述电化学反应单元通电对所述待处理晶圆进行电化学反应；抛光单元用于对电化学反应后的待处理晶圆进行抛光处理；数据采集单元用于采集所述待处理晶圆电化学反应的电荷量；所述控制单元根据所述数据采集单元采集到的数据，对所述抛光单元进行调节，根据电荷量，控制单元控制抛光单元在抛光过程中的工艺参数，使其与电化学反应的程度适配，实现了对晶圆表面反应后的精准抛光，提高了抛光效率。
-
公开(公告)号：CN112582320B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202011461777.X
申请日：2020-12-08
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
发明人： 田洪涛
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种交替式调度晶圆的方法、装置及晶圆清洗传输系统，该方法包括：判断当前槽体的后置槽体的个数；当后置槽体的个数小于等于1时，判断后置槽体中晶圆的剩余加工时间是否小于等于预设时间；当后置槽体中晶圆的剩余加工时间小于等于预设时间时，抓取当前槽体的晶圆。通过实施本发明，可以通过判断当前槽体的后置槽体中晶圆的剩余加工时间，当该剩余加工时间小于等于预设时间时，进行当前晶圆的抓取工作，实现了当前晶圆的抓取动作和后置槽体中剩余加工时间同时进行，由此，本发明实施例提供的交替式调度晶圆的方法、装置及晶圆清洗传输系统，通过抓取动作和加工动作的同时进行，实现了晶圆调度效率的提升。
-
公开(公告)号：CN117484394A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311490371.8
申请日：2023-11-09
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
IPC分类号： B24B53/017 , B24D18/00
摘要： 本发明公开了一种金刚石排布一致的修整器及其制备方法，其制备方法包括：将正八面体金刚石铺洒在网格材料上进行振动，使其卡入网格材料的网格中；分拣出未卡在网格中的金刚石；将网格材料和金刚石采用电镀的方法固定在基板上。本发明使用大小一致的正八面体金刚石，使其卡在网格中，然后通过电镀固定在基板上形成修整器，使得修整器上金刚石均尖端一致朝上，且裸露高度一致。本发明提供的修整器，有效的避免了金刚石在转移过程中出现分布不均的现象，增加了修整器的利用率，使得修整器上金刚石的利用率可达到80％‑98％。
-
公开(公告)号：CN117444837A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311672084.9
申请日：2023-12-07
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种化学机械抛光设备，包括：抛光盘、抛光头和废液吸取装置。抛光盘带动抛光垫转动，抛光头将基板按压在抛光垫上，抛光头相对于抛光盘转动，从而实现基板的抛光。沿抛光头在抛光盘上的转动方向，废液吸取装置相对于抛光头的后侧，废液吸取装置对抛光垫的表面上的废液进行第一时间吸取，从而避免了废液在抛光垫的表面上形成大颗粒结晶体对基板表面造成划伤；提高基板研磨质量。
-
公开(公告)号：CN117419517A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311459717.8
申请日：2023-11-03
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种超临界流体干燥腔室及干燥方法，属于晶圆干燥技术领域，包括腔室主体和承载台，腔室主体内部具有容纳腔，所述容纳腔内具有升压进气口、吹扫进气口和吹扫出气口；承载台设置于所述容纳腔中，所述承载台用于承载待处理晶圆；所述升压进气口朝向所述承载台背向所述待处理晶圆的底面的中心设置，所述吹扫进气口和所述吹扫出气口相对设置在所述待处理晶圆的两侧。本发明提供的超临界流体干燥腔室，利用超临界流体的高扩散性及高溶解性对晶圆表面的异丙醇进行置换排出，这样不会对表面的精细结构造成损伤，从而实现无损伤干燥；超临界流体在升压和吹扫过程中，避免超临界流体直接冲击到晶圆表面，破坏表面的微观结构。
-
公开(公告)号：CN117364219A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311559600.7
申请日：2023-11-21
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种碳化硅晶圆电化学机械抛光装置及方法，属于电化学机械抛光技术领域，电化学机械抛光装置包括电化学处理单元、机械抛光单元和第一运载单元，电化学处理单元包括电解槽，所述电解槽的内部用于放置电解液和待处理晶圆，所述待处理晶圆的至少一个待处理面浸没于所述电解液中，对所述待处理晶圆进行电解；机械抛光单元用于对电解后的待处理晶圆进行抛光处理；第一运载单元用于运载所述待处理晶圆在所述电化学处理单元和所述机械抛光单元之间移动。本发明提供的碳化硅晶圆电化学机械抛光装置，采用静态电解和动态抛光相结合，使得电化学氧化作用充分发挥，在机械抛光时更容易进行目标材料的刮除，实现了晶圆的快速抛光。
-
公开(公告)号：CN117300884A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311475173.4
申请日：2023-11-07
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
发明人： 邵辉
IPC分类号： B24B37/013 , B24B49/14
摘要： 本发明涉及化学机械抛光技术领域，公开了一种化学机械抛光终点的检测装置及检测方法，装置包括：高频交变磁场发生器，固定于通过旋转对晶圆进行化学机械抛光的抛光盘的预设位置，并与抛光盘一同旋转，用于生成交变磁场，当交变磁场周期性扫描到晶圆的被抛光面时被抛光面产生热量；温度探测器，固定于高频交变磁场发生器的预设位置，并与抛光盘一同旋转，用于当周期性扫描到晶圆时检测被抛光面的温度；数据处理模块，用于根据温度判断化学机械抛光是否达到终点。本发明通过温度对抛光终点进行检测，能够避免在抛光过程中检测环境对温度的影响，提高抛光终点检测的准确性，保证抛光质量。
-
公开(公告)号：CN116960029A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310927605.4
申请日：2023-07-26
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明属于半导体制造技术领域，具体公开了一种晶圆姿态检测装置及方法。其中，晶圆姿态检测装置通过将第一激光测距仪安装于多个工位中的第一工位，将第一挡板安装于第二工位，光发射器将光线射向挡板，在夹持件夹持晶圆后，驱动结构驱动夹持件沿着竖直方向移动的过程中，控制器可以采集光线射向晶圆表面时的距离信号，并将这些距离信号换算为距离值，经汇总后拟合形成波形图，与晶圆移动时为理想姿态时拟合的波形图对比，即可判断出晶圆实际移动时的姿态是否存在异常，为后续是否对晶圆的姿态进行矫正提供数据参考，进而避免现有方案中晶圆以异常的姿态进入下一工艺单元时破损的现象发生，提升了晶圆姿态检测装置的实用性。
-
公开(公告)号：CN116313954A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211705836.2
申请日：2022-12-29
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/68 , H01L21/687
摘要： 本发明公开了一种多功能晶圆传输装置、晶圆加工装置、晶圆加工方法，所述多功能晶圆传输装置包括：抓取机构，用于对晶圆进行抓取；翻转机构，用于带动晶圆在XZ平面内进行翻转；旋转机构，用于带动晶圆绕Z轴旋转；Z向传输机构，设置有滑动端和固定端，Z向传输机构的滑动端与旋转机构的固定端相连接；X向传输机构，设置有滑动端和固定端，X向传输机构的滑动端与Z向传输机构的固定端相连接。本发明采用将抓取机构、翻转机构、旋转机构、Z向传输机构和X向传输机构一体结合的方式，在具备对晶圆抓取功能的同时，还能够实现晶圆的翻转、旋转及移动，进而能够满足晶圆的清洗、单面抛光、双面抛光等加工工序，提高了晶圆抛光的速度。
-
公开(公告)号：CN116276658A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310260253.1
申请日：2023-03-13
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
IPC分类号： B24B53/017
摘要： 本发明公开了一种抛磨机构及抛磨修整装置，抛磨机构包括：固定座、安装架和执行件，固定座上的第一驱动机构驱动安装架在抛光垫的上方竖直往复运动，当需要对抛光垫进行抛磨时，通过第一驱动机构驱动安装架下压，以使得安装架上的执行件与抛光垫抵接；由于执行件呈圆锥台状或圆锥状，当执行件倾斜放置时，执行件的侧壁与抛光垫水平抵接后，实现线接触，通过第二驱动机构驱动执行件转动，使得执行件与抛光垫相对摩擦，执行件和抛光垫的每个接触点的线速度相等，进而实现对抛光垫的均匀抛磨，提高抛光垫修整后的均匀性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
164 条记录 (耗时 0.054 秒)
