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公开(公告)号：CN118830057A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202380024531.1
申请日：2023-02-13
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
IPC: H01L21/265 , H01J37/20 , H01J37/317 , H01L21/683
Abstract: 基板处理装置(10)具备：真空处理室(16)；基板支架(50)，在真空处理室(16)内保持基板(S)；密封件，在由基板支架(50)保持的基板(S)与基板支架(50)之间，形成封闭的空间(82)；气体路径(84)，与空间(82)连通；气体供给路(86)，向气体路径(84)内供给气体；气体排出路(88)，从气体路径(84)内排出气体；第1阀(90)，能够在气体路径(84)与气体供给路(86)之间开闭；及第2阀(92)，能够在气体路径(84)与气体排出路(88)之间开闭。
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公开(公告)号：CN112242287B
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202010551130.X
申请日：2020-06-15
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
IPC: H01J37/317 , H01L21/265
Abstract: 本发明的课题在于长期维持射束电流的测定精度。离子注入装置(10)具备：注入处理室(16)，进行向晶圆W照射离子束的注入工序；第1法拉第杯，设置于注入处理室(16)内，且构成为在注入工序之前进行的准备工序中测定离子束的射束电流；第2法拉第杯，设置于注入处理室(16)内，且构成为在用于校正第1法拉第杯的射束电流测定值的校正工序中测定离子束的射束电流；及屏蔽部件(43)，用于屏蔽朝向第2法拉第杯的离子束。屏蔽部件43构成为在注入工序及准备工序中离子束不能入射到第2法拉第杯，在校正工序中离子束能够入射到第2法拉第杯。
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公开(公告)号：CN111180301B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN201910981615.X
申请日：2019-10-16
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
Inventor： 八木田贵典
IPC: H01J37/317 , H01J37/147
Abstract: 本发明抑制光束驻留装置中的粒子的飞散。本发明的光束驻留装置(24)具备：一对驻留电极(25a、25b)，隔着光束线路(A)而对置；及光束阻尼器，在比一对驻留电极(25a、25b)更靠光束线路(A)的下游侧在一对驻留电极(25a、25b)的对置方向上离开光束线路(A)而设置。一对驻留电极(25a、25b)中的至少一个包含在与光束线路(A)所延伸的方向及对置方向这两个方向均正交的规定方向上隔开间隔而配置的多个电极体(73a～73f)。多个电极体(73a～73f)分别从光束线路的上游侧朝向下游侧延伸。
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公开(公告)号：CN110137067B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN201910102055.6
申请日：2019-02-01
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
IPC: H01J37/317 , H01J37/244
Abstract: 一种离子注入装置及测定装置。本发明实现离子束的角度分布的评价的高速化。本发明的测定装置(50)包括：多个狭缝(74a～74c)，使离子束入射；束电流测定部(54)，设置于从多个狭缝沿射束行进方向分离的位置；及测定控制部。束电流测定部(54)构成为能够在与射束行进方向正交的第1方向的位置不同的多个测定位置测定束电流。多个狭缝(74a～74c)以第1方向与狭缝宽度方向一致的方式沿第1方向隔着间隔配置，且以沿第1方向可移动的方式构成。测定控制部一边使多个狭缝沿第1方向移动，一边获取通过束电流测定部在第1方向的位置不同的多个测定位置测定的多个束电流值。
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公开(公告)号：CN114914141A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210117792.5
申请日：2022-02-08
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
IPC: H01J37/317 , H01J37/304
Abstract: 本发明可加速动作参数的调整。离子注入装置具备：射束生成装置，生成照射到工作件的离子束；控制装置(52)，设定用于控制射束生成装置的动作的多个动作参数；测定装置，测定离子束的至少一种射束特性；存储装置(56)，累积将多个动作参数的设定值集与离子束的至少一种射束特性的测定值建立对应关联的数据集；及分析装置(54)，根据累积于存储装置(56)的多个数据集，生成用于根据多个动作参数中所包含的至少一个特定参数的设定值推算至少一种射束特性的函数。在变更多个动作参数中所包含的至少一个特定参数的设定值时，控制装置(52)对函数输入至少一个特定参数的变更后的设定值来计算出至少一种射束特性的推算值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108573843B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN201810187130.9
申请日：2018-03-07
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
IPC: H01J37/08 , H01J37/317
Abstract: 本发明提供一种能够抑制因污染粒子的堆积而引起的绝缘性能下降的绝缘结构。在将设置于离子注入装置的真空区域内部的电极与其他部件绝缘并支承该电极的绝缘结构中，第1绝缘部件(32)支承电极。第2绝缘部件(34)为了减少污染粒子(18)向第1绝缘部件(32)的附着而嵌合于第1绝缘部件(32)。第2绝缘部件(34)由硬度比第1绝缘部件(32)低的材料形成。第2绝缘部件(34)的外表面的维氏硬度为5GPa以下。第2绝缘部件(34)的弯曲强度为100MPa以下。第2绝缘部件(34)由包含氮化硼、多孔陶瓷及树脂中的至少一种的材料形成。
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公开(公告)号：CN114551195A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111317962.6
申请日：2021-11-09
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
Inventor： 石田勇二
IPC: H01J37/08 , H01J37/30 , H01J37/317
Abstract: 本发明提供一种能够抑制由于污染物的附着而导致的绝缘性能的降低的绝缘结构。绝缘结构(74)具备：第1端部(82)；第2端部(84)；轴部(86)，连接第1端部(82)与第2端部(84)之间；及包围部(88)，具有与轴部(86)的外表面(94)对置的内表面(96)，并从第1端部(82)朝向第2端部(84)延伸。轴部(86)的外表面(94)与包围部(88)的内表面(96)之间的间隙(90)构成为与外部连通。第1端部(82)、第2端部(84)、轴部(86)及包围部(88)由电绝缘材料构成。
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公开(公告)号：CN113658842A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110901135.5
申请日：2018-05-29
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
IPC: H01J37/317 , H01J37/304 , H01J37/302 , H01J37/147
Abstract: 本发明涉及离子注入装置以及离子束被照射体，应对由于使用具有比较高的能量的离子束而有可能产生的核反应。本发明的离子注入装置(100)具备：离子源，构成为生成包含第1非放射性核种的离子的离子束；射束线，构成为支承由包含与第1非放射性核种不同的第2非放射性核种的固体材料形成的离子束被照射体(70)；及控制装置(50)，构成为运算通过第1非放射性核种与第2非放射性核种的核反应而产生的放射线的推断线量与放射性核种的推断生成量中的至少一个。
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公开(公告)号：CN113498243A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110212058.2
申请日：2021-02-25
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
Inventor： 石田勇二
IPC: H05H1/34 , H01J37/08 , H01J37/317
Abstract: 本发明提供一种有助于提高离子注入工序的生产率的离子生成装置。离子生成装置(12)具备：等离子体生成室(78)，生成用于引出离子的等离子体(P)；及加热装置(90)，构成为向区划等离子体生成室(78)的部件或暴露于等离子体生成室内的部件照射激光(LB)而加热等离子体生成室(78)。区划等离子体生成室(78)的部件也可以是电弧室(72)。加热装置(90)也可以构成为向电弧室(72)照射激光(LB)。
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公开(公告)号：CN108987226B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201810529973.2
申请日：2018-05-29
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
Inventor： 松下浩
IPC: H01J37/317
Abstract: 本发明的课题在于提供一种离子注入装置，应对由于使用具有比较高的能量的离子束而有可能产生的核反应。离子注入装置(100)具备：离子源，构成为生成包含非放射性核种的离子的离子束；射束线，构成为支承离子束被照射体；控制装置(50)，构成为运算通过入射于离子束被照射体(70)的非放射性核种的离子与作为之前进行的离子束照射的结果而积蓄在离子束被照射体(70)的非放射性核种的核反应而产生的放射线的推断线量。
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