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    一种晶硅/非晶硅异质结电池的电池结构及其制备方法
    11.
    发明公开
    一种晶硅/非晶硅异质结电池的电池结构及其制备方法 审中-公开

    公开(公告)号：CN112466978A

    公开(公告)日：2021-03-09

    申请号：CN202011262779.6

    申请日：2020-11-12

    申请人： 晋能光伏技术有限责任公司

    发明人： 冯乐 ,  白焱辉 ,  王继磊 ,  黄金 ,  贾慧君 ,  鲍少娟 ,  杨骥 ,  任法渊 ,  杨文亮 ,  杜凯 ,  师海峰

    IPC分类号： H01L31/0747 ,  H01L31/18

    摘要： 本发明公开了一种晶硅/非晶硅异质结电池的电池结构包括：单晶硅片基底；单晶硅片基底正面依次生长本征非晶硅薄膜、掺杂非晶硅薄膜和透明导电薄膜；单晶硅片基底背面依次生长本征非晶硅薄膜、掺杂非晶硅薄膜和透明导电薄膜；透明导电薄膜上均设有金属电极。本发明在不影响HJT电池的电池结构情况下，通过使用管式PECVD进行本征非晶硅薄膜的制备，在一定的工艺条件下使其Eta可以接近板式PECVD制备的本征非晶硅薄膜电池Eta，从设备及工艺两个方向达到降本的目的。本发明通过使用管式PECVD设备制备本征非晶硅层形成钝化层，使用板式PECVD设备制备n、p型掺杂非晶硅层分别形成场钝化层和p‑n结层。

    一种降低太阳能电池片划片效率损失的方法
    12.
    发明公开
    一种降低太阳能电池片划片效率损失的方法 无效

    公开(公告)号：CN112071955A

    公开(公告)日：2020-12-11

    申请号：CN202010930751.9

    申请日：2020-09-07

    申请人： 晋能光伏技术有限责任公司

    发明人： 张登科 ,  杨立友 ,  贾慧君 ,  杨文豹

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/042

    摘要： 本发明公开了一种降低太阳能电池片划片效率损失的方法，包括以下步骤，(1)取太阳能电池片进行激光划片，并且在划片前测试太阳能电池片的效率；(2)在太阳能电池片划片后的断裂面上均匀喷涂0.01‑0.4mol/L的碘酒溶液，每个断裂面喷涂时间为0.4‑0.6s；(3)测试经过步骤(2)处理的划片后太阳能电池片的效率，并计算效率损失。本发明通过在划片断裂面喷涂碘酒溶液，能够有效减少划片后效率损失，提高生产效率。

    一种适用于异质结电池非晶硅沉积的PECVD载板结构
    13.
    发明公开
    一种适用于异质结电池非晶硅沉积的PECVD载板结构 审中-实审

    公开(公告)号：CN111403549A

    公开(公告)日：2020-07-10

    申请号：CN202010198994.8

    申请日：2020-03-20

    申请人： 晋能光伏技术有限责任公司

    发明人： 白焱辉 ,  王继磊 ,  黄金 ,  张娟 ,  李高非 ,  贾慧君 ,  王嘉超

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/687 ,  C23C16/54

    摘要： 本发明适用于异质结电池非晶硅沉积的PECVD载板结构，在异质结PECVD载板基体上并排设置、平行分布若干凹槽，每个凹槽通过斜面或者弧形面部位载放硅片，凹槽底部不与硅片接触，硅片与载板接触面积小，减少由于摩擦造成的硅片性能损失，提高异质结电池的转换效率；两侧斜面或者弧形面部位设置若干导气槽，或者在凹槽底部设置若干导气孔，便于取放硅片，防止取放过程中发生碎片，结构简单紧凑，操作方便，稳定可靠；经实践验证，采用本发明适用于异质结电池非晶硅沉积的PECVD载板结构制备出的HJT电池,平均光电转换效率较常规载板提高0.2%。

    一种PERC太阳能电池的电注入装置及注入工艺
    14.
    发明公开
    一种PERC太阳能电池的电注入装置及注入工艺 审中-实审

    公开(公告)号：CN111048615A

    公开(公告)日：2020-04-21

    申请号：CN201911100435.2

    申请日：2019-11-12

    申请人： 晋能光伏技术有限责任公司

    发明人： 田甲 ,  王苗 ,  郝鹏飞 ,  常骞 ,  秦积海 ,  张冬冬 ,  李宏 ,  袁团 ,  王国杰 ,  李昌恩 ,  刘学飞

    IPC分类号： H01L31/0725 ,  H01L31/18

    摘要： 本发明公开了一种PERC太阳能电池的电注入装置及注入工艺。它包括工艺腔内的堆叠电池片、堆叠电池片的上电极表面设置的上热电偶以及堆叠电池片的下电极表面设置的下热电偶，工艺腔内的中间位置还设置有温度测试仪，上热电偶、下热电偶以及温度测试仪能够对工艺腔的顶部、底部以及中间部分进行温度监测，从而能够通过降温装置根据监测数据对堆叠电池片进行温度控制。其优点是：其结构简单、使用方便，可以在电注入过程中，在保证成本、能耗不增加的基础上，对工艺腔进行多点控温，重新定义后的处理工艺并且对电注入时上下电极电压、恒定电流和工艺时间进行特殊设计，大幅减少了LID光致衰减不均匀问题且在生产过程中很好控制了生产成本。

    一种高品质光伏晶硅电池片的制备方法
    15.
    发明公开
    一种高品质光伏晶硅电池片的制备方法 有权

    公开(公告)号：CN110993723A

    公开(公告)日：2020-04-10

    申请号：CN201910984235.1

    申请日：2019-10-16

    申请人： 晋能光伏技术有限责任公司

    发明人： 张冬冬 ,  王苗 ,  袁团 ,  李浩 ,  卢二飞 ,  宋小刚 ,  韩勇 ,  郭峰 ,  贾慧君

    IPC分类号： H01L31/18

    摘要： 本发明公开了一种高品质光伏晶硅电池片的制备方法，采用制绒→扩散→激光SE→刻蚀→热氧→ALD→PE正、背面镀膜→丝网印刷→测试分选→包装入库的方法制备而成，所述刻蚀通过刻蚀槽刻蚀→水槽冲洗→碱槽中和→水槽冲洗→酸槽除杂→水槽冲洗→烘干→自动化下料→转向升降的刻蚀方法，将传输皮带转向升降距离限定为0.5-1.5mm，并在硅片接触传输皮带后使传输皮带速度由零加速至3-5m/min的工作速度，从而不仅有效有效减小了刻蚀工序中传输皮带与硅片正面的摩擦，减小了硅片的损伤，又不影响硅片正常的生产效率，同时还有效减少了硅片的堵片率和碎片率，提升了硅片的质量品质。

    一种多功能的排版间距测量工装
    16.
    发明公开
    一种多功能的排版间距测量工装 有权

    公开(公告)号：CN110736412A

    公开(公告)日：2020-01-31

    申请号：CN201910988359.7

    申请日：2019-10-17

    申请人： 晋能光伏技术有限责任公司

    发明人： 任彪 ,  薛晓伟 ,  代志灵 ,  任忠彪 ,  赵同乐 ,  弓丰源 ,  罗会鹏 ,  杨文豹 ,  吴佳磊 ,  贾慧君

    IPC分类号： G01B5/14

    摘要： 本发明公开了一种多功能的排版间距测量工装，包括：基板、测量板；测量板上具有第一爬电测量区、第三爬电测量区、第四爬电测量区；基板上具有第二爬电测量区、电池串间距测量区、第一汇流条与电池串间距测量区、第二汇流条与电池串间距测量区、第二基准线、第三基准线、第四基准线、第五基准线；测量板的表面与基板的表面相连接；第一爬电测量区沿测量板长度方向设布置于测量板表面的一侧，测量板的另一侧设有用于测量第一爬电距离的第一基准线；第三爬电测量区、第四爬电测量区分别对应位于于测量板长度方向两端且沿其宽度方向布置。本发明中测量工装在对排间距进行测量时，测量准确度高，使用方便，测量效率高。

    一种TBC背接触电池的制备方法
    18.
    发明公开
    一种TBC背接触电池的制备方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN118712271A

    公开(公告)日：2024-09-27

    申请号：CN202410829305.7

    申请日：2024-06-25

    申请人： 晋能清洁能源科技股份公司 ,  晋能光伏技术有限责任公司

    发明人： 李浩 ,  秦积海 ,  聂文君 ,  廖继成 ,  贾慧君

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/268 ,  H01L21/02

    摘要： 本发明涉及一种TBC背接触电池的制备方法，属于光伏电池制备技术领域。包括通过对完成碱抛光处理后的N型硅片背面进行LPCVD处理、硼扩散处理、第一次激光改性处理和第一次清洗，使得N型硅片背面的第二区域形成第一隧穿氧化层、第一掺杂多晶硅层和BSG层；通过对N型硅片背面进行PECVD处理、退火处理、第二次激光改性处理和第二次清洗，使得N型电池硅片背面的第一区域形成第二隧穿氧化层、第二掺杂多晶硅层和PSG层。本发明仅通过两次激光改性处理和两次清洗处理就可形成交叉分布的P型区域、N型区域和隔离区域，制备工艺更加简单，降低了TBC电池的制备成本；并且不需要的区域清洗的更彻底，提高了光电转换率和合格率。