-
公开(公告)号：CN113013041A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110180082.2
申请日：2021-02-09
申请人： 池州昀冢电子科技有限公司
发明人： 章军
摘要： 本申请提供了一种封装结构及其制备方法，该制备方法包括：提供一基板，所述基板具有相对的第一表面和第二表面；在所述基板的第一表面设置围坝，所述围坝包括下层坝体和上层坝体，所述下层坝体设置在所述基板的第一表面，所述下层坝体为塑胶材质，所述下层坝体具有顶面、相对的内侧面和外侧面，所述上层坝体设置在所述下层坝体的顶面并形成阶梯结构；提供一金属件，所述金属件设置在所述下层坝体上并覆盖所述下层坝体的至少部分顶面和/或至少部分内侧面。制造成本低；对环境的污染小；采用模块化设计的理念，将围坝分为下层坝体和上层坝体两部分，使围坝的制备过程更加灵活；可以提供无机封装条件和/或耐受UV照射功能；增强结构强度和稳定性。
-
公开(公告)号：CN112968004A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110177846.2
申请日：2021-02-09
申请人： 池州昀冢电子科技有限公司
发明人： 章军
摘要： 本申请提供了一种封装结构及其制备方法，该封装结构包括：基板，所述基板具有相对的第一表面和第二表面；围坝，所述围坝为塑胶围坝，所述围坝设置在所述基板的第一表面，所述围坝具有顶面、相对的内侧面和外侧面；金属件，所述金属件设置在所述围坝上并覆盖所述围坝的至少部分顶面和/或至少部分内侧面。材质成本较低；制造方法简单，制造成本低，较为环保；通过金属件覆盖围坝的至少部分顶面，可以提供无机封装条件；通过金属件覆盖围坝的至少部分内侧面，提高紫外线照射的耐受程度，保障围坝的整体性能稳定可靠；另外，金属件还可以增强围坝的结构强度，提高整个封装结构的稳定性。
-
公开(公告)号：CN112967936A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110177876.3
申请日：2021-02-09
申请人： 池州昀冢电子科技有限公司
发明人： 章军
摘要： 本申请公开了一种封装结构及其制备方法。该封装结构的制备方法包括：提供一基板，所述基板具有相对的第一表面和第二表面；在所述基板的第一表面设置围坝，所述围坝包括内层坝体和外层坝体，所述内层坝体套设在所述外层坝体内，所述内层坝体为金属材质。上述方法得到封装结构通过将围坝设置为包括内层坝体和外层坝体，内层坝体为金属材质，能够克服现有围坝存在的缺陷，能提高整个封装结构的稳定性。
-
公开(公告)号：CN112967933A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110177847.7
申请日：2021-02-09
申请人： 池州昀冢电子科技有限公司
发明人： 章军
IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/50 , H01L21/52 , H01L23/498 , H01L23/04 , H01L23/055 , H01L23/06 , H01L23/10
摘要： 本申请公开了一种封装结构及其制作方法，所述方法包括：提供一高温共烧陶瓷基板，所述高温共烧陶瓷基板包括多个叠放的基板单元，所述基板单元上设置有贯穿所述基板单元上下两面的导电体，最上层以外的所述基板单元的上表面设置有层间导电层，最上层的所述基板单元的上表面不设置层间导电层；在最上层的所述基板单元的上表面制作第一导电层，在最下层的所述基板单元的下表面制作第二导电层；所述第一导电层和第二导电层分别采用以下任意一种方法得到：采用直接镀铜方式得到；在所述基板单元的表面制作导电膜层，根据预设的电路图形，对导电膜层进行激光刻蚀或采用CNC加工方式去除部分导电膜层。该方法可以提高多层陶瓷基板的线路精准度。
-
公开(公告)号：CN115274300B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202211033891.1
申请日：2022-08-26
申请人： 池州昀冢电子科技有限公司
发明人： 请求不公布姓名
摘要： 本发明公开了一种多层陶瓷电容器，包括：陶瓷本体、第一外电极、第二外电极、第一穿孔电极和第二穿孔电极。第一穿孔电极电连接每个第一内电极并从第一主面和/或第二主面露出，第一外电极电连接第一穿孔电极，第二穿孔电极电连接每个第二内电极并从第一主面和/或第二主面露出，第二外电极电连接第二穿孔电极，或者，多个间隔设置的第一穿孔电极，第一穿孔电极电连接相邻的多个第一内电极；多个间隔设置的第二穿孔电极，第二穿孔电极电连接相邻的多个第二内电极。该多层陶瓷电容器通过穿孔电极电性连接内电极和外电极，达到二次导通效果，增加了导电可靠性，并且还增强了整体结构强度及抗弯折能力。
-
公开(公告)号：CN115050577B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202210806828.0
申请日：2022-01-22
申请人： 池州昀冢电子科技有限公司
摘要： 本申请提供了一种多层陶瓷电容器和制备多层陶瓷电容器的方法，多层陶瓷电容器包括：电容器本体，所述电容器本体所包围的区域是刚好包围所述电容器本体的虚拟长方体包围盒所包围的区域的一部分；两个各自独立的外电极层，每个所述外电极层覆盖所述电容器本体的外表面的一部分；所述多层陶瓷电容器所包围的区域与所述虚拟长方体包围盒所包围的区域相同，所述多层陶瓷电容器的形状是长方体。将整个多层陶瓷电容器设置成长方体的形状，使得外电极层完全不凸出于电容器本体，无论多层陶瓷电容器的哪个面直接或者间接受到外力作用，都不至于在较小的接触面积上产生较大的压强，从而导致外电极层松动甚至脱落。
-
公开(公告)号：CN112967936B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202110177876.3
申请日：2021-02-09
申请人： 池州昀冢电子科技有限公司
发明人： 章军
摘要： 本申请公开了一种封装结构及其制备方法。该封装结构的制备方法包括：提供一基板，所述基板具有相对的第一表面和第二表面；在所述基板的第一表面设置围坝，所述围坝包括内层坝体和外层坝体，所述内层坝体套设在所述外层坝体内，所述内层坝体为金属材质。上述方法得到封装结构通过将围坝设置为包括内层坝体和外层坝体，内层坝体为金属材质，能够克服现有围坝存在的缺陷，能提高整个封装结构的稳定性。
-
公开(公告)号：CN115223792A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210950501.0
申请日：2022-08-09
申请人： 池州昀冢电子科技有限公司
发明人： 不公告发明人
摘要： 本发明公开了一种多层陶瓷电容器及其制备方法，多层陶瓷电容器包括：陶瓷本体，包括层叠设置的第一内电极、第二内电极以及位于所述第一内电极和所述第二内电极之间的介电层；第一外电极和第二外电极，设置在所述陶瓷本体上，所述第一外电极电连接所述第一内电极，所述第二外电极电连接所述第二内电极；所述第一外电极和/或第二外电极包括自所述陶瓷本体由内向外依次层叠的第一铜层、第二铜层或第二银层、镍层和锡层。该多层陶瓷电容器外部电极采用双层铜结构，解决了后续电镀工艺的镍液渗入第一铜层的问题，减少第一层铜与陶瓷本体的内应力，减少焊锡过程中造成材料热收缩应力，避免了陶瓷本体残留应力过大而产生裂纹。
-
公开(公告)号：CN112967937A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110180078.6
申请日：2021-02-09
申请人： 池州昀冢电子科技有限公司
发明人： 章军
摘要： 本申请提供了一种封装结构及其制备方法，该制备方法包括：提供一基板，所述基板具有相对的第一表面和第二表面；在所述基板的第一表面设置围坝，所述围坝包括下层坝体和上层坝体，所述下层坝体设置在所述基板的第一表面，所述下层坝体为金属材质，所述下层坝体具有顶面、相对的内侧面和外侧面，所述上层坝体设置在所述下层坝体的顶面并形成阶梯结构。避免高温烧结步骤，制造成本低；采用模块化设计的理念，可以各自独立地采用相同或者不同的工艺制作多种尺寸的上层坝体和下层坝体，使围坝的制备过程更加灵活，适用范围广；金属材质的下层坝体能够提供无机封装条件，气密性更佳，能够有效耐受UV照射，此外，强度高，能提高整个封装结构的稳定性。
-
公开(公告)号：CN112864024A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110026524.8
申请日：2021-01-08
申请人： 池州昀冢电子科技有限公司
发明人： 章军
IPC分类号： H01L21/48 , H01L23/498 , H05K3/02 , H05K3/04
摘要： 本申请公开了一种陶瓷线路板及其制作方法，该陶瓷线路板的制作方法包括以下步骤：在所述陶瓷基板上制作导电膜层；根据预设的电路图形，采用激光对所述导电膜层进行刻蚀或采用CNC加工方式去除部分导电膜层，得到图形化的电路层。通过在陶瓷基板上制作导电膜层，并根据预设的电路图形，采用激光刻蚀技术对导电膜层直接进行刻蚀，得到图形化的电路层，省去了现有陶瓷线路板的制作工艺中的贴干膜、曝光、显影、电镀加厚、去干膜、去钛、铜层等步骤，大大简化了陶瓷线路板的制作工序，同时避免了因曝光、显影、电镀加厚、化学去膜蚀刻等工序带来的污染物排放问题，对于提高陶瓷线路板的品质稳定性和节能环保具有重要意义。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
54 条记录 (耗时 0.039 秒)
