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公开(公告)号：CN116453853A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310371355.0
申请日：2023-04-04
申请人： 池州昀冢电子科技有限公司
发明人： 请求不公布姓名
摘要： 本发明提供一种电容器组件，所述电容器组件包括多层陶瓷电容器及连接于多层陶瓷电容器两端的两个金属框，多层陶瓷电容器包括电容器主体以及分别设置于电容器主体两端的两个外电极，金属框包括基部及连接于基部至少两侧的至少两个弹性部，基部贴附于外电极，至少两个弹性部夹持于外电极，并且至少两个弹性部包括用于安装至电路板的第二弹性部。金属框的弹性部对多层陶瓷电容器的两端的外电极进行机械夹持定位，组装方便，定位精准，不需要焊接即可实现电性连接，且容易实现多层陶瓷电容器的更替，方便维修。
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公开(公告)号：CN115331961A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211086980.2
申请日：2022-09-06
申请人： 池州昀冢电子科技有限公司
摘要： 本发明提供一种多层陶瓷电容器及其制造方法，多层陶瓷电容器包括电容器本体及两间隔相对的外电极，电容器本体内包括若干第一、二内电极及间隔第一、二内电极的介电层，外电极自内向外依次包括种子层及电极层，种子层覆盖于电容器本体的设置外电极部分的外表面，电极层至少包括镀覆成型的电极金属层及镀覆成型的焊接金属层。本申请的种子层可以便于电极金属层的镀覆成型，镀覆成型的电极金属层厚度均匀且较薄，应力均匀分散，防止外电极开裂；而且电极金属层镀覆成型，避免了采用烧结的方式成型，致密性高，防止镍液等渗入，防止电容器本体开裂。
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公开(公告)号：CN112967935B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202110177852.8
申请日：2021-02-09
申请人： 池州昀冢电子科技有限公司
发明人： 章军
摘要： 本申请公开了一种封装结构及其制备方法。该制备方法包括：提供一基板，所述基板具有相对的第一表面和第二表面；在所述基板的第一表面设置围坝，所述围坝包括内层坝体和外层坝体，所述内层坝体套设在所述外层坝体内，所述内层坝体为塑胶材质，所述内层坝体具有顶面、相对的内侧面和外侧面；提供一金属件，所述金属件设置在所述内层坝体上并覆盖所述内层坝体的至少部分顶面和/或至少部分内侧面。上述制备方法得到的封装结构可以根据封装需要，灵活设置金属件的位置，克服现有围坝存在的缺陷，满足封装需要。
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公开(公告)号：CN114373633B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210075472.8
申请日：2022-01-22
申请人： 池州昀冢电子科技有限公司
摘要： 本申请提供了一种多层陶瓷电容器和制备多层陶瓷电容器的方法，多层陶瓷电容器包括：电容器本体，所述电容器本体所包围的区域是刚好包围所述电容器本体的虚拟长方体包围盒所包围的区域的一部分；两个各自独立的外电极层，每个所述外电极层覆盖所述电容器本体的外表面的一部分。相对于现有技术来说，本多层陶瓷电容器的电容器本体并不是一个长方体的形状，使一个或两个外电极层部分或者全部嵌入虚拟长方体包围盒未被电容器本体填满的空间，外电极层可以不完全凸出于整个电容器本体甚至完全不凸出于电容器本体，避免外电极层完全凸出于整个电容器本体，使外电极层不易脱落。
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公开(公告)号：CN114373632A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202210075471.3
申请日：2022-01-22
申请人： 池州昀冢电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种多层陶瓷电容器及其制备方法，所述制备方法包括：提供第一层叠单元，包括第一介电层和第一内电极层，第一介电层的第一孔和第二孔处形成有导电体，第一内电极层位于第一介电层的上表面并电性连接第一孔处的导电体；提供第二层叠单元，包括第二介电层和第二内电极层，第二介电层的第三孔和第四孔处形成有导电体，第二内电极层位于第二介电层的上表面并电性连接第四孔处的导电体；提供保护层，保护层的第五孔和第六孔处形成有导电体；使第一层叠单元和第二层叠单元交替层叠设置，保护层覆盖最上层的第一层叠单元或第二层叠单元。上述制备方法得到的多层陶瓷电容器能避免介电层被向下推压的现象，因此具有更佳的性能。
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公开(公告)号：CN113054076A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110259649.5
申请日：2021-03-10
申请人： 池州昀冢电子科技有限公司
发明人： 章军
摘要： 本申请提供了一种玻璃线路板及其制备方法、一种封装结构及其制备方法，所述封装结构包括：玻璃基板，所述玻璃基板具有相对的上表面和下表面，所述玻璃基板的上表面设置有导电层；LED芯片，所述LED芯片设置在所述玻璃基板的上表面并电性连接所述导电层；围坝，所述围坝设置在所述玻璃基板的上表面；封装体，所述封装体与围坝配合封装所述LED芯片。以玻璃基板作为LED光源封装结构的基板，在玻璃基板上直接制作导电层，由此，与导电层电连接的LED芯片发出的光直接穿过玻璃基板这样一层介质射出，相比于现有技术下LED芯片的光需要通过两层介质射出，光透过率得到提高，应用于玻璃幕墙LED显示屏时，显示屏的亮度高，节能环保。
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公开(公告)号：CN114373632B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210075471.3
申请日：2022-01-22
申请人： 池州昀冢电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种多层陶瓷电容器及其制备方法，所述制备方法包括：提供第一层叠单元，包括第一介电层和第一内电极层，第一介电层的第一孔和第二孔处形成有导电体，第一内电极层位于第一介电层的上表面并电性连接第一孔处的导电体；提供第二层叠单元，包括第二介电层和第二内电极层，第二介电层的第三孔和第四孔处形成有导电体，第二内电极层位于第二介电层的上表面并电性连接第四孔处的导电体；提供保护层，保护层的第五孔和第六孔处形成有导电体；使第一层叠单元和第二层叠单元交替层叠设置，保护层覆盖最上层的第一层叠单元或第二层叠单元。上述制备方法得到的多层陶瓷电容器能避免介电层被向下推压的现象，因此具有更佳的性能。
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公开(公告)号：CN113054076B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202110259649.5
申请日：2021-03-10
申请人： 池州昀冢电子科技有限公司
发明人： 章军
摘要： 本申请提供了一种玻璃线路板及其制备方法、一种封装结构及其制备方法，所述封装结构包括：玻璃基板，所述玻璃基板具有相对的上表面和下表面，所述玻璃基板的上表面设置有导电层；LED芯片，所述LED芯片设置在所述玻璃基板的上表面并电性连接所述导电层；围坝，所述围坝设置在所述玻璃基板的上表面；封装体，所述封装体与围坝配合封装所述LED芯片。以玻璃基板作为LED光源封装结构的基板，在玻璃基板上直接制作导电层，由此，与导电层电连接的LED芯片发出的光直接穿过玻璃基板这样一层介质射出，相比于现有技术下LED芯片的光需要通过两层介质射出，光透过率得到提高，应用于玻璃幕墙LED显示屏时，显示屏的亮度高，节能环保。
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公开(公告)号：CN114373633A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202210075472.8
申请日：2022-01-22
申请人： 池州昀冢电子科技有限公司
摘要： 本申请提供了一种多层陶瓷电容器和制备多层陶瓷电容器的方法，多层陶瓷电容器包括：电容器本体，所述电容器本体所包围的区域是刚好包围所述电容器本体的虚拟长方体包围盒所包围的区域的一部分；两个各自独立的外电极层，每个所述外电极层覆盖所述电容器本体的外表面的一部分。相对于现有技术来说，本多层陶瓷电容器的电容器本体并不是一个长方体的形状，使一个或两个外电极层部分或者全部嵌入虚拟长方体包围盒未被电容器本体填满的空间，外电极层可以不完全凸出于整个电容器本体甚至完全不凸出于电容器本体，避免外电极层完全凸出于整个电容器本体，使外电极层不易脱落。
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公开(公告)号：CN113066731A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110227733.9
申请日：2021-03-01
申请人： 池州昀冢电子科技有限公司
发明人： 章军
IPC分类号： H01L21/52 , H01L21/56 , H01L23/043 , H01L23/10 , H01L23/14
摘要： 本申请提供了一种封装结构及其制备方法，该制备方法包括：提供一基板，所述基板具有相对的上表面和下表面，所述基板中设置有导电体，所述基板的上表面设置有第一导电层，所述基板的下表面设置有第二导电层，所述第一导电层和第二导电层通过所述导电体导通；在所述基板的上表面设置围坝，所述围坝的至少一部分为塑胶材质；提供一图像传感器芯片，将所述图像传感器芯片设置在所述基板的上表面并电性连接所述第一导电层；提供一盖体，将所述盖体设置在所述围坝上以封装所述图像传感器芯片。图像传感器芯片产生的电信号通过基板上表面的第一导电层、基板中的导电体、基板下表面的第二导电层垂直导出，减小整个封装结构的尺寸；制造简单，污染小。
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