公开(公告)号：CN106898551B

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN201611186007.2

申请日：2016-12-20

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 崔新逸 ,  赵炫珉 ,  金湘甲 ,  梁成勋 ,  丁有光 ,  安秉斗

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1362

摘要： 本发明提供一种制造薄膜晶体管的方法、薄膜晶体管基板和平板显示装置。其中制造薄膜晶体管的方法包括：在基板上形成氧化物半导体；在基板上层叠绝缘层和金属层以覆盖氧化物半导体；在金属层上形成光敏图案；通过使用光敏图案作为掩模蚀刻金属层而形成栅电极，其中栅电极的一部分交叠氧化物半导体的第一氧化物半导体区域；通过使用光敏图案作为掩模来部分地蚀刻绝缘层而形成栅绝缘膜，其中栅绝缘膜包括在光敏图案下面的具有第一厚度的第一绝缘区域和具有小于第一厚度的第二厚度的第二绝缘区域；以及在栅绝缘膜上执行等离子体处理以使得氧化物半导体的在第二绝缘区域下面的第二氧化物半导体区域变得导电。

公开(公告)号：CN112368839A

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN201880095012.3

申请日：2018-12-20

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 孙尙佑 ,  宋都根 ,  杨受京 ,  李东敏 ,  申相原 ,  高京秀 ,  金湘甲 ,  朴弘植 ,  申铉亿 ,  李俊杰

IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L51/56 ,  H01L51/50 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02

摘要： 一种显示面板包括：基体层；信号线，设置在基体层上并且包括包含铝的第一层和直接设置在第一层上并且包括铌的第二层；第一薄膜晶体管，连接到信号线；第二薄膜晶体管，设置在基体层上；电容器，电连接到第二薄膜晶体管；以及发光二极管，电连接到第二薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN112352332A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201880095019.5

申请日：2018-12-21

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 赵炫珉 ,  崔新逸 ,  金湘甲 ,  金泰圣

IPC分类号： H01L51/56 ,  H01L51/00 ,  H01L27/32

摘要： 提供了一种制造有机发光显示装置的方法。所述方法包括：在包括晶体管区域和电容器区域的基底上形成与晶体管区域对应的下电极图案，并在包括下电极图案的基底上形成缓冲层；在缓冲层上形成包括氧化物半导体层的薄膜晶体管；在薄膜晶体管上形成层间绝缘膜；在层间绝缘膜上形成包括具有不同深度的第一孔和第二孔的光致抗蚀剂膜图案；以及使用光致抗蚀剂膜图案，同时形成暴露下电极图案的第一接触孔和暴露氧化物半导体层的第二接触孔。

公开(公告)号：CN112216716A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN202010503802.X

申请日：2020-06-05

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金湘甲 ,  金泰圣 ,  李俊杰 ,  赵炫珉 ,  崔大元 ,  吕伦钟

IPC分类号： H01L27/32

摘要： 提供了一种显示装置及制造显示装置的方法，显示装置包括：基底基板；设置在基底基板上的有机层；和设置在有机层上的第一导电层，其中第一导电层包括多个堆叠的膜，多个堆叠的膜包括直接设置在有机层上的第一导电膜和设置在第一导电膜上的第二导电膜，并且第一导电膜具有比第二导电膜的氧浓度更高的氧浓度。

公开(公告)号：CN111276090A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN201911211756.X

申请日：2019-12-02

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 裵水斌 ,  赵晟原 ,  丁有光 ,  金湘甲

IPC分类号： G09G3/32 ,  H01L27/15

摘要： 提供一种显示装置及一种制造该显示装置的方法，所述显示装置包括：像素电路，设置在基体层上；绝缘层，设置在基体层上且覆盖像素电路；第一电极，设置在绝缘层上；第二电极，设置在绝缘层上，第二电极与第一电极在第一方向上分隔开；发光元件，设置在第一电极与第二电极之间；连接电极，将第一电极与发光元件连接，并且将第二电极与发光元件连接；第一辅助绝缘层，设置在发光元件上；以及第二辅助绝缘层，设置在第一辅助绝缘层上。第二辅助绝缘层包括与第一辅助绝缘层叠置的第一绝缘部分以及从第一绝缘部分向外设置并且不与第一辅助绝缘层叠置的第二绝缘部分。

公开(公告)号：CN110246847A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201910176154.9

申请日：2019-03-08

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 丁有光 ,  裴水斌 ,  李俊杰 ,  金湘甲 ,  崔新逸

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L27/32

摘要： 本公开涉及一种显示装置，所述显示装置包括：半导体层，所述半导体层在基底上；栅极绝缘层和层间绝缘层，所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层与所述半导体层重叠；接触孔，所述接触孔穿过所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层；源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极通过所述接触孔与所述半导体层电连接；发光二极管，所述发光二极管与所述漏电极连接；以及第一间隔件和第二间隔件，所述第一间隔件和所述第二间隔件在所述接触孔中在所述源电极和所述层间绝缘层之间并且在所述漏电极和所述层间绝缘层之间。

公开(公告)号：CN110095832A

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201910039428.X

申请日：2019-01-16

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 申铉亿 ,  金湘甲 ,  白炅旼 ,  宋都根 ,  申相原 ,  赵炫珉

IPC分类号： G02B5/30 ,  G02B5/00 ,  G02B5/08

摘要： 本申请提供了偏振器，包括基板和基板上的多个条形栅格线。每个栅格线可以包括吸光层和反射层，反射层位于吸光层和基板之间，并且吸光层可以包括氧化物，其含有钼(Mo)、钨(W)或钼和钨的组合。本申请还提供了包括该偏振器的光学设备、包括该偏振器的显示设备和制备该偏振器的方法。

公开(公告)号：CN110034149A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201811486651.0

申请日：2018-12-06

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 裴水斌 ,  丁有光 ,  崔新逸 ,  李俊杰 ,  金湘甲

IPC分类号： H01L27/15

摘要： 公开了一种发光二极管器件，所述发光二极管器件包括：薄膜晶体管基底，具有多个发光区域；第一电极和第二电极，位于薄膜晶体管基底上；第一钝化图案，位于第一电极与第二电极之间；多个微型发光二极管，位于第一钝化图案上；第一桥接图案，位于微型发光二极管上并且将第一电极电连接到微型发光二极管；以及第二桥接图案，位于第一桥接图案上并且将第二电极电连接到微型发光二极管，其中，每个微型发光二极管的每个侧壁与第一钝化图案的每个侧壁形成同一平面。

公开(公告)号：CN109599331A

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201811011271.1

申请日：2018-08-31

申请人： 三星显示有限公司 ,  高丽大学校 ,  世宗产学协力团

发明人： 金湘甲 ,  洪雯杓 ,  赵炫珉 ,  权成容 ,  尹皓园

IPC分类号： H01L21/3213 ,  H01L21/28 ,  H01L21/77

摘要： 本发明涉及铜等离子体蚀刻方法以及显示面板制造方法。根据示例性实施方式的铜等离子体蚀刻方法包括：将基板放置在等离子体蚀刻设备的处理室中的基座上；将包括氯化氢的蚀刻气体供应到处理室中；等离子体蚀刻在基板中的含有铜的导电层；以及在等离子体蚀刻期间将基座的温度保持在10℃或更低。

公开(公告)号：CN107342294A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201710286440.1

申请日：2017-04-27

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 丁有光 ,  赵炫珉 ,  裵水斌 ,  崔新逸 ,  金湘甲

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/123 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/41733

摘要： 本发明涉及晶体管阵列面板。一种晶体管阵列面板通过减少或消除对于高选择性蚀刻剂或需要多个光掩模来产生接触孔的复杂工艺的需求的方法被制造。该面板包括：基板；位于基板上的缓冲层；位于缓冲层上的半导体层；位于半导体层上的中间绝缘层；以及位于中间绝缘层上的上导电层，其中半导体层包括第一接触孔，中间绝缘层包括第二接触孔，第二接触孔以与第一接触孔重叠的关系被放置，并且上导电层在第一接触孔中与半导体层的侧表面接触。