公开(公告)号：CN109811344A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201811389156.8

申请日：2018-11-21

申请人： 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

发明人： 朴种熙 ,  金真锡 ,  李凤源 ,  金基泰 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  李大雨 ,  李秉雄 ,  李相赫

IPC分类号： C23F1/30 ,  C23F1/16 ,  C09K13/06 ,  H01L51/56 ,  H01L51/52 ,  H01L27/32

摘要： 提供了一种蚀刻剂组合物和使用该蚀刻剂组合物制造显示装置的方法。所述蚀刻剂组合物相对于蚀刻剂组合物的总重量包括约8.5wt％至约10wt％的无机酸化合物、约1wt％至约10wt％的硫酸氢盐化合物、约50wt％至约60wt％的有机酸化合物、约1wt％至约5wt％的磺酸化合物、约1wt％至约5wt％的螯合物和作为余量的水。

公开(公告)号：CN111187625B

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN201911085664.1

申请日：2019-11-08

申请人： 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

发明人： 朴种熙 ,  金基泰 ,  金真锡 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  李大雨 ,  李相赫 ,  郑鸿

IPC分类号： C09K13/06 ,  H01L27/32

摘要： 提供一种蚀刻组合物、一种使用该蚀刻组合物形成图案的方法和一种使用该蚀刻组合物制造显示装置的方法。所述蚀刻组合物包括无机酸化合物、羧酸化合物、磺酸化合物、二醇化合物、含氮二羰基化合物、硫酸盐化合物和水。

公开(公告)号：CN109112543B

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN201810637712.2

申请日：2018-06-20

申请人： 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

发明人： 朴种熙 ,  金真锡 ,  李凤源 ,  金相佑 ,  朴一龙 ,  元凤渊 ,  李大雨

IPC分类号： C23F1/30 ,  H01L27/12

摘要： 一种无磷酸蚀刻组合物和一种形成布线的方法，所述组合物包括：大约40wt％至大约60wt％的有机酸化合物；大约6wt％至大约12wt％的二醇化合物；大约1wt％至大约10wt％的硝酸、硫酸或盐酸；大约1wt％至大约10wt％的硝酸盐化合物；以及水，所有的wt％是基于无磷酸蚀刻组合物的总重量。

公开(公告)号：CN109423648B

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN201811019029.9

申请日：2018-09-03

申请人： 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

发明人： 梁熙星 ,  朴弘植 ,  郑锺鉉 ,  金相佑 ,  李大雨

IPC分类号： C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/02 ,  H01L21/306

摘要： 提供了蚀刻剂组合物，包含10wt％至20wt％的过氧化氢、0.1wt％至2wt％的基于唑的化合物、0.1wt％至10wt％的无机酸化合物、0.1wt％至5wt％的水面稳定剂、0.01wt％至0.1wt％的氟化物、0.1wt％至10wt％的基于硫酸盐的化合物以及以使得所述蚀刻剂组合物的总重量为100wt％的量包含的水。根据本发明构思的实施方案的蚀刻剂组合物可以用于蚀刻含铜和钼‑钛合金的金属膜以形成金属图案，或者用于制造薄膜晶体管衬底。

公开(公告)号：CN110284139A

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201910207694.9

申请日：2019-03-19

申请人： 三星显示有限公司 ,  株式会社 ,  东进世美肯

发明人： 金俸均 ,  金镇爽 ,  沈承辅 ,  崔新革 ,  沈枟亨 ,  李栋熙 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  李大雨 ,  李相赫

IPC分类号： C23F1/18 ,  C23F1/02

摘要： 本发明的实施方式的蚀刻剂组合物包括过硫酸盐、四-氮环化合物、具有两个或更多个羰基的羰基环化合物和水，并且四-氮环化合物和羰基环化合物的重量比为约1:0.1至约1:2。蚀刻剂组合物可蚀刻钛/铜的多层并且可用于制造具有优异蚀刻图案特性的金属图案和阵列基板。

公开(公告)号：CN103571495B

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201310319674.3

申请日：2013-07-26

申请人： 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

发明人： 金俸均 ,  朴弘植 ,  李旺宇 ,  文英慜 ,  尹升好 ,  崔永株 ,  金相佑 ,  李骐范 ,  李大雨 ,  曹三永

IPC分类号： C09K13/06 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/465 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L21/465 ,  C09K13/00 ,  C09K13/06 ,  C23F1/30 ,  H01L21/32134 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明提供蚀刻剂组合物及使用其制造薄膜晶体管的方法。所述蚀刻剂组合物包括过硫酸铵((NH4)2S2O8)、基于唑的化合物、水溶性的胺化合物、含磺酸基团的化合物、含硝酸根的化合物、含磷酸根的化合物、含氯化物的化合物和剩余的水。

公开(公告)号：CN104451681A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410497650.1

申请日：2014-09-25

申请人： 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

发明人： 金俸均 ,  朴弘植 ,  尹升好 ,  金善一 ,  金相佑 ,  李大雨 ,  李骐范 ,  曹三永

IPC分类号： C23F1/16 ,  C23F1/02 ,  H01L21/77

摘要： 本发明提供一种蚀刻液组合物及利用该组合物的薄膜晶体管基板形成方法。本发明实施例的蚀刻液组合物包含第一蚀刻液组合物和第二蚀刻液组合物。所述第一蚀刻液组合物包含过二硫酸盐化合物、唑类化合物、水溶性胺化合物、磷酸盐化合物、氯化物、有机酸、氟化物、磺酸化合物及无机酸。所述第二蚀刻液组合物包含二硫酸化合物、唑类化合物、水溶性胺化合物、磷酸盐化合物、氯化物及有机酸。

公开(公告)号：CN110387545B

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN201910328331.0

申请日：2019-04-23

申请人： 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

发明人： 朴种熙 ,  金基泰 ,  金真锡 ,  金奎布 ,  申贤哲 ,  李大雨 ,  李相赫

IPC分类号： C23F1/02 ,  C23F1/30

摘要： 本公开提供一种蚀刻剂组合物和使用蚀刻剂组合物的金属图案的制造方法。所述蚀刻剂组合物包括：18wt％至25wt％的第一有机酸化合物；15wt％至20wt％的第二有机酸化合物；8.1wt％至9.9wt％的无机酸化合物；1wt％至4.9wt％的磺酸化合物；10wt％至20wt％的硫酸氢盐化合物；1wt％至5wt％的含氮二羰基化合物；1wt％至5wt％的氨基酸衍生物化合物；0.1wt％至2wt％的含铁氧化剂化合物；以及余量的水。

公开(公告)号：CN110284139B

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN201910207694.9

申请日：2019-03-19

申请人： 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

发明人： 金俸均 ,  金镇爽 ,  沈承辅 ,  崔新革 ,  沈枟亨 ,  李栋熙 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  李大雨 ,  李相赫

IPC分类号： C23F1/18 ,  C23F1/02

摘要： 本发明的实施方式的蚀刻剂组合物包括过硫酸盐、四‑氮环化合物、具有两个或更多个羰基的羰基环化合物和水，并且四‑氮环化合物和羰基环化合物的重量比为约1:0.1至约1:2。蚀刻剂组合物可蚀刻钛/铜的多层并且可用于制造具有优异蚀刻图案特性的金属图案和阵列基板。

公开(公告)号：CN111234824A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN201911085578.0

申请日：2019-11-08

申请人： 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

发明人： 朴种熙 ,  金基泰 ,  金真锡 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  李大雨 ,  李相赫

IPC分类号： C09K13/06 ,  H01L21/3213

摘要： 提供一种用于蚀刻含银薄膜的蚀刻组合物、一种使用该蚀刻组合物形成图案的方法和一种使用该蚀刻组合物制造显示装置的方法。所述蚀刻组合物包括无机酸化合物、羧酸化合物、磺酸化合物、二醇化合物、含氮二羰基化合物、金属基氧化剂和水。