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公开(公告)号:CN110387545B
公开(公告)日:2022-12-13
申请号:CN201910328331.0
申请日:2019-04-23
摘要: 本公开提供一种蚀刻剂组合物和使用蚀刻剂组合物的金属图案的制造方法。所述蚀刻剂组合物包括:18wt%至25wt%的第一有机酸化合物;15wt%至20wt%的第二有机酸化合物;8.1wt%至9.9wt%的无机酸化合物;1wt%至4.9wt%的磺酸化合物;10wt%至20wt%的硫酸氢盐化合物;1wt%至5wt%的含氮二羰基化合物;1wt%至5wt%的氨基酸衍生物化合物;0.1wt%至2wt%的含铁氧化剂化合物;以及余量的水。
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公开(公告)号:CN109811344B
公开(公告)日:2022-07-05
申请号:CN201811389156.8
申请日:2018-11-21
摘要: 提供了一种蚀刻剂组合物和使用该蚀刻剂组合物制造显示装置的方法。所述蚀刻剂组合物相对于蚀刻剂组合物的总重量包括约8.5wt%至约10wt%的无机酸化合物、约1wt%至约10wt%的硫酸氢盐化合物、约50wt%至约60wt%的有机酸化合物、约1wt%至约5wt%的磺酸化合物、约1wt%至约5wt%的螯合物和作为余量的水。
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公开(公告)号:CN110387545A
公开(公告)日:2019-10-29
申请号:CN201910328331.0
申请日:2019-04-23
摘要: 本公开提供一种蚀刻剂组合物和使用蚀刻剂组合物的金属图案的制造方法。所述蚀刻剂组合物包括:18wt%至25wt%的第一有机酸化合物;15wt%至20wt%的第二有机酸化合物;8.1wt%至9.9wt%的无机酸化合物;1wt%至4.9wt%的磺酸化合物;10wt%至20wt%的硫酸氢盐化合物;1wt%至5wt%的含氮二羰基化合物;1wt%至5wt%的氨基酸衍生物化合物;0.1wt%至2wt%的含铁氧化剂化合物;以及余量的水。
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公开(公告)号:CN109811344A
公开(公告)日:2019-05-28
申请号:CN201811389156.8
申请日:2018-11-21
摘要: 提供了一种蚀刻剂组合物和使用该蚀刻剂组合物制造显示装置的方法。所述蚀刻剂组合物相对于蚀刻剂组合物的总重量包括约8.5wt%至约10wt%的无机酸化合物、约1wt%至约10wt%的硫酸氢盐化合物、约50wt%至约60wt%的有机酸化合物、约1wt%至约5wt%的磺酸化合物、约1wt%至约5wt%的螯合物和作为余量的水。
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公开(公告)号:CN108153035A
公开(公告)日:2018-06-12
申请号:CN201711055728.4
申请日:2017-11-01
申请人: 三星显示有限公司
IPC分类号: G02F1/1335 , G02F1/13357
CPC分类号: G02F1/133512 , G02F1/133502 , G02F1/133514 , G02F1/133516 , G02F1/133528 , G02F1/133553 , G02F1/133621 , G02F2001/133357 , G02F2001/133548 , G02F2001/133557 , G02F2001/133614 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G02F2201/50 , G02F2202/36 , G02F2203/01 , G02F2203/055 , G02F1/1336
摘要: 本发明提供了一种基板、包括基板的显示设备和制造显示设备的方法。显示设备包括第一基板、面向第一基板的第二基板以及布置在第一基板和第二基板之间液晶层。第一基板和第二基板中的一个包括基底基板和光阻挡图案,光阻挡图案被布置在基底基板的两个表面中面向另一表面的一个表面上,光阻挡图案暴露基底基板的部分。光阻挡图案包括布置在基底基板上的半透反射层、布置在半透反射层上的相位匹配层以及布置在相位匹配层上的反射金属层。相位匹配层和反射金属层包括具有基本相同的蚀刻率的材料。
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公开(公告)号:CN109811345B
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN201811389335.1
申请日:2018-11-21
申请人: 三星显示有限公司 , 东友精细化工有限公司
摘要: 提供一种蚀刻剂和通过利用该蚀刻剂制造显示装置的方法,所述蚀刻剂包括:基于蚀刻剂的总重量,大约1wt%至大约15wt%的硫化过氧化物、大约5wt%至大约10wt%的硝酸、大约20wt%至大约40wt%的有机酸、大约0.05wt%至大约5wt%的硝酸铁、大约0.1wt%至大约5wt%的离子螯合剂以及大约0.1wt%至大约5wt%的缓蚀剂,其中,余量是去离子水。
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