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公开(公告)号：CN107045891B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201610944976.3
申请日：2016-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种操作非易失性存储器装置的方法，所述方法包括：接收第一读命令；响应于第一读命令执行第一读出操作；以及接收第二读命令。所述方法还包括：当在完成第一读出操作之前接收到第二读命令时，在不执行恢复操作的情况下完成对应于第一读命令的存储器操作；以及响应于第二读命令执行第二读出操作。
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公开(公告)号：CN111667866A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010143644.1
申请日：2020-03-04
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 尹铉竣
Abstract: 公开了一种非易失性存储器及其操作方法和一种贮存装置。一种非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括按照行和列布置的存储器单元；行解码器电路，其通过字线连接到存储器单元的行并控制字线的电压；以及页缓冲器电路，其通过位线连接到存储器单元的列，并且包括被配置为感测位线的电压的第一晶体管以及被配置为反相并感测位线的电压的第二晶体管。页缓冲器电路被配置为通过经由第一晶体管对位线中的第一位线执行第一感测操作来获得第一值，并且通过经由第二晶体管对位线中的第二位线执行第二感测操作来获得第二值，其中，第一值或第二值被反相。
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公开(公告)号：CN107154274A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710111215.4
申请日：2017-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 尹铉竣
CPC classification number: G11C11/5642 , G11C11/5628 , G11C16/08 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/3459 , G11C2211/5642 , G11C2211/5643
Abstract: 本申请公开了操作非易失性存储器设备的方法，该方法包括：使用第一感测电压执行第一感测操作；根据由于第一感测操作而存储在页缓冲器的第一锁存器单元中的第一数据，对多个位线当中的一些位线预充电；复位第一锁存器单元；以及使用第二感测电压执行第二感测操作。
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公开(公告)号：CN105931671A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610245371.5
申请日：2010-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/34
CPC classification number: G11C16/3459 , G11C11/56 , G11C11/5671 , G11C16/10 , G11C16/3454
Abstract: 一种对闪速存储器件进行编程的方法，包括：对选定的存储单元编程；执行验证操作，以确定选定的存储单元是否达到了目标编程状态；以及基于与检测初始编程状态的编程期间的合格比特相关联的编程特性，来确定验证操作的起始点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102157204A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010622089.7
申请日：2010-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/34
CPC classification number: G11C16/3459 , G11C11/56 , G11C11/5671 , G11C16/10 , G11C16/3454
Abstract: 一种对闪速存储器件进行编程的方法，包括：对选定的存储单元编程；执行验证操作，以确定选定的存储单元是否达到了目标编程状态；以及基于与检测初始编程状态的编程期间的合格比特相关联的编程特性，来确定验证操作的起始点。
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公开(公告)号：CN118942514A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410557063.0
申请日：2024-05-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种在非易失性存储器装置中对数据进行编程的方法包括：将状态排序设置为第一状态排序，所述状态排序表示多个状态与多位数据的数据值之间的关系，基于第一状态排序对多个存储器单元中的目标存储器单元执行编程操作，将状态排序从第一状态排序交换到不同于第一状态排序的第二状态排序，基于第二状态排序对目标存储器单元执行编程操作，将状态排序从第二状态排序重新交换到第一状态排序，并且基于第一状态排序对目标存储器单元执行编程操作。非易失性存储器装置的多个存储器单元中的每个存储器单元被编程为具有多个状态中的一个状态。
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公开(公告)号：CN114121102A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110735179.5
申请日：2021-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器件包括存储单元阵列、页面缓冲器电路和计数电路。所述页面缓冲器电路包括连接到所述存储单元阵列的第一页面缓冲器列和第二页面缓冲器列。在第一级中，所述第一页面缓冲器列包括第一页面缓冲器单元，所述第二页面缓冲器列包括第二页面缓冲器单元。所述第一页面缓冲器单元响应于第一感测信号执行第一感测操作，所述第二页面缓冲器单元响应于第二感测信号执行第二感测操作。所述计数电路根据所述第一感测操作的结果对第一阈值电压区域中包括的存储单元的第一数目进行计数，以及根据所述第二感测操作的结果对第二阈值电压区域中包括的存储单元的第二数目进行计数。
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公开(公告)号：CN111798904A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010082451.X
申请日：2020-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10 , G11C16/34 , G06F12/02 , G06F12/0882
Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置、其操作方法和存储器系统。非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元，所述多个存储器单元被配置为被分别编程为多种状态中的一种状态；页缓冲器电路，包括多个页缓冲器，所述多个页缓冲器被配置为分别存储接收的数据作为状态数据，状态数据指示所述多个存储器单元中的相应的存储器单元的目标状态，页缓冲器电路被配置为：在对所述多个存储器单元中的选择的存储器单元执行编程操作期间执行将第一状态数据排序改变为第二状态数据排序的状态数据重新排序操作；以及重新排序控制电路，被配置为控制页缓冲器电路与编程操作同时执行状态数据重新排序操作。
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公开(公告)号：CN108305660A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201711274002.X
申请日：2017-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/28 , G11C16/0458 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/26 , G11C16/30 , G11C16/3404
Abstract: 提供了一种用于以最佳读取电压读取数据的非易失性存储器设备的读取方法。读取方法包括：通过将连接到第一字线的第一组存储器单元的数据划分为M页并从M页单独地读取数据，读取第一组存储器单元的数据。读取数据包括：当读取M页中的每个页时，通过对第一组存储器单元的两个相邻阈值电压分布的第一谷执行片上谷搜索(OVS)操作；以及基于OVS操作的结果，经由对与第一字线相邻的第二字线的读取操作执行数据恢复读取操作。在数据恢复读取操作中，不执行对第一字线的读取操作。
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