公开(公告)号：CN116013378A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211294716.8

申请日：2022-10-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑凤吉 ,  南尚完 ,  白钟民 ,  田旼奇 ,  郑宇哲 ,  崔允熙

IPC: G11C7/12 ,  G11C8/08 ,  G11C8/10

Abstract: 提供了一种非易失性存储器件，该非易失性存储器件包括：存储单元阵列；第一电压生成器，该第一电压生成器被配置为为该存储单元阵列的每条字线生成字线操作电压；第二电压生成器，该第二电压生成器被配置为生成该存储单元阵列的位线操作电压；以及温度单元，该温度单元被配置为：根据该存储单元阵列的实时温度，从温度范围表中确定温度代码的温度范围，并且基于映射到所确定的温度范围的选择信号来调整该第一电压生成器或该第二电压生成器的供电电压。

公开(公告)号：CN102479550A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201110382310.0

申请日：2011-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔允熙 ,  朴起台 ,  金甫根

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/02

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C7/04 ,  G11C16/26 ,  G11C16/30

Abstract: 公开一种在非易失性存储器件中生成经补偿的操作电压的方法，以及相关的非易失性存储器件，所述操作电压如读取电压。响应于一个或多个存储单元条件来补偿操作电压，所述存储单元条件如温度变化、所选择的存储单元的编程数据状态或物理位置、所选择的存储单元的页信息、或所选择的字线的位置。

公开(公告)号：CN108597553B

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN201810437748.6

申请日：2011-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔允熙

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/34

Abstract: 在一个实施例中，一种方法包括：接收操作命令；检测公共源极线的噪声电平；以及基于检测的噪声电平调整响应于操作命令对存储单元执行操作的次数。

公开(公告)号：CN102479547B

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201110377994.5

申请日：2011-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔允熙

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/26 ,  G11C16/34

Abstract: 非易失性存储器件、其操作方法以及具有其的电子设备。在一个实施例中，一种方法包括：接收操作命令；检测公共源极线的噪声电平；以及基于检测的噪声电平调整响应于操作命令对存储单元执行操作的次数。

公开(公告)号：CN102479550B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201110382310.0

申请日：2011-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔允熙 ,  朴起台 ,  金甫根

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/02

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C7/04 ,  G11C16/26 ,  G11C16/30

Abstract: 公开一种在非易失性存储器件中生成经补偿的操作电压的方法，以及相关的非易失性存储器件，所述操作电压如读取电压。响应于一个或多个存储单元条件来补偿操作电压，所述存储单元条件如温度变化、所选择的存储单元的编程数据状态或物理位置、所选择的存储单元的页信息、或所选择的字线的位置。

公开(公告)号：CN114121102A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110735179.5

申请日：2021-06-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹溶成 ,  朴镇宇 ,  尹铉竣 ,  崔允熙

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/34

Abstract: 一种存储器件包括存储单元阵列、页面缓冲器电路和计数电路。所述页面缓冲器电路包括连接到所述存储单元阵列的第一页面缓冲器列和第二页面缓冲器列。在第一级中，所述第一页面缓冲器列包括第一页面缓冲器单元，所述第二页面缓冲器列包括第二页面缓冲器单元。所述第一页面缓冲器单元响应于第一感测信号执行第一感测操作，所述第二页面缓冲器单元响应于第二感测信号执行第二感测操作。所述计数电路根据所述第一感测操作的结果对第一阈值电压区域中包括的存储单元的第一数目进行计数，以及根据所述第二感测操作的结果对第二阈值电压区域中包括的存储单元的第二数目进行计数。

公开(公告)号：CN108597553A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201810437748.6

申请日：2011-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔允熙

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/34

Abstract: 在一个实施例中，一种方法包括：接收操作命令；检测公共源极线的噪声电平；以及基于检测的噪声电平调整响应于操作命令对存储单元执行操作的次数。

公开(公告)号：CN108986861B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN201710412107.0

申请日：2017-06-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔允熙 ,  李升妍 ,  朱相炫

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/24 ,  G11C8/08 ,  G11C7/12

Abstract: 提供了一种对非易失性存储器装置进行编程的方法。在对三维非易失性存储器装置进行编程的方法中，至少执行一次编程循环。编程循环包括用于对多个存储器单元中的被选择的存储器单元进行编程的编程步骤和用于验证被选择的存储器单元是否被编程通过的验证步骤。在对被选择的存储器单元进行编程时，可以改变施加到共同连接到所述多个存储器单元的共源极线的电压的电平。因此，在编程操作中，可以减小对共源极线进行充放电所需要的功耗，同时增大升压效率。

公开(公告)号：CN110099298B

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN201810083523.5

申请日：2018-01-29

Applicant: 北京三星通信技术研究有限公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： 王治金 ,  文伟 ,  崔允熙 ,  罗中华 ,  陈凌颖 ,  薛远洋 ,  潘作舟 ,  戈志伟

IPC: H04N21/44 ,  H04N21/458

Abstract: 本发明涉及图像处理技术领域，提供了一种多媒体内容处理方法及终端设备，该多媒体内容处理方法，包括：提取待播放多媒体内容对应的多媒体特征；若根据提取的所述多媒体特征，检测出所述待播放多媒体需要进行内容替换，则确定替换后的目标多媒体内容；播放所述目标多媒体内容。本发明中，实现了在终端侧对多媒体内容的替换播放，提升了用户的使用体验。

公开(公告)号：CN110099298A

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201810083523.5

申请日：2018-01-29

Applicant: 北京三星通信技术研究有限公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： 王治金 ,  文伟 ,  崔允熙 ,  罗中华 ,  陈凌颖 ,  薛远洋 ,  潘作舟 ,  戈志伟

IPC: H04N21/44 ,  H04N21/458

Abstract: 本发明涉及图像处理技术领域，提供了一种多媒体内容处理方法及终端设备，该多媒体内容处理方法，包括：提取待播放多媒体内容对应的多媒体特征；若根据提取的所述多媒体特征，检测出所述待播放多媒体需要进行内容替换，则确定替换后的目标多媒体内容；播放所述目标多媒体内容。本发明中，实现了在终端侧对多媒体内容的替换播放，提升了用户的使用体验。