公开(公告)号：CN110504262A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910026981.X

申请日：2019-01-11

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 张世明 ,  安濬爀 ,  金奉秀 ,  朴晓斌 ,  沈明燮

IPC分类号： H01L27/088

摘要： 提供了包括器件隔离层的半导体装置。所述半导体装置包括：基底，具有单元区域和核心/外围区域；第一有源区，位于基底的单元区域中；第一器件隔离层，限定第一有源区；第二有源区，位于基底的核心/外围区域中；以及第二器件隔离层，限定第二有源区。在与基底的下表面垂直的第一方向上从基底的下表面到第一器件隔离层的上端的高度小于或等于在第一方向上从基底的下表面到第一有源区的上端的高度。

公开(公告)号：CN106816430A

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201610915570.2

申请日：2016-10-20

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金璟恩 ,  金容宽 ,  张世明 ,  黄有商 ,  金奉秀

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/768

摘要： 本发明公开了一种半导体器件。该半导体器件包括包含多个有源区的基板。导电图案与有源区接触。第一和第二导线结构面对导电图案的第一和第二侧壁。空气间隔物设置在第一侧壁和第二侧壁与第一和第二导线结构之间。第一和第二导线结构包括导线和导线掩模层。导线掩模层包括具有第一宽度的下部分和具有比第一宽度窄的第二宽度的上部分。空气间隔物包括设置在导线掩模层的下部分的侧壁上的第一空气间隔物和设置在导线掩模层的上部分的侧壁上的第二空气间隔物。第二空气间隔物与所述第一空气间隔物连接。

公开(公告)号：CN106816430B

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201610915570.2

申请日：2016-10-20

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金璟恩 ,  金容宽 ,  张世明 ,  黄有商 ,  金奉秀

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/768

摘要： 本发明公开了一种半导体器件。该半导体器件包括包含多个有源区的基板。导电图案与有源区接触。第一和第二导线结构面对导电图案的第一和第二侧壁。空气间隔物设置在第一侧壁和第二侧壁与第一和第二导线结构之间。第一和第二导线结构包括导线和导线掩模层。导线掩模层包括具有第一宽度的下部分和具有比第一宽度窄的第二宽度的上部分。空气间隔物包括设置在导线掩模层的下部分的侧壁上的第一空气间隔物和设置在导线掩模层的上部分的侧壁上的第二空气间隔物。第二空气间隔物与所述第一空气间隔物连接。

公开(公告)号：CN110783181A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910210667.7

申请日：2019-03-19

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴成珉 ,  张世明 ,  金奉秀 ,  朴济民

IPC分类号： H01L21/033 ,  H01L21/308

摘要： 本发明涉及制造半导体器件的方法。一种方法包括：通过在衬底上沉积支撑掩模层、多晶硅层和硬掩模层并蚀刻硬掩模层，来形成硬掩模图案；通过使用硬掩模作为蚀刻掩模蚀刻多晶硅层来形成预多晶硅图案；氧化预多晶硅图案的侧表面，以形成多晶硅图案和氧化硅层；形成覆盖氧化硅层的侧面的隔墙图案；在支撑掩模层的顶表面上形成牺牲层，以覆盖氧化硅层和隔墙图案；蚀刻牺牲层和氧化硅层；通过使用多晶硅图案和隔墙图案作为蚀刻掩模蚀刻支撑掩模层来形成支撑掩模图案；以及通过使用支撑掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻衬底来形成触发引脚。

公开(公告)号：CN100499074C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN03136040.8

申请日：2003-05-15

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 张世明 ,  秦教英 ,  吴容哲 ,  金炫昌

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/41783 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823418 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628

摘要： 具有侧壁的栅形成在集成电路衬底上。在栅的侧壁上形成阻挡层间隔。阻挡层间隔的一部分从栅的侧壁突出，露出面向集成电路衬底的阻挡层间隔的下表面。在从栅的侧壁突出的阻挡层间隔的所述部分上形成硅化物层。也提供了相关的装置。

公开(公告)号：CN101051637A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200710096708.1

申请日：2007-04-06

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 姜载禄 ,  吉田诚 ,  张世明

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L29/7851 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66795

摘要： 使用光刻胶掩模图形制造半导体器件，以及有选择地除去单元区和外围电路区中的部分里衬氮化物层。形成改进的FinFET，以减小由单元区中的相邻栅极线传送的信号的影响。与改进的FinFET的形成同时，在核心区和外围区中分别形成双FinFET和基本上平坦的MOSFET。