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公开(公告)号：CN102655174B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210054770.5
申请日：2012-03-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/417 , H01L21/77
CPC classification number: H01L27/1292 , H01L27/124 , H01L27/283 , H01L29/41733 , H01L29/7835 , H01L29/78645 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管(TFT)及制造该薄膜晶体管的方法。TFT包括厚度均匀的线形栅极。栅极的横截面在侧表面和顶表面相遇的地方是弯曲的。该栅极包括一条或两条或者更多条栅极线。
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公开(公告)号：CN103167790A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210543944.4
申请日：2012-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H05K9/00
CPC classification number: H05K9/0007 , H05K3/00 , H05K9/0028 , Y10T29/49124
Abstract: 提供了一种用于移动装置的屏蔽系统和一种用来装配该屏蔽系统的方法。屏蔽系统包括：印刷电路板(PCB)，具有第一面积和厚度；屏蔽罩，与PCB的正面分隔开特定的距离并且位于PCB的正面上方，用来包围PCB上的组件。屏蔽罩的部分结合到PCB的侧面和背面中的至少一个面。
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公开(公告)号：CN101026220A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200610136065.4
申请日：2006-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L41/09 , H01L41/047 , H01L41/22 , B41J2/14 , B41J2/045
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2002/14491 , Y10T29/42 , Y10T29/49002 , Y10T29/49005 , Y10T29/4908
Abstract: 本发明提供了用于喷墨头的压电致动器及其制造方法。所述压电致动器形成在振动板上，用于向各个压力室提供驱动力。该压电致动器包括：形成在所述振动板上的下电极；形成在下电极上、处于对应于各个压力室的位置的压电层；形成在下电极上的支撑垫，该支撑垫接触压电层的一端并从压电层的该端延伸出；和从压电层顶面延伸至支撑垫顶面的上电极，其中，上电极在支撑垫上方连接至一驱动电路，用于从该驱动电路接收电压。压电层可以具有与压力室大致相同的长度。支撑垫可以由光敏聚合物形成，并可以具有与压电层大致相同的高度。上电极可以包括形成在压电层上的第一部分和形成在支撑垫上的第二部分，该第二部分比第一部分宽。
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公开(公告)号：CN101024353A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200610143324.6
申请日：2006-11-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1626 , B41J2/1631 , B41J2/1646 , B41J2002/14491 , H05K3/107 , H05K3/1216 , Y10T29/42
Abstract: 一种通过丝网印刷形成厚层的方法和形成喷墨头压电致动器的方法。所述形成厚层的方法包括：在表面形成预定深度的引导槽；通过丝网印刷施加膏状材料至引导槽内侧表面而形成厚层。引导槽具有与厚层相同的轮廓。通过在引导槽的内侧施加膏状材料使膏状物宽度小于引导槽宽度并使施加膏状物通过延展具有与引导槽相同的宽度而形成厚层。形成所述压电致动器的方法包括：在振动板顶表面上形成绝缘层，且在对应每个压力腔处在振动板顶表面或绝缘层中形成预定深度的引导槽；在绝缘层顶表面上形成下电极；通过丝网印刷将压电膏状材料施加至下电极顶表面上引导槽内侧而形成压电层；及在压电层顶表面上形成上电极。
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公开(公告)号：CN101011881A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200610094360.8
申请日：2006-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B41J2/055 , B41J2/14233
Abstract: 本发明公开了一种压电喷墨打印头，包括具有压力室的流动通道形成基底，形成在流动通道形成基底上并给压力室提供驱动力以喷射墨水的压电激励器，和至少形成在压电激励器上并衰减压电激励器的余振的阻尼层。
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公开(公告)号：CN116896978A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310331705.0
申请日：2023-03-30
Abstract: 本发明涉及磁阻式随机存取存储器单元和形成其的方法、磁阻式随机存取存储器阵列和操作其的方法。磁阻式随机存取存储器单元包括模板层。所述模板层包括具有交替层晶格结构的二元合金。所述单元进一步包括半金属性赫斯勒层，所述半金属性赫斯勒层包括具有四方晶格结构的半金属性赫斯勒材料。所述半金属性赫斯勒层位于所述模板层的外侧，并且具有与所述半金属性赫斯勒材料的立方形式的面内晶格常数不同的赫斯勒面内晶格常数。隧道势垒位于所述半金属性赫斯勒层的外侧，并且磁性层位于所述隧道势垒的外侧。
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公开(公告)号：CN114765245A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202111564093.7
申请日：2021-12-20
Abstract: 描述了磁性结构、包含所述磁性结构的磁性器件以及用于提供所述磁性结构的方法。所述磁性结构包括磁性层、模板结构和电阻插入层。磁性层包括赫斯勒化合物并具有超过平面外退磁能的垂直磁各向异性能。模板结构具有被构造为对赫斯勒化合物和电阻插入层中的至少一者进行模板化的晶体结构。磁性层在模板结构上。电阻插入层被构造为减小赫斯勒化合物的磁阻尼并允许对赫斯勒化合物的模板化。
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公开(公告)号：CN109713117A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811247710.9
申请日：2018-10-25
CPC classification number: H01L43/10 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01F1/147 , H01F10/1936 , H01F10/30 , H01L27/222 , H01L43/08
Abstract: 提供了磁性堆叠结构、磁性存储器件及操作磁性存储器件的方法，并公开了在MRAM元件的形成中用作籽晶层的材料。具体地，取向在(001)方向上的MnN层在衬底上生长。覆盖并接触MnN层的磁性层形成部分磁隧道结，其中该磁性层包括含Mn的哈斯勒化合物。磁隧道结包括该磁性层、覆盖该磁性层的隧道势垒、以及覆盖该隧道势垒的第一(磁性)电极。第二电极接触MnN层。
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公开(公告)号：CN102991134B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201210328746.6
申请日：2012-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B41J2/1433 , B41J2/06 , B41J2/14201 , B41J2/14233 , B41J2/14314 , B41J2/16 , B41J2/161 , B41J2/162 , B41J2/1623 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1632 , Y10T29/49401
Abstract: 本申请提供一种打印设备，该打印设备包括：流动通道板，包括压力腔、喷嘴和沟槽，该喷嘴包括出口，压力腔中容纳的墨通过该出口喷出，沟槽设置在喷嘴周围并且该出口延伸到沟槽中；压电致动器，用于提供压力改变以用于喷出压力腔中容纳的墨；以及静电致动器，用于向喷嘴中容纳的墨提供静电驱动力。
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