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公开(公告)号：CN104658593B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201410659744.4
申请日：2014-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: H01L43/02 , G11C11/161 , H01L43/08
Abstract: 本发明公开了一种磁存储单元和磁存储器装置。磁存储单元包括磁隧道结和第一电极，所述第一电极通过第一导电结构电耦合至所述磁隧道结。所述第一导电结构包括阻挡层和在阻挡层与磁隧道结之间延伸的晶种层。所述阻挡层形成为非晶金属化合物。在一些实施例中，阻挡层是经热处理的层，并且在热处理期间和之后保持阻挡层的非晶状态。
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公开(公告)号：CN103682084A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310389452.9
申请日：2013-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/1659
Abstract: 本发明公开了磁存储器件及其形成方法。其中根据实施方式的磁存储器件包括在衬底上的第一参考磁性层、在第一参考磁性层上的第二参考磁性层、在第一参考磁性层和第二参考磁性层之间的自由层、在第一参考磁性层和自由层之间的第一隧道势垒层、以及在第二参考磁性层和自由层之间的第二隧道势垒层。第一参考磁性层、第二参考磁性层和自由层均具有基本上垂直于衬底的顶表面的磁化方向。第一隧道势垒层的电阻面积积（RA）值大于第二隧道势垒层的RA值。
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公开(公告)号：CN111261771B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201910733076.8
申请日：2019-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体器件可以包括在衬底上的第一存储单元和在衬底上并且邻近第一存储单元的第二存储单元。第一存储单元可以包括：第一参考层；第一存储层；在第一参考层和第一存储层之间的第一隧道层；以及与第一存储层接触的第一自旋轨道转矩(SOT)线。第二存储单元可以包括：第二参考层；第二存储层；在第二参考层和第二存储层之间的第二隧道层；邻近第二存储层的第二SOT线；以及在第二存储层和第二SOT线之间的增强层。
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公开(公告)号：CN109841727B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN201811285410.X
申请日：2018-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种制造磁阻随机存取存储器(MRAM)器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成第一磁性层；在所述第一磁性层上形成第一隧道势垒层，使得所述第一隧道势垒层包括第一金属氧化物，所述第一金属氧化物通过在第一温度下氧化第一金属层而形成；在所述第一隧道势垒层上形成第二隧道势垒层，使得所述第二隧道势垒层包括第二金属氧化物，所述第二金属氧化物通过在高于所述第一温度的第二温度下氧化第二金属层而形成；以及在所述第二隧道势垒层上形成第二磁性层。
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公开(公告)号：CN115207209A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210324734.X
申请日：2022-03-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁存储器装置包括：衬底；顺序地堆叠在衬底上的第一磁图案和第二磁图案；第一磁图案与第二磁图案之间的隧道势垒图案；衬底与第一磁图案之间的底部电极；底部电极与第一磁图案之间的种子图案；以及底部电极与种子图案之间的至少一个扩散势垒图案，其中：至少一个扩散势垒图案的底表面接触底部电极的顶表面，并且至少一个扩散势垒图案的顶表面接触种子图案的底表面，至少一个扩散势垒图案包括非磁金属、或者非磁金属和非金属元素的合金，并且非磁金属包括Ta、W、Nb、Ti、Cr、Zr、Hf、Mo、Al、Mg或V。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112501563A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202010861459.6
申请日：2020-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 可以提供一种溅射装置以及制造磁存储器件的方法，该溅射装置包括：腔室；气体供应源，配置为向腔室供应第一惰性气体和第二惰性气体，第一惰性气体和第二惰性气体分别具有第一蒸发点和第二蒸发点，其中第一蒸发点高于第二蒸发点；多个溅射枪，在腔室的上部中；卡盘，在腔室的下部中并面对所述多个溅射枪，卡盘配置为在其上容纳衬底；以及冷却单元，连接到卡盘的下部，该冷却单元配置为将卡盘冷却至低于第一蒸发点且高于第二蒸发点的温度。
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公开(公告)号：CN107681046A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710650619.0
申请日：2017-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/02 , G11B5/3909 , G11C11/16 , G11C11/161 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L27/22 , H01L27/222 , H01L43/04 , H01L43/06 , H01L43/065 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12 , H01L43/14
Abstract: 本公开涉及磁存储器件。一种磁存储器件可以包括第一电极以及与第一电极间隔开的第一磁结构，其中第一磁结构可以在其中包括磁图案。氧化非磁图案可以被安置在第一磁结构与第一电极之间，其中氧化非磁图案可以包括非金属元素，所述非金属元素具有比约Fe的氧化物形成标准自由能更小的氧化物形成标准自由能。
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公开(公告)号：CN107026233A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610902615.2
申请日：2016-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体存储器件包括：在基板上的自由磁图案；在自由磁图案上的参考磁图案，参考磁图案包括第一被钉扎图案、第二被钉扎图案以及在第一被钉扎图案和第二被钉扎图案之间的交换耦合图案；在参考磁图案和自由磁图案之间的隧道势垒图案；在隧道势垒图案和第一被钉扎图案之间的极化增强磁图案；和在极化增强磁图案和第一被钉扎图案之间的插入图案，其中第一被钉扎图案包括交替地层叠的第一铁磁图案和反铁磁交换耦合图案。
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公开(公告)号：CN111490153B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN201910960905.6
申请日：2019-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种磁存储器件，其包括：线图案，所述线图案位于衬底上；磁隧道结图案，所述磁隧道结图案位于所述线图案上；以及上导电线，所述上导电线跨越所述磁隧道结图案与所述线图案间隔开，并且连接到所述磁隧道结图案。所述线图案为所述磁隧道结图案提供自旋轨道矩。所述线图案包括拓扑绝缘体。
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公开(公告)号：CN107026233B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201610902615.2
申请日：2016-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体存储器件包括：在基板上的自由磁图案；在自由磁图案上的参考磁图案，参考磁图案包括第一被钉扎图案、第二被钉扎图案以及在第一被钉扎图案和第二被钉扎图案之间的交换耦合图案；在参考磁图案和自由磁图案之间的隧道势垒图案；在隧道势垒图案和第一被钉扎图案之间的极化增强磁图案；和在极化增强磁图案和第一被钉扎图案之间的插入图案，其中第一被钉扎图案包括交替地层叠的第一铁磁图案和反铁磁交换耦合图案。
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