-
公开(公告)号：CN101740694B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN200910225274.X
申请日：2009-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/12
Abstract: 本发明公开了一种发光器件及其制造方法。本发明提供一种采用晶片接合方法制造的发光二极管(LED)以及通过采用晶片接合方法制造LED的方法。晶片接合方法可以包括在半导体层和接合基板之间插设由金属形成的应力弛豫层。当采用应力弛豫层时，由于金属的柔性，接合基板和生长基板之间的应力可以被抵消，并且由此可以减少或防止接合基板的弯曲或翘曲。
-
公开(公告)号：CN101867000B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201010117684.5
申请日：2010-02-10
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金泽
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L33/08 , H01L33/502 , H01L2933/0083
Abstract: 一种发光器件(LED)可包括：第一半导体层；有源层，形成于第一半导体层上且被构造为产生具有第一波长的第一光；第二半导体层，形成于有源层上；以及多个半导体纳米结构，彼此分离地布置且形成在第二半导体层上。纳米结构可构造为至少部分地吸收第一光并发射第二光，第二光具有不同于第一波长的第二波长。
-
公开(公告)号：CN101867000A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010117684.5
申请日：2010-02-10
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金泽
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L33/08 , H01L33/502 , H01L2933/0083
Abstract: 一种发光器件(LED)可包括：第一半导体层；有源层，形成于第一半导体层上且被构造为产生具有第一波长的第一光；第二半导体层，形成于有源层上；以及多个半导体纳米结构，彼此分离地布置且形成在第二半导体层上。纳米结构可构造为至少部分地吸收第一光并发射第二光，第二光具有不同于第一波长的第二波长。
-
公开(公告)号：CN1279668C
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN03149053.0
申请日：2003-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金泽
CPC classification number: B82Y20/00 , B82Y10/00 , H01S5/0614 , H01S5/18311 , H01S5/18325
Abstract: 本发明涉及一种波长可调谐垂直腔表面发射激光二极管(VCSEL)，所述的波长可调谐VCSEL包括形成于下分布式布拉格反射器上的限流层；用于激光谐振的上下电极；和形成于从中发射光的上分布式布拉格反射器的预定区域的附属电极，所述的附属电极用于改变有效谐振区的宽度。与现有的VCSEL相比，本发明的波长可调谐VCSEL可迅速改变发射光波长，且能避免因温度变化而使有效谐振区宽度发生变化所引起的激光谐振增益特性变劣。因此，可以拓宽发射的激光的波长可调谐区。
-
公开(公告)号：CN1783604A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510023032.4
申请日：2005-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金泽
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S3/109 , H01S5/141 , H01S5/18305 , H01S5/18308 , H01S5/18311 , H01S5/18333 , H01S5/18394 , H01S5/2059 , H01S5/3412 , H01S5/34313
Abstract: 公开了一种表面发射激光装置。第一衬底设置在第一电极层和第一反射层之间。有源区设置在第一反射层和第二反射层之间。电流阻挡层设置在有源区上以形成孔。第一半导体层可以设置在第二电极层和第二反射层之间。第二电极层可以具有基本与孔对准的开口。电流漏斗区可以位于形成在孔和第二电极开口之间的腔内。可以配置电流漏斗区以促进腔内的传导。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1710764A
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN200510077804.2
申请日：2005-06-09
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金泽
CPC classification number: H01S5/34313 , B82Y20/00 , H01S3/09415 , H01S3/109 , H01S5/024 , H01S5/041 , H01S5/1096 , H01S5/141 , H01S5/146 , H01S5/18383
Abstract: 控制外腔表面发射激光器的多层增益构件中的量子阱的数量和类型可以提供一种以上相干光波长的光的输出。多层镜式构件中的层数和类型可以提供一种双波长反射器。
-
-
公开(公告)号：CN101740694A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910225274.X
申请日：2009-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/12
Abstract: 本发明公开了一种发光器件及其制造方法。本发明提供一种采用晶片接合方法制造的发光二极管(LED)以及通过采用晶片接合方法制造LED的方法。晶片接合方法可以包括在半导体层和接合基板之间插设由金属形成的应力弛豫层。当采用应力弛豫层时，由于金属的柔性，接合基板和生长基板之间的应力可以被抵消，并且由此可以减少或防止接合基板的弯曲或翘曲。
-
公开(公告)号：CN1585216A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN200410047634.9
申请日：2004-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金泽
CPC classification number: B82Y20/00 , B82Y10/00 , H01L31/147 , H01S5/0264 , H01S5/0683 , H01S5/18308 , H01S5/18375 , H01S5/18377
Abstract: 本发明提供一种集成有光探测器的垂直腔表面发射激光器。该光探测器通过粘接层被附着到VCSEL的底表面，其包括具有预定直径的窗口。该粘接层为共晶粘接层。一空气隙存在于该窗口内并且主要传输激光束。大多数以一角度入射的自发发射的光被除了该窗口的该粘接层的区域所阻挡，而且由于半导体层和空气的折射率之间的大的差异，甚至某些朝向该窗口的自发发射的光无法容易地穿过该窗口。因此，该共晶粘接层显著降低了该VCSEL和该光探测器之间的界面处的电压降，由此有助于大规模生产。
-
公开(公告)号：CN1585215A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN200410046555.6
申请日：2004-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金泽
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0264 , H01S5/183 , H01S5/34313
Abstract: 本发明公开了一种带单片生长光电探测器的长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)。该光电探测器安装于该长波长VCSEL的下分布式布拉格反射器的中间部分中或底部表面上。光电探测器与长波长VCSEL整体形成。其上晶体生长有长波长VCSEL和光电探测器的衬底未吸收由长波长VCSEL发射的激光束。因此，准确探测了朝向衬底的激光束，并且激光束的增益得到了有效控制。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
20
records
(took 0.023 seconds)
