-
公开(公告)号：CN103094396A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210432097.4
申请日：2012-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/09 , H01L31/028
CPC classification number: H01L31/09 , G02B6/4202 , H01L31/028 , H01L31/036 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供一种集成有波导的石墨烯光电探测器，其包括：波导，位于基板上；以及光电探测部分，连接到波导并且来自波导的光经过光电探测部分。光电探测部分包括：第一脊部，从波导的下部延伸；石墨烯，至少形成在第一脊部的上表面上；第二脊部，形成在石墨烯上，以面对第一脊部；以及第一电极和第二电极，与第一脊部分离，并且电连接到石墨烯。第二脊部接触波导的上部。
-
公开(公告)号：CN1822457A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610005187.X
申请日：2006-01-13
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金泽
CPC classification number: H01S5/18383 , H01S3/109 , H01S5/041 , H01S5/0601 , H01S5/141 , H01S5/18302
Abstract: 提供了一种集成有调制器的半导体激光器件。在该集成有调制器的半导体激光器件中，在衬底上形成下DBR(分布式布拉格反射器)层，有源层形成于下DBR层上并包括交替的多个势垒层和多个量子阱层，外镜与有源层的顶部隔开，从而通过透射输出从所述有源层发射的光的一部分并将剩余部分反射到所述有源层。接触所述多个量子阱层中至少一个的两侧的所述多个势垒层中的两个以不同的类型掺杂。
-
公开(公告)号：CN103730832A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310240274.3
申请日：2013-06-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01S5/105 , H01S5/021 , H01S5/0215 , H01S5/026 , H01S5/10 , H01S5/1032 , H01S5/12 , H01S5/1206 , H01S5/1218 , H01S5/18308 , H01S5/18341 , H01S5/18361 , H01S5/18363 , H01S5/1838 , H01S5/2018 , H01S5/2063
Abstract: 本公开提供一种用于光子集成电路（PIC）的混合垂直腔激光器。用于PIC的混合垂直腔激光器包括：光栅反射镜，在两个低折射率层之间；光波导，光耦合到光栅反射镜；III-V半导体层，包括有源层，设置在两个低折射率层的中的一个上；以及上反射镜，覆盖III-V半导体层。光栅反射镜包括形成彼此平行布置的多个柱状的低折射率材料部分。低折射率材料部分在宽度方向上具有至少两个不同的宽度。
-
-
公开(公告)号：CN1761112A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200510084872.1
申请日：2005-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金泽
IPC: H01S5/18 , H01S5/34 , H01S5/30 , H01S3/0941
CPC classification number: H01S5/18327 , H01S3/109 , H01S5/141 , H01S5/18308 , H01S5/18311 , H01S5/18388 , H01S5/3095 , H01S2301/18
Abstract: 提供了一种激光泵浦单元以及具有该单元的高功率垂直外腔面发射激光(VECSEL)器件。通过利用隧道结，激光泵浦单元在横向容易地扩散电流。该激光泵浦单元包括：衬底、在衬底上形成的下分布式布拉格反射器(DBR)层、在下DBR层上形成的能够产生具有预定波长的光且具有量子阱结构的有源层、在有源层上形成以增加垂直方向中的电阻的隧道结层，以及在隧道结层上形成的上DBR层。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1476132A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN03149053.0
申请日：2003-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金泽
CPC classification number: B82Y20/00 , B82Y10/00 , H01S5/0614 , H01S5/18311 , H01S5/18325
Abstract: 本发明涉及一种波长可调谐垂直腔表面发射激光二极管(VCSEL)，所述的波长可调谐VCSEL包括形成于下分布式布拉格反射器上的限流层；用于激光谐振的上下电极；和形成于从中发射光的上分布式布拉格反射器的预定区域的附属电极，所述的附属电极用于改变有效谐振区的宽度。与现有的VCSEL相比，本发明的波长可调谐VCSEL可迅速改变发射光波长，且能避免因温度变化而使有效谐振区宽度发生变化所引起的激光谐振增益特性变劣。因此，可以拓宽发射的激光的波长可调谐区。
-
公开(公告)号：CN103094396B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201210432097.4
申请日：2012-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/09 , H01L31/028
CPC classification number: H01L31/09 , G02B6/4202 , H01L31/028 , H01L31/036 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供一种集成有波导的石墨烯光电探测器，其包括：波导，位于基板上；以及光电探测部分，连接到波导并且来自波导的光经过光电探测部分。光电探测部分包括：第一脊部，从波导的下部延伸；石墨烯，至少形成在第一脊部的上表面上；第二脊部，形成在石墨烯上，以面对第一脊部；以及第一电极和第二电极，与第一脊部分离，并且电连接到石墨烯。第二脊部接触波导的上部。
-
公开(公告)号：CN103217737A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310015551.0
申请日：2013-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01S5/18358 , H01S5/021 , H01S5/0215 , H01S5/02248 , H01S5/026 , H01S5/1032 , H01S5/105 , H01S5/18325 , H01S5/18341 , H01S5/18361 , H01S5/1838 , H01S5/2018 , H01S5/2031
Abstract: 本发明提供一种用于光子集成电路的光源及其制造方法和光子集成电路。用于光子集成电路的光源可以包括：反射耦合层，形成在衬底上，在衬底中提供有光波导，反射耦合层的至少一侧光学地连接到光波导；光学模式对准层，提供在反射耦合层上；和/或上结构，提供在光学模式对准层上，并且包括用于产生光的有源层和提供在有源层上的反射层。用于光子集成电路的光源可以包括：下反射层；光学地连接到下反射层的光波导；在下反射层上的光学模式对准层；在光学模式对准层上的有源层；和/或在有源层上的上反射层。
-
公开(公告)号：CN101005195A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610121484.0
申请日：2006-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01S5/18383 , H01S3/08072 , H01S3/109 , H01S5/0213 , H01S5/024 , H01S5/041 , H01S5/141 , H01S5/18305
Abstract: 本发明提供了一种端泵垂直外腔面发射激光器(VECSEL)。该VECSEL包括：散热器，用于透射外部发射的预定波长的泵浦光束和消散产生的热量；激光器芯片，设置在散热器上，并且由泵浦光束激发而发射第一波长的光束；倍频发生(SHG)晶体，其设置在激光器芯片上，并且将从激光器芯片发出的第一波长的激光束转换成具有第二波长的激光束，其为第一波长的一半；和平面外腔，其直接形成在SHG晶体上，并且对第二波长的光束有预定的透射率。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
20
records
(took 0.022 seconds)
