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公开(公告)号:CN106133925A
公开(公告)日:2016-11-16
申请号:CN201580016361.8
申请日:2015-03-19
申请人: 欧司朗光电半导体有限公司
IPC分类号: H01L33/00
CPC分类号: B07C5/3416 , B07C2301/0008 , H01L31/147 , H01L33/00 , H04N5/2256
摘要: 提出一种用于将供图像传感器应用装置的发光半导体器件(301)进行分级的方法,其中半导体器件(301)设立为用于图像传感器(302)的光源,所述方法具有如下步骤:‑提供发光半导体器件(301),‑确定由发光半导体器件(301)在运行中以发射光谱发射的光的如下参数中的至少一个参数:R=∫qR(λ)·S(λ)dλ·texp,G=∫qG(λ)·S(λ)dλ·texp,B=∫qB(λ)·S(λ)dλ·texp,其中qR(λ)、qG(λ)和qB(λ)是图像传感器(302)的红色的、绿色的和蓝色的色彩通道的光谱灵敏度,S(λ)是发光半导体器件(301)的发射光谱,texp是曝光时间,并且λ表示波长,‑将发光半导体器件(301)划分成出自一组等级中的一个等级,这一组等级通过至少一个参数的不同的数值范围来表征,所述参数与参数R、G和B中的至少一个参数相关。此外,提出一种图像传感器应用装置。
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公开(公告)号:CN1627341A
公开(公告)日:2005-06-15
申请号:CN200410088989.2
申请日:2004-11-23
申请人: 三洋电机株式会社
发明人: 西川龙司
CPC分类号: H01L27/3244 , G06F3/0421 , H01L27/323 , H01L31/147 , H01L2251/5315
摘要: 本发明提供一种具触控面板的电场发光显示装置,可减少零件数,并可提高指示物体的位置检测精密度。显示面板(1)的构成为;显示部(10);沿显示部(10)边缘形成的光源部(20x)、(20y);及检测部(30x)、(30y)等形成于同一基板上。并于显示面板(1)的收容容器(50)两端部形成:将光源部(20x)、(20y)所发出的光对显示部(10)的发光面成水平方向反射的第1反射板(51x)、(51y);及将此等反射板所反射的光再反射,将此光引导至显示部(10)背面而导入光检测部(30x)、(30y)的第2反射板(52x)、(52y)。
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公开(公告)号:CN101246894B
公开(公告)日:2012-12-12
申请号:CN200810009974.0
申请日:2008-02-15
申请人: 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号: H01L27/144 , H01L23/482 , H01L21/84 , H01L21/60
CPC分类号: H01L31/147 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L31/153 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/00
摘要: 本发明的目的在于使光电转换装置和安装光电转换装置的构件之间的粘着强度增大且抑制光电转换装置和构件的剥离。本发明涉及一种光电转换装置,包括:其端部被削去为倾斜或者槽状的第一衬底;在第一衬底上的光电二极管以及放大光电二极管的输出电流的放大电路;设置在第一衬底的一个端部上的电连接到光电二极管的第一电极;设置在第一衬底的另一个端部上的电连接到放大电路的第二电极;包括第三电极以及第四电极的第二衬底。第一电极以及第三电极、和第二电极以及第四电极由导电材料粘结,该导电材料设置在彼此相对的第一、第二、第三以及第四电极的表面上以及第一以及第二电极的侧面上。
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公开(公告)号:CN100478986C
公开(公告)日:2009-04-15
申请号:CN200580006883.6
申请日:2005-02-28
申请人: 株式会社半导体能源研究所
发明人: 山崎舜平
IPC分类号: G06K19/077 , G06K19/07 , H01L27/14 , H01L27/15
CPC分类号: G06K19/0723 , G06K19/0728 , G06K19/07749 , G06K19/145 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L27/13 , H01L31/147 , Y10S257/923
摘要: 本发明提供一种ID芯片或IC卡,其中可以增强集成电路的机械强度而不抑制电路规模。本发明的ID芯片或IC卡具有集成电路,其中由绝缘薄半导体薄膜形成TFT(薄膜晶体管)。而且,本发明的ID芯片或IC卡具有发光元件和光接收元件,每个发光元件和光接收元件都使用非单晶薄膜作为执行光电转换的层。这种发光元件或光接收元件可以与集成电路连续地(集成地)形成,或可以单独形成并粘附到集成电路上。
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公开(公告)号:CN109216337A
公开(公告)日:2019-01-15
申请号:CN201810670514.6
申请日:2018-06-26
申请人: 瑞萨电子株式会社
发明人: 藤井正浩
IPC分类号: H01L25/16
CPC分类号: H01L31/147 , H01L27/14625 , H01L27/1469 , H01L31/03529 , H01L31/1013 , H01L31/167 , H01L33/50 , H04B10/40 , H04B10/506 , H01L25/167 , H01L25/162
摘要: 本发明涉及一种半导体器件。为了减少半导体器件的大小。半导体器件包括:第一光发射元件,其发射具有第一波长的第一光以发送第一信号;第二光发射元件,其发射具有第二波长的第二光以发送第二信号;第一光接收元件,其接收第一光以接收第一信号;以及第二光接收元件,其在平面图中重叠第一光接收元件并且接收透过第一光接收元件的第二光以接收第二信号。
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公开(公告)号:CN107104169A
公开(公告)日:2017-08-29
申请号:CN201710240402.2
申请日:2017-04-13
申请人: 南京邮电大学
发明人: 李欣 , 王永进 , 施政 , 其他发明人请求不公开姓名
IPC分类号: H01L31/147 , H01L31/18
CPC分类号: Y02P70/521 , H01L31/147 , H01L31/1876
摘要: 本发明公开了一种基于异质键合的微型水下可见光通信双工器件及制备方法,实现载体为硅衬底氮化物晶片和N型掺杂硅晶片,所述硅衬底氮化物晶片包括顶层氮化物和位于顶层氮化物下部的硅衬底层,硅衬底层部分掏空,形成悬空部位,悬空部位上方的顶层氮化物和镍/金电极构成薄膜LED蓝光发光器件,N型掺杂硅晶片顶层设置有适用于蓝光波段的光电传感器件,所述N型掺杂硅晶片为本征硅晶片掺杂磷元素。本发明器件设备体积小,能够实现水下高性能高速双向可见光通信。
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公开(公告)号:CN101246894A
公开(公告)日:2008-08-20
申请号:CN200810009974.0
申请日:2008-02-15
申请人: 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号: H01L27/144 , H01L23/482 , H01L21/84 , H01L21/60
CPC分类号: H01L31/147 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L31/153 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/00
摘要: 本发明的目的在于使光电转换装置和安装光电转换装置的构件之间的粘着强度增大且抑制光电转换装置和构件的剥离。本发明涉及一种光电转换装置,包括:其端部被削去为倾斜或者槽状的第一衬底;在第一衬底上的光电二极管以及放大光电二极管的输出电流的放大电路;设置在第一衬底的一个端部上的电连接到光电二极管的第一电极;设置在第一衬底的另一个端部上的电连接到放大电路的第二电极;包括第三电极以及第四电极的第二衬底。第一电极以及第三电极、和第二电极以及第四电极由导电材料粘结,该导电材料设置在彼此相对的第一、第二、第三以及第四电极的表面上以及第一以及第二电极的侧面上。
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公开(公告)号:CN108735852A
公开(公告)日:2018-11-02
申请号:CN201711237185.8
申请日:2017-11-30
申请人: 株式会社村田制作所
发明人: 石川弘树
IPC分类号: H01L31/12
CPC分类号: G01J1/0204 , G01J1/0214 , G01J1/0403 , G01J1/0407 , G01J1/44 , G01J2001/446 , H01L31/02005 , H01L31/02019 , H01L31/0203 , H01L31/02164 , H01L31/02325 , H01L31/147
摘要: 本发明提供能够实现小型化的光传感器。光传感器(1)包括基板(2)、发光元件(3)、光接收元件(4)、电气元器件(9)。发光元件(3)安装于基板(2)的表面(2A)。光接收元件(4)被安装于基板(2)的表面(2A)的不同于发光元件(3)的位置。电气元器件(9)安装于基板(2)的背面(2B)。电气元器件(9)与发光元件(3)和光接收元件(4)电连接。电气元器件(9)被配置在与发光元件(3)和光接收元件(4)重合的位置。
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公开(公告)号:CN108323226A
公开(公告)日:2018-07-24
申请号:CN201680060852.7
申请日:2016-08-18
申请人: 萨菲尔太阳技术公司
发明人: Y·塞弗
IPC分类号: H02S40/38 , H02S20/23 , H02S40/44 , H02S40/42 , H02S20/26 , F24S25/61 , F24S80/52 , F24S20/67 , F24S80/65 , F24S10/75 , F24S10/50 , F24S20/66
CPC分类号: H02S20/22 , F24S10/502 , F24S10/75 , F24S20/66 , F24S20/67 , F24S25/61 , F24S80/52 , F24S80/65 , H01L31/0203 , H01L31/0443 , H01L31/0525 , H01L31/147 , H01L31/18 , H02S20/23 , H02S20/26 , H02S40/38 , H02S40/425 , H02S40/44 , Y02B10/12 , Y02B10/20 , Y02E10/44 , Y02E10/47 , Y02E10/60
摘要: 全合一集成多功能三重电源模块“ITM”。一种太阳能模块(12),包括层压在夹层结构上的光伏电池(36)。夹层结构为太阳能模块提供结构强度并且夹层结构包括均由具有结构强度的材料制成的顶板(16)和底板(18)。夹层结构还包括位于顶板和底板之间的内部材料(20)。
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公开(公告)号:CN103250249B
公开(公告)日:2016-06-15
申请号:CN201180059153.8
申请日:2011-11-02
申请人: 欧司朗光电半导体有限公司
发明人: 安纳尼亚·卢鲁图达斯 , 拉萨·克里希南·维克内斯
IPC分类号: H01L25/16 , H01L33/52 , H01L31/147
CPC分类号: H01L31/12 , H01L25/167 , H01L31/147 , H01L2224/48137
摘要: 提出一种光电子器件(10),所述光电子器件包括壳体(1)、发射辐射的半导体芯片(2)和探测辐射的半导体芯片(3)。在壳体中构成第一腔(4a)和第二腔(4b),其中发射辐射的半导体芯片(2)设置在第一腔(4a)中并且借助于第一浇注料(5a)来浇注。探测辐射的半导体芯片(3)设置在第二腔(4b)中并且借助于第二浇注料(5b)来浇注,其中在第二浇注料(5b)中嵌入吸收颗粒,所述吸收颗粒适合于至少部分地吸收由发射辐射的半导体芯片发射的辐射。此外,提出这种器件(10)的应用和一种用于制造所述器件的方法。
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