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公开(公告)号：CN102349157A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200980157928.8
申请日：2009-10-22
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , C22C9/00 , C22C9/01 , C23C14/34 , H01L21/285 , H01L21/336 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/458 , C22C9/01 , C23C14/165 , C23C14/3414 , H01L29/4908 , H01L29/66765
Abstract: 该Cu合金溅射靶含有以原子%计的Al：1～10%、Ca：0.1～2%，并含有Cu和1%以下的不可避免的杂质作为余量部分。该薄膜晶体管具有：经由密合层接合于玻璃基板的表面的栅电极层、栅绝缘层、Si半导体层、n型Si半导体层、阻挡层、由彼此分离的漏电极层和源电极层构成的布线层、钝化层以及透明电极层，上述阻挡层是使用上述Cu合金溅射靶在氧化气氛中溅射成膜而成的。
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公开(公告)号：CN116917514A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280016960.X
申请日：2022-02-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C22C9/01
Abstract: 该热轧铜合金板含有0.2质量％以上且2.1质量％以下的Mg和0.4质量％以上且5.7质量％以下的Al，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，所述不可避免的杂质中，Fe的含量为0.0020质量％以下，O的含量为0.0020质量％以下，S的含量为0.0030质量％以下，P的含量为0.0010质量％以下，3≤∑≤29的各晶界长度之和Lσ与利用EBSD法测定的总晶界长度L的比率即特殊晶界长度比率(Lσ/L)为20％以上，板厚中心部的平均晶体粒径μA为40μm以下。
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公开(公告)号：CN116888289A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202280017011.3
申请日：2022-02-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C22C9/01
Abstract: 该热轧铜合金板含有0.2质量％以上且2.1质量％以下的Mg、0.4质量％以上且5.7质量％以下的Al和0.01质量％以下的Ag，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，利用EBSD法测定的Cube取向的面积率(晶体取向的面积率)为5％以下，当将相邻的像素间的取向差为5°以上的像素间的边界视为晶界时的KAM值的平均值为2.0以下，板厚中心部的平均晶体粒径μ为40μm以下。
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公开(公告)号：CN102804352B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201080025444.0
申请日：2010-05-11
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3205 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/05 , C22C9/10 , H01B5/14 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L23/52 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H05K1/09
CPC classification number: H01L23/53238 , C22C9/00 , C22C9/01 , H01L27/124 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及布线层结构，该布线层结构具备：半导体基板或玻璃基板的基底基板；在该基底基板上形成的含氧Cu层或含氧Cu合金层；在该含氧Cu层或该含氧Cu合金层上形成的含有Al、Zr、Ti中的至少一种的氧化物层；和在该氧化物层上形成的、含有Al、Zr、Ti中的至少一种的Cu合金层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102349157B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN200980157928.8
申请日：2009-10-22
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , C22C9/00 , C22C9/01 , C23C14/34 , H01L21/285 , H01L21/336 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/458 , C22C9/01 , C23C14/165 , C23C14/3414 , H01L29/4908 , H01L29/66765
Abstract: 该Cu合金溅射靶含有以原子%计的Al：1～10%、Ca：0.1～2%，并含有Cu和1%以下的不可避免的杂质作为余量部分。该薄膜晶体管具有：经由密合层接合于玻璃基板的表面的栅电极层、栅绝缘层、Si半导体层、n型Si半导体层、阻挡层、由彼此分离的漏电极层和源电极层构成的布线层、钝化层以及透明电极层，上述阻挡层是使用上述Cu合金溅射靶在氧化气氛中溅射成膜而成的。
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公开(公告)号：CN105579600B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201480052295.5
申请日：2014-09-26
Applicant: 三菱伸铜株式会社
Abstract: 本发明的铜合金含有18～30质量％的Zn、1～1.5质量％的Ni、0.2～1质量％的Sn及0.003～0.06质量％的P，剩余部分由Cu及不可避免杂质构成，并且具有17≤f1＝〔Zn〕+5×〔Sn〕‑2×〔Ni〕≤30、14≤f2＝〔Zn〕‑0.5×〔Sn〕‑3×〔Ni〕≤26、8≤f3＝{f1×(32‑f1)}1/2×〔Ni〕≤23、1.3≤〔Ni〕+〔Sn〕≤2.4、1.5≤〔Ni〕/〔Sn〕≤5.5、20≤〔Ni〕/〔P〕≤400的关系，且具有α单相的金属组织。
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公开(公告)号：CN105579600A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201480052295.5
申请日：2014-09-26
Applicant: 三菱伸铜株式会社
Abstract: 本发明的铜合金含有18～30质量％的Zn、1～1.5质量％的Ni、0.2～1质量％的Sn及0.003～0.06质量％的P，剩余部分由Cu及不可避免杂质构成，并且具有17≤f1＝〔Zn〕+5×〔Sn〕-2×〔Ni〕≤30、14≤f2＝〔Zn〕-0.5×〔Sn〕-3×〔Ni〕≤26、8≤f3＝{f1×(32-f1)}1/2×〔Ni〕≤23、1.3≤〔Ni〕+〔Sn〕≤2.4、1.5≤〔Ni〕/〔Sn〕≤5.5、20≤〔Ni〕/〔P〕≤400的关系，且具有α单相的金属组织。
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公开(公告)号：CN105593390B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201480052554.4
申请日：2014-09-26
Applicant: 三菱伸铜株式会社
CPC classification number: C22C9/04 , B22D21/005 , C21D8/02 , C21D8/0226 , C21D8/0236 , C21D8/0263 , C21D8/0273 , C21D9/46 , C22F1/08
Abstract: 本发明的铜合金含有17～34质量％的Zn、0.02～2.0质量％的Sn及1.5～5质量％的Ni，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，且具有12≤f1＝〔Zn〕+5×〔Sn〕-2×〔Ni〕≤30、10≤〔Zn〕-0.3×〔Sn〕-2×〔Ni〕≤28、10≤f3＝{f1×(32-f1)×Ni〕}1/2≤33、1.2≤0.7×〔Ni〕+〔Sn〕≤4、1.4≤Ni〕/〔Sn〕≤90的关系，导电率为13～25％IACS以下，α相所占比例以面积率计为99.5％以上，或者，α相基体的γ相的面积率(γ)％与β相的面积率(β)％之间具有0≤2×(γ)+(β)≤0.7的关系。
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公开(公告)号：CN105593390A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201480052554.4
申请日：2014-09-26
Applicant: 三菱伸铜株式会社
CPC classification number: C22C9/04 , B22D21/005 , C21D8/02 , C21D8/0226 , C21D8/0236 , C21D8/0263 , C21D8/0273 , C21D9/46 , C22F1/08
Abstract: 本发明的铜合金含有17～34质量％的Zn、0.02～2.0质量％的Sn及1.5～5质量％的Ni，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，且具有12≤f1＝〔Zn〕+5×〔Sn〕-2×〔Ni〕≤30、10≤〔Zn〕-0.3×〔Sn〕-2×〔Ni〕≤28、10≤f3＝{f1×(32-f1)×〔Ni〕}1/2≤33、1.2≤0.7×〔Ni〕+〔Sn〕≤4、1.4≤〔Ni〕/〔Sn〕≤90的关系，导电率为13～25％IACS以下，α相所占比例以面积率计为99.5％以上，或者，α相基体的γ相的面积率(γ)％与β相的面积率(β)％之间具有0≤2×(γ)+(β)≤0.7的关系。
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