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公开(公告)号：CN102165596B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN200980137645.7
申请日：2009-09-24
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/458 , H01L29/66765 , H01L29/78621
Abstract: 本发明的薄膜晶体管的一种方式为，漏电极膜及源电极膜具有复合铜合金膜，该复合铜合金膜包括与阻挡膜相接触地形成的含氧-钙浓缩层铜合金基底层、以及在其上形成的Cu层，含氧-钙浓缩层铜合金基底层具有浓缩层，浓缩层含有Ca：2-30摩尔％、氧：20-50摩尔％，作为残余部分，含有Cu及不可避免的杂质。本发明的薄膜晶体管的另一种方式为，漏电极膜及源电极膜具有复合铜合金膜，该复合铜合金膜包括与阻挡膜相接触地形成的含氧-Ca(Al，Sn，Sb)浓缩层铜合金基底层、以及在其上形成的Cu合金层，含氧-Ca(Al，Sn，Sb)浓缩层铜合金基底层为具有浓缩层的铜合金基底层，浓缩层含有Ca：2-30摩尔％；从Al、Sn及Sb中选择的1种或2种以上共计1-10摩尔％；氧：20-50摩尔％，作为残余部分，含有Cu及不可避免的杂质。
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公开(公告)号：CN102349157B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN200980157928.8
申请日：2009-10-22
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , C22C9/00 , C22C9/01 , C23C14/34 , H01L21/285 , H01L21/336 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/458 , C22C9/01 , C23C14/165 , C23C14/3414 , H01L29/4908 , H01L29/66765
Abstract: 该Cu合金溅射靶含有以原子%计的Al：1～10%、Ca：0.1～2%，并含有Cu和1%以下的不可避免的杂质作为余量部分。该薄膜晶体管具有：经由密合层接合于玻璃基板的表面的栅电极层、栅绝缘层、Si半导体层、n型Si半导体层、阻挡层、由彼此分离的漏电极层和源电极层构成的布线层、钝化层以及透明电极层，上述阻挡层是使用上述Cu合金溅射靶在氧化气氛中溅射成膜而成的。
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公开(公告)号：CN102197488B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN200980141877.X
申请日：2009-09-24
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49
CPC classification number: H01L29/458 , H01L29/66765
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管，其在阻挡膜与电极膜之间具有密合强化膜，密合强化膜由（a）形成于电极膜侧的纯铜化区域、以及（b）形成于与阻挡膜的界面部且构成成分由Cu、Ca、氧和Si构成的成分凝集区域这两个区域构成，在成分凝集区域的厚度方向的Ca和氧的浓度分布中，Ca和氧的含量波峰的最高含量分别为Ca：5～20原子％、和氧：30～50原子％。
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公开(公告)号：CN102349157A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200980157928.8
申请日：2009-10-22
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , C22C9/00 , C22C9/01 , C23C14/34 , H01L21/285 , H01L21/336 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/458 , C22C9/01 , C23C14/165 , C23C14/3414 , H01L29/4908 , H01L29/66765
Abstract: 该Cu合金溅射靶含有以原子%计的Al：1～10%、Ca：0.1～2%，并含有Cu和1%以下的不可避免的杂质作为余量部分。该薄膜晶体管具有：经由密合层接合于玻璃基板的表面的栅电极层、栅绝缘层、Si半导体层、n型Si半导体层、阻挡层、由彼此分离的漏电极层和源电极层构成的布线层、钝化层以及透明电极层，上述阻挡层是使用上述Cu合金溅射靶在氧化气氛中溅射成膜而成的。
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公开(公告)号：CN102203916A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200980141374.2
申请日：2009-10-21
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 株式会社爱发科
IPC: H01L21/285 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/05 , C23C14/34 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L23/53233 , C22C9/00 , C23C14/165 , C23C14/3414 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 用于形成薄膜晶体管用布线膜的溅射靶材，具有如下组成：含有Mg:0.1~5原子%、Ca:0.1~10原子%，剩余部分含有Cu和不可避免的杂质。另外还可以含有Mn和Al中的至少一种或两种合计0.1~10原子%。另外还可以含有P：0.001~0.1原子%。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102165596A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200980137645.7
申请日：2009-09-24
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/458 , H01L29/66765 , H01L29/78621
Abstract: 本发明的薄膜晶体管的一种方式为，漏电极膜及源电极膜具有复合铜合金膜，该复合铜合金膜包括与阻挡膜相接触地形成的含氧-钙浓缩层铜合金基底层、以及在其上形成的Cu层，含氧-钙浓缩层铜合金基底层具有浓缩层，浓缩层含有Ca：2-30摩尔％、氧：20-50摩尔％，作为残余部分，含有Cu及不可避免的杂质。本发明的薄膜晶体管的另一种方式为，漏电极膜及源电极膜具有复合铜合金膜，该复合铜合金膜包括与阻挡膜相接触地形成的含氧-Ca(Al，Sn，Sb)浓缩层铜合金基底层、以及在其上形成的Cu合金层，含氧-Ca(Al，Sn，Sb)浓缩层铜合金基底层为具有浓缩层的铜合金基底层，浓缩层含有Ca：2-30摩尔％；从Al、Sn及Sb中选择的1种或2种以上共计1-10摩尔％；氧：20-50摩尔％，作为残余部分，含有Cu及不可避免的杂质。
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公开(公告)号：CN105705674B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201480060592.4
申请日：2014-11-18
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的Cu‑Ga合金溅射靶为具有如下组成的烧结体：29.5～43.0原子％的Ga以及剩余部分为Cu和不可避免的杂质，该烧结体中的Cu‑Ga合金晶粒具有γ相粒子分散于γ1相晶粒中的组织。并且，制造上述溅射靶的方法具有如下工序：将由纯Cu粉末与Cu‑Ga合金粉末的混合粉末构成的成型体在还原性气氛中加热而进行常压烧结；以及将由此得到的烧结体在温度：450～650℃的范围内以0.1～1.0℃/min的冷却速度冷却。
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公开(公告)号：CN105705674A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201480060592.4
申请日：2014-11-18
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的Cu-Ga合金溅射靶为具有如下组成的烧结体：29.5～43.0原子％的Ga以及剩余部分为Cu和不可避免的杂质，该烧结体中的Cu-Ga合金晶粒具有γ相粒子分散于γ1相晶粒中的组织。并且，制造上述溅射靶的方法具有如下工序：将由纯Cu粉末与Cu-Ga合金粉末的混合粉末构成的成型体在还原性气氛中加热而进行常压烧结；以及将由此得到的烧结体在温度：450～650℃的范围内以0.1～1.0℃/min的冷却速度冷却。
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公开(公告)号：CN105525262A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201510655265.X
申请日：2015-10-12
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种溅射靶及层叠膜，本发明的溅射靶包含30质量％以上且50质量％以下的Zn、5质量％以上且15质量％以下的Ni、2质量％以上且10质量％以下的Mn，还包含共计0.001质量％以上且0.2质量％以下的选自Fe、Sn、Sb的一种或两种以上的元素，剩余部分由Cu和不可避免杂质构成。
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公开(公告)号：CN104419904A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410431593.7
申请日：2014-08-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C1/0425 , C22C9/00 , H01J37/3426 , C23C14/3407
Abstract: 本发明提供一种铜合金溅射靶。本发明的铜合金溅射靶由具有如下组成的铜合金构成：含有0.3质量％以上1.7质量％以下的Ca，剩余部分由Cu及不可避免杂质构成，在母相中分散有Ca偏析而成的Ca偏析相(10)，所述Ca偏析相含有由Cu构成的Cu分散相(11)。
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