公开(公告)号：CN101826553B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200910172064.9

申请日：2009-08-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 天清宗山

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L27/085 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/8128

Abstract: 本发明得到抑制栅极电容的增大并可显著改善耐湿性的场效应晶体管及其制造方法。在半导体层(1)上形成有T型栅极电极(2)的场效应晶体管，将形成有T型栅极电极(2)的区域设为晶体管有源区域时，在整个该晶体管有源区域中，具备设置在T型栅极电极(2)上的第一高耐湿性保护膜(5)，该膜包含耐湿性和抗蚀刻性高的绝缘膜或有机膜，在包括T型栅极电极(2)的伞下在内的T型栅极电极(2)附近，在半导体层(1)与第一高耐湿性保护膜(5)之间形成空隙(6)，用第二高耐湿性保护膜(7)来堵住空隙(6)与外界连接的端面(6a)。

公开(公告)号：CN101958321A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN201010226934.9

申请日：2010-07-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 国井彻郎 ,  天清宗山 ,  山本佳嗣 ,  野上洋一

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/04 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/4238 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明涉及半导体装置，其目的在于提供一种能够防止在绝缘区域中发生破坏的半导体装置。本发明的半导体装置的特征在于，具备：半导体衬底；掺杂区域，设置在所述半导体衬底的上表面侧；绝缘区域，在所述半导体衬底的上表面侧，通过离子注入而设置在所述掺杂区域的周围；栅极电极，设置在所述掺杂区域上；第一电极和第二电极，以夹着所述栅极电极的方式设置在所述掺杂区域上；第一焊盘，设置在所述绝缘区域上，连接于所述栅极电极；第二焊盘，在所述绝缘区域上以夹着所述掺杂区域与所述第一焊盘相向的方式设置，连接于所述第二电极；以及导体，在所述绝缘区域上，设置在所述第一电极和所述第二焊盘之间。

公开(公告)号：CN100594667C

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200610121370.6

申请日：2006-08-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 天清宗山 ,  松塚隆之 ,  井上晃

IPC: H03F1/22 ,  H03F3/189 ,  H01L27/02

CPC classification number: H03F1/223 ,  H01L27/0222 ,  H01L27/0629 ,  H03F3/195 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/75

Abstract: 本发明旨在得到一种能够抑制从最优工作电容发生偏离并且能够降低制造成本的串叠放大器连接电路。它是以串叠放大方式连接有2个场效应晶体管(以下记作“FET”)的串叠放大器连接电路，具有：源极接地的第1FET；源极与第1FET的漏极连接的第2FET；阳极与第1FET的源极连接且阴极与第2FET的栅极连接的肖特基势垒二极管。

公开(公告)号：CN1855530A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610073541.2

申请日：2006-04-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 天清宗山 ,  志贺俊彦 ,  国井彻郎 ,  奥友希

IPC: H01L29/43

CPC classification number: H01L29/475 ,  H01L21/28581 ,  H01L21/28587 ,  H01L29/42316

Abstract: 提高肖特基电极的耐湿性而得到半导体装置。肖特基电极即栅电极(8)包括TaNx层(6)和Au层(7)。TaNx层(6)为了防止Au层(7)和基板(100)之间的原子扩散，起势垒金属的作用。TaNx不含Si，所以比含有Si的WSiN的耐湿性高。因此栅电极(8)与具有WSiN层的以往的栅电极相比耐湿性高。另外，设定氮含有率x小于0.8，与以往的栅电极相比可以避免肖特基特性的大幅度降低。或者氮含有率x在小于0.5的范围之内，与以往的栅电极相比能够提高肖特基特性。