公开(公告)号：CN105940496B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201480074589.8

申请日：2014-01-29

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 中村胜光

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7823

摘要： 半导体衬底(SB)包含漂移区域(1)及集电极区域(3)。漂移区域(1)跨越有源区域(AR1)、界面区域(AR2)、以及边缘端接区域(AR3)而设置。集电极区域(3)仅设置于有源区域(AR1)，局部地形成第2面(S2)。发射极电极(13a)设置于有源区域(AR1)，与半导体衬底(SB)的第1面(S1)相接触。集电极电极(4)设置于半导体衬底(SB)的第2面(S2)，与集电极区域(3)相接触。

公开(公告)号：CN109698230A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811229514.9

申请日：2018-10-22

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： A.菲利波 ,  M.比纳 ,  M.戴内泽 ,  C.耶格 ,  J.G.拉文 ,  F.J.桑托斯罗德里格斯 ,  A.韦莱 ,  C.利德兹 ,  C.P.桑道

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/0688

摘要： 一种功率半导体器件（1），包括具有第一导电类型的漂移区（100）的有源单元区（1-2）；至少部分布置在有源单元区（1-2）内的多个IGBT单元（1-1），其中该IGBT单元（1-1）中的每个包括沿着垂直方向（Z）延伸到漂移区（100）中的至少一个沟槽（14、15、16）；包围有源单元区（1-2）的边缘终止区（1-3）；布置在有源单元区（1-2）和边缘终止区（1-3）之间的过渡区（1-5），该过渡区（1-5）具有沿着横向方向（X、Y）从有源单元区（1-2）朝向边缘终止区（1-3）的宽度（W），其中该IGBT单元（1-1）中的至少一些被布置在过渡区（1-5）内或者相应地延伸到过渡区（1-5）中；以及第二导电类型的电浮势垒区（105），其中该电浮势垒区（105）被布置在有源单元区（1-2）内且与IGBT单元（1-1）的沟槽（14、15、16）中的至少一些接触，并且其中该电浮势垒区（105）不会延伸到过渡区（1-5）中。

公开(公告)号：CN105830222B

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201480070414.X

申请日：2014-10-16

申请人： 丰田自动车株式会社

发明人： 添野明高 ,  福冈佑二

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L29/7827 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

摘要： 本发明公开能够抑制终端区的绝缘层劣化的情况的技术。半导体装置(100)具有形成有元件区(110)和包围元件区(110)的终端区(120)的半导体基板(10)。元件区(110)具有栅极沟槽(20)、覆盖栅极沟槽(20)的内表面的栅极绝缘膜(22)、被配置于栅极绝缘膜(22)的内侧的栅电极(24)。终端区(120)具有被形成于元件区(110)的周围的多个终端沟槽(30a～30j)和被配置于多个终端沟槽(30a～30j)各自的内侧的埋入绝缘层(32b～32e)。埋入绝缘层(32b)也被形成于半导体基板(10)的上表面上。在半导体基板(10)的上表面上形成有层间绝缘膜(40)。栅极配线(44)被形成于埋入绝缘层(32b)的上方，而未被形成于埋入绝缘层(32c～32e)的上方。

公开(公告)号：CN109148425A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201811089201.8

申请日：2011-08-23

申请人： L·皮尔·德罗什蒙

发明人： L·皮尔·德罗什蒙

IPC分类号： H01L23/64 ,  H01L25/16 ,  H01L29/423 ,  H01L29/43 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L49/02

CPC分类号： H01L27/0629 ,  G06F1/3203 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/5228 ,  H01L23/528 ,  H01L23/64 ,  H01L23/642 ,  H01L23/645 ,  H01L23/66 ,  H01L25/16 ,  H01L28/10 ,  H01L28/20 ,  H01L28/40 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/43 ,  H01L29/435 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7831 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2223/6661 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体场效应晶体管提供了谐振栅极和源极以及漏极，其中谐振栅极以一种或多种预定的频率电磁地谐振。

公开(公告)号：CN108807526A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810365883.4

申请日：2012-04-20

申请人： 苏州晶湛半导体有限公司

发明人： 程凯

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/4238 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/401 ,  H01L29/49 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783

摘要： 本发明涉及增强型开关器件及其制作方法。该方法包括：提供一衬底，在上述衬底上依次形成氮化物成核层、氮化物缓冲层、氮化物沟道层、氮化物势垒层；在上述氮化物势垒层上制作形成介质层，其上定义有栅极区域；在上述栅极区域上形成凹槽结构；在上述凹槽内沉积p型半导体材料；在上述介质层上栅极区域之外的位置刻蚀该介质层，以形成两处欧姆接触区域；在上述两处欧姆接触区域上分别形成源电极和漏电极。通过在氮化物势垒层上生成介质层，并在该介质层栅极处生成凹槽结构，并在凹槽内设置p型半导体材料，达到夹断栅极下方n型导电层以及控制阈值电压的目的，以实现增强型开关器件。

公开(公告)号：CN108695380A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810193165.3

申请日：2018-03-09

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 内藤达也

IPC分类号： H01L29/739

CPC分类号： H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/08 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/105 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7393

摘要： 本发明提供一种半导体装置，具备：半导体基板；第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板的内部；多个栅沟槽部，其从半导体基板的上表面设置到漂移区；虚拟沟槽部，其设置于两个栅沟槽部之间，且从半导体基板的上表面设置到漂移区；第二导电型的基区，其在与任意的栅沟槽部邻接的半导体基板的区域中设置于半导体基板的上表面与漂移区之间；第二导电型的第一阱区，其在与虚拟沟槽部邻接的半导体基板的区域设置到比虚拟沟槽部的下端深的位置，且掺杂浓度比基区高。

公开(公告)号：CN105164811B

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201480016477.7

申请日：2014-02-13

申请人： 创世舫电子有限公司

发明人： 斯拉班缇·乔杜里 ,  乌梅什·米什拉 ,  尤瓦扎·多拉

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28581 ,  H01L21/28587 ,  H01L21/28593 ,  H01L21/76804 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种III‑N半导体HEMT器件，其包括在III‑N材料结构上的电极界定层。该电极界定层具有凹进部，该凹进部具有接近于漏极的第一侧壁和接近于源极的第二侧壁，每个侧壁都包括多个台阶。远离III‑N材料结构的凹进部的部分比接近III‑N材料结构的凹进部的部分具有更大的宽度。电极在凹进部中，该电极包括在第一侧壁上方的延伸部分。电极界定层的一部分在延伸部分和III‑N材料结构之间。第一侧壁相对于III‑N材料结构的表面形成第一有效角，第二侧壁相对于III‑N材料结构的表面形成第二有效角，第二有效角大于第一有效角。

公开(公告)号：CN108389906A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201710063728.2

申请日：2017-02-03

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 萧世楹 ,  陈宣凯 ,  郑敦仁

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/404 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/42356

摘要： 本发明公开一种高压金属氧化物半导体晶体管元件，包括半导体基底、栅极结构、第一漂移区、第一隔离结构、漏极区与第一次栅极结构。栅极结构与第一次栅极结构设置于半导体基底上且互相分离。第一漂移区设置于半导体基底中且设置于栅极结构的一侧。第一隔离结构与漏极区设置于第一漂移区中，漏极区与第一隔离结构互相分离，且第一漂移区的一部分设置于漏极区与第一隔离结构之间。第一次栅极结构至少部分设置于位于漏极区与第一隔离结构之间的第一漂移区上，且第一次栅极结构与漏极区电连接。

公开(公告)号：CN108352399A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680062811.1

申请日：2016-08-05

申请人： 诺基亚技术有限公司

发明人： D·柯顿 ,  Y·刘 ,  A·罗宾逊 ,  A·别索诺夫 ,  R·怀特

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/778 ,  H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  G01N27/414 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0352

CPC分类号： H01L29/1606 ,  G01N27/4146 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/127 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/778 ,  H01L31/028 ,  H01L31/112 ,  Y02E10/547

摘要： 一种方法和装置，该方法包括：在第一释放层上形成二维材料层(23)，特别地，石墨烯；形成可能的(栅)绝缘层(35)和至少两个(优选三个)电极；形成覆盖所述二维材料层的至少一部分的第二释放层；提供覆盖所述至少两个电极和所述第二释放层的可模制聚合物(24，26，28)；以及去除第一和第二释放层以在可模制聚合物和二维材料层之间提供腔(29)。

公开(公告)号：CN108346666A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201710058332.9

申请日：2017-01-23

申请人： 联华电子股份有限公司 ,  福建省晋华集成电路有限公司

发明人： 吴家伟 ,  钟定邦 ,  詹电鍼 ,  詹书俨

IPC分类号： H01L27/11568

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02255 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10891 ,  H01L27/12 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4908 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11578

摘要： 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。首先提供一基底，具有一上表面。在基底中形成至少一沟槽，并于沟槽中形成一阻障层以及一导电材料填满该沟槽。接着凹陷导电材料以及阻障层至低于该上表面，然后进行一氧化制作工艺，氧化暴露的导电材料以及阻障层以形成一绝缘层。