功率元件的驱动电路
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101689799B

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN200780053618.2

    申请日:2007-07-03

    Inventor: 宫崎裕二

    Abstract: IGBT(10)的驱动电路(1)包含使用了第一~第四开关元件(Q1~Q4)的H电桥电路(80)。控制部(20)在接受到使IGBT(10)从导通状态转移到断开状态的指令时,从使第一、第四开关元件(Q1、Q4)为导通状态并且使第二、第三开关元件(Q2、Q3)为断开状态的第一状态,向使第一、第四开关元件(Q1、Q4)为断开状态并且使第二、第三开关元件(Q2、Q3)为断开状态的第二状态,切换各开关元件的状态。根据这样的驱动电路(1)的结构,能够以单一的电源(15)对IGBT(10)施加反偏压。

    半导体装置以及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN110896070B

    公开(公告)日:2023-05-02

    申请号:CN201910844141.4

    申请日:2019-09-06

    Abstract: 本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。目的在于提供能够检测组装后的缓冲用基板的耐压性的技术。半导体装置具备:缓冲用基板(6),其以与P电极(2)以及N电极(3)分离的状态固定于基座(1)之上;缓冲电路(5),其配置于缓冲用基板(6)之上,与P电极(2)以及N电极(3)电连接;以及半导体元件(8),其与缓冲电路(5)电连接。基座(1)包含使P电极(2)、N电极(3)以及缓冲用基板(6)彼此绝缘的绝缘部件。

    半导体装置
    13.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN113691109A

    公开(公告)日:2021-11-23

    申请号:CN202110528850.9

    申请日:2021-05-14

    Abstract: 提供能够通过简单的结构而抑制彼此并联连接的多个半导体元件之间的寄生振荡的半导体装置。彼此并联连接的多个半导体元件(EL)包含多个第1半导体元件(EL1)以及多个第2半导体元件(EL2)。用于向多个半导体元件(EL)各自供给栅极信号的驱动电路(200)具有主电路(201)和包含第1插入电路(211)以及第2插入电路(212)的多个插入电路(210)。第1插入电路(211)被插入至主电路(201)与多个第1半导体元件(EL1)之间。第2插入电路(212)被插入至主电路(201)与多个第2半导体元件(EL2)之间。第1插入电路(211)以及所述第2插入电路(212)各自包含正向朝向主电路(201)的第1二极管(D1)和与第1二极管(D1)反向并联连接的第2二极管(D2)。

    半导体装置以及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN110896070A

    公开(公告)日:2020-03-20

    申请号:CN201910844141.4

    申请日:2019-09-06

    Abstract: 本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。目的在于提供能够检测组装后的缓冲用基板的耐压性的技术。半导体装置具备:缓冲用基板(6),其以与P电极(2)以及N电极(3)分离的状态固定于基座(1)之上;缓冲电路(5),其配置于缓冲用基板(6)之上,与P电极(2)以及N电极(3)电连接;以及半导体元件(8),其与缓冲电路(5)电连接。基座(1)包含使P电极(2)、N电极(3)以及缓冲用基板(6)彼此绝缘的绝缘部件。

    电力用半导体模块以及电力变换装置

    公开(公告)号:CN107293534A

    公开(公告)日:2017-10-24

    申请号:CN201710535132.8

    申请日:2013-01-16

    Abstract: 本发明的目的在于,提供能够降低上下分支之间的电感的偏差、能够降低电感的偏差所引起的电流偏差的电力用半导体模块。本发明的电力用半导体模块100具备:电路块(上下分支)101、102,将自消弧式半导体元件6串联连接而构成;正极端子11、负极端子12、以及交流端子10,与电路块101、102连接;以及布线图案3、4,连接电路块101、102的自消弧式半导体元件6和正极端子11、负极端子12、以及交流端子10,电路块101、102是多个,与多个电路块101、102对应地分别设置了多个正极端子11、负极端子12、以及交流端子10,多个正极端子11和多个负极端子12接近地配置。

    半导体装置
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101752321A

    公开(公告)日:2010-06-23

    申请号:CN200910175045.1

    申请日:2009-09-16

    Abstract: 本发明提供对基板贯通孔的安装容易且适合小型化及低廉化的半导体装置。本发明的半导体装置具备:端子外壳,在该端子外壳内部具有半导体元件;以及安装在该端子外壳上并与该半导体元件电连接的多个针形端子,该多个针形端子从该端子外壳的规定面沿与该端子外壳的外部相同的方向延伸,且长度均匀。又具有以下特征:具备安装在该端子外壳上的突出针形端子,该突出针形端子从该端子外壳的该规定面沿与该端子外壳的该外部相同的方向延伸,且比该多个针形端子还要突出。

    电力用半导体模块以及电力变换装置

    公开(公告)号:CN111048491B

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN201911352122.6

    申请日:2013-01-16

    Abstract: 本发明的目的在于提供能够降低上下分支之间的电感的偏差、能够降低电感的偏差所引起的电流偏差的电力用半导体模块以及电力变换装置。本发明的电力用半导体模块100具备:电路块(上下分支)101、102,将自消弧式半导体元件6串联连接而构成;正极端子11、负极端子12、以及交流端子10,与电路块101、102连接;以及布线图案3、4,连接电路块101、102的自消弧式半导体元件6和正极端子11、负极端子12、以及交流端子10,电路块101、102是多个,与多个电路块101、102对应地分别设置了多个正极端子11、负极端子12、以及交流端子10,多个正极端子11和多个负极端子12接近地配置。

    半导体装置
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110557110A

    公开(公告)日:2019-12-10

    申请号:CN201910440658.7

    申请日:2019-05-24

    Inventor: 宫崎裕二

    Abstract: 本发明的目的在于提供能够抑制将多个开关元件并联连接的半导体装置的电流不平衡的半导体装置。该半导体装置的特征在于,具备:第1开关元件,其具有第1栅极、第1源极以及第1漏极,该第1源极经由第1连接线而与共通端子连接;第2开关元件,其具有第2栅极、第2源极以及第2漏极,该第2源极经由第2连接线而与该第1源极连接,经由该第1连接线和该第2连接线而与该共通端子连接,该第2漏极与该第1漏极连接;第1电容器,其将该第1源极和电源的高电压侧进行连接;第1电路元件,其一端连接至该电源的高电压侧和该第1电容器之间;以及第2电容器,其将该第2源极和该第1电路元件的另一端进行连接。

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