公开(公告)号：CN1329367A

公开(公告)日：2002-01-02

申请号：CN01103459.9

申请日：2001-02-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 松本拓治 ,  岩松俊明 ,  平野有一

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76264 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明的目的在于得到一种在具备PTI结构的隔离绝缘膜的半导体装置中抑制衬底浮游效应、隔离特性和耐压提高了的半导体装置及其制造方法。其解决方法是在覆盖形成于半导体层的表面上的元件的上表面的层间绝缘膜之间形成氮化硅膜。

公开(公告)号：CN1223458A

公开(公告)日：1999-07-21

申请号：CN98119254.8

申请日：1998-09-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉田佳子 ,  山口泰男 ,  成冈英树 ,  岩松俊明 ,  木村泰広 ,  平野有一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/7624 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31155

Abstract: 提供防止从衬底边缘部产生颗粒的半导体衬底的处理方法和半导体衬底。通过在SOI衬底10的边缘部处相对于SOI衬底10的直径方向注入硅离子,SOI衬底10的边缘部的埋入氧化膜2成为富硅的状态,作成在边缘部处埋入氧化膜2实际上已消失的SOI衬底100。