公开(公告)号：CN109996908B

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201680091075.2

申请日：2016-11-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 滨野健一 ,  大野彰仁 ,  沟部卓真 ,  酒井雅 ,  木村泰广 ,  三谷阳一郎 ,  金泽孝

IPC: C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 半导体晶片具备：碳化硅衬底，其在厚度方向具有均匀的第一载流子浓度；载流子浓度过渡层，其设置于所述碳化硅衬底之上；以及外延层，其设置于所述载流子浓度过渡层之上，在厚度方向具有均匀的第二载流子浓度，所述第二载流子浓度比所述第一载流子浓度低。所述载流子浓度过渡层的载流子浓度在厚度方向具有浓度梯度。所述浓度梯度为如下梯度，即，从所述载流子浓度过渡层的正下方的层与所述载流子浓度过渡层的界面起，膜厚度越增加，载流子浓度越降低，并且所述载流子浓度过渡层的所述膜厚度越增加，载流子浓度越以小的降低率降低。所述载流子浓度过渡层的所述载流子浓度具有落在由第一浓度梯度条件及第二浓度梯度条件夹着的预先确定的浓度范围内的所述浓度梯度。

公开(公告)号：CN110663099A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201880031043.2

申请日：2018-01-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 三谷阳一郎 ,  木村泰广 ,  大野彰仁

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明的目的在于提高SiC外延晶片的器件成品率。SiC外延晶片11具备作为SiC外延层的漂移层2。漂移层2的膜厚为18μm以上且350μm以下，算术平均粗糙度为0.60nm以上且3.00nm以下，杂质浓度为1×1014/cm3以上且5×1015/cm3以下。

公开(公告)号：CN109996908A

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201680091075.2

申请日：2016-11-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 滨野健一 ,  大野彰仁 ,  沟部卓真 ,  酒井雅 ,  木村泰广 ,  三谷阳一郎 ,  金泽孝

IPC: C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 半导体晶片具备：碳化硅衬底，其在厚度方向具有均匀的第一载流子浓度；载流子浓度过渡层，其设置于所述碳化硅衬底之上；以及外延层，其设置于所述载流子浓度过渡层之上，在厚度方向具有均匀的第二载流子浓度，所述第二载流子浓度比所述第一载流子浓度低。所述载流子浓度过渡层的载流子浓度在厚度方向具有浓度梯度。所述浓度梯度为如下梯度，即，从所述载流子浓度过渡层的正下方的层与所述载流子浓度过渡层的界面起，膜厚度越增加，载流子浓度越降低，并且所述载流子浓度过渡层的所述膜厚度越增加，载流子浓度越以小的降低率降低。所述载流子浓度过渡层的所述载流子浓度具有落在由第一浓度梯度条件及第二浓度梯度条件夹着的预先确定的浓度范围内的所述浓度梯度。

公开(公告)号：CN109155239A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780029769.8

申请日：2017-05-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 田中贵规 ,  山本茂久 ,  中村勇 ,  木村泰广 ,  中田修平 ,  三谷阳一郎

IPC: H01L21/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及碳化硅外延基板及碳化硅半导体装置。外延基板(3)具备：由碳化硅形成的单晶基板(10)和在其上形成的由碳化硅形成的外延层(4)。外延层(4)具备：在单晶基板(10)上形成的第1外延层(41)、在第1外延层(41)上形成的第2外延层(42)、和在第2外延层(42)上形成的第3外延层(43)，第1外延层(41)中的基底面位错的转换率不到95％，第2外延层(42)中的基底面位错的转换率比98％大。